本實用新型涉及LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種實現(xiàn)超高密顯示的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著室內(nèi)顯示應(yīng)用技術(shù)不斷提高，傳統(tǒng)顯示產(chǎn)品技術(shù)逐漸登頂，室內(nèi)小間距產(chǎn)品成為未來主要的技術(shù)拓展空間；為取代LCD、DLP室內(nèi)高清顯示產(chǎn)品，用于小間距顯示屏的LED封裝結(jié)構(gòu)的尺寸要做的更小來縮小顯示屏的像素點距離，實現(xiàn)高清顯示功能。傳統(tǒng)小間距LED封裝結(jié)構(gòu)采用表面雙電極的芯片設(shè)計，在LED封裝過程需通過兩條鍵合線分別將兩個電極與BT板焊盤相連接達到導(dǎo)通的作用。焊線鍵合對芯片的電極和BT板焊盤的距離有要求，距離太小，會造成無法焊接或者焊接可靠性低的問題，因而制約了小間距LED的封裝尺寸的縮小。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，我們提出了一種實現(xiàn)超高密顯示的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，該LED封裝結(jié)構(gòu)的長、寬尺寸可為0.45mm-1.0mm之間,最小尺寸可做到0.45*0.45mm，實現(xiàn)超高密顯示的LED全彩應(yīng)用。

為達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案如下：

一種實現(xiàn)超高密顯示的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、藍光LED芯片、綠光LED芯片、紅光LED芯片、鍵合線、A獨立焊盤、B獨立焊盤、C獨立焊盤、公共焊盤和三角形結(jié)構(gòu)綠漆；所述藍光LED芯片、綠光LED芯片和紅光LED芯片均為垂直結(jié)構(gòu)的芯片，所述基板的正面和背面分別設(shè)置有正面電路線路和背面電路線路，并在所述基板上設(shè)置有用于連接所述正面電路線路和所述背面電路線路的導(dǎo)電孔，所述導(dǎo)電孔從所述正面電路線路延伸到所述背面電路線路，并通過導(dǎo)電金屬物質(zhì)或非導(dǎo)電物質(zhì)將其塞滿密封填平，所述基板的正面電路線路上設(shè)置有一個公共焊盤并于放置所述藍光LED芯片、綠光LED芯片和紅光LED芯片的區(qū)域分別設(shè)置有所述A獨立焊盤、B獨立焊盤和C獨立焊盤，所述A獨立焊盤、B獨立焊盤和C獨立焊盤呈“品”字結(jié)構(gòu)，所述藍光LED芯片、綠光LED芯片和紅光LED芯片通過導(dǎo)電底膠分別連接在所述A獨立焊盤、B獨立焊盤和C獨立焊盤上，所述藍光LED芯片、綠光LED芯片和紅光LED芯片表面電極分別通過一根所述鍵合線連接到所述公共焊盤上，所述基板背面中部設(shè)置有三角形結(jié)構(gòu)綠漆。

優(yōu)選的，所述基板的厚度為0.1mm-0.5mm，顏色為黑色或者白色，材質(zhì)為BT基板、FR4基板、鋁基板、銅基板、陶瓷基板的其中一種或幾種混合。

優(yōu)選的，所述基板正面電路線路銅層上是鎳，鎳厚度在100-300u"之間；鎳層上可鍍銀或金，也可鍍銀后再鍍一層金，銀厚在20-80u"之間，金厚在2-10u"之間。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)電孔的直徑為0.05-0.5mm，所述導(dǎo)電孔內(nèi)金屬填充物是通過電鍍或者塞金屬柱的方式完成，或用塞非金屬物質(zhì)的方式來完成。

通過上述技術(shù)方案，本實用新型通過采用導(dǎo)電底膠把所述垂直結(jié)構(gòu)的藍光LED芯片、綠光LED芯片和紅光LED芯片分別連接在所述基板上的所述A獨立焊盤、B獨立焊盤和C獨立焊盤上，然后每個LED芯片只需要一根所述鍵合線與所述基板上所述公共焊盤相連接即可達到導(dǎo)通作用。該封裝結(jié)構(gòu)大大縮小了LED封裝結(jié)構(gòu)的尺寸，其長、寬尺寸可為0.45mm-1.0mm之間,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大縮小顯示屏的像素點距離，實現(xiàn)超高密顯示的LED全彩應(yīng)用，應(yīng)用效果極佳。該封裝結(jié)構(gòu)使室內(nèi)顯示應(yīng)用技術(shù)的水平又提高了一個臺階。為室內(nèi)小間距顯示應(yīng)用技術(shù)做出了巨大的貢獻。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例所公開的一種實現(xiàn)超高密顯示的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)正面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型實施例所公開的一種實現(xiàn)超高密顯示的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)背面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中數(shù)字和字母所表示的相應(yīng)部件名稱：

1、基板 2、藍光LED芯片 3、綠光LED芯片 4、紅光LED芯片 5、鍵合線 6、A獨立焊盤 7、B獨立焊盤 8、C獨立焊盤 9、公共焊盤 10、三角形結(jié)構(gòu)綠漆 11、導(dǎo)電孔

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

下面結(jié)合實施例和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

實施例.

如圖1和圖2所示，一種實現(xiàn)超高密顯示的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括基板1、藍光LED芯片2、綠光LED芯片3、紅光LED芯片4、鍵合線5、A獨立焊盤6、B獨立焊盤7、C獨立焊盤8、公共焊盤9和三角形結(jié)構(gòu)綠漆10；所述藍光LED芯片2、綠光LED芯片3和紅光LED芯片4均為垂直結(jié)構(gòu)的芯片，所述基板1的正面和背面分別設(shè)置有正面電路線路和背面電路線路，并在所述基板1上設(shè)置有用于連接所述正面電路線路和所述背面電路線路的導(dǎo)電孔11，所述導(dǎo)電孔11從所述正面電路線路延伸到所述背面電路線路，并通過導(dǎo)電金屬物質(zhì)或非導(dǎo)電物質(zhì)將其塞滿密封填平，所述基板1的正面電路線路上設(shè)置有一個公共焊盤9并于放置所述藍光LED芯片2、綠光LED芯片3和紅光LED芯片4的區(qū)域分別設(shè)置有所述A獨立焊盤6、B獨立焊盤7和C獨立焊盤8，所述A獨立焊盤6、B獨立焊盤7和C獨立焊盤8呈“品”字結(jié)構(gòu)，所述藍光LED芯片2、綠光LED芯片3和紅光LED芯片4通過導(dǎo)電底膠分別連接在所述A獨立焊盤6、B獨立焊盤7和C獨立焊盤8上，所述藍光LED芯片6、綠光LED芯片7和紅光LED芯片8表面電極分別通過一根所述鍵合線5連接到所述公共焊盤9上，所述基板1背面中部設(shè)置有三角形結(jié)構(gòu)綠漆10。

所述基板1的厚度為0.1mm-0.5mm，顏色為黑色或者白色，材質(zhì)為BT基板、FR4基板、鋁基板、銅基板、陶瓷基板的其中一種或幾種混合。

所述基板1正面電路線路銅層上是鎳，鎳厚度在100-300u"之間；鎳層上可鍍銀或金，也可鍍銀后再鍍一層金，銀厚在20-80u"之間，金厚在2-10u"之間。

所述導(dǎo)電孔11的直徑為0.05-0.5mm，所述導(dǎo)電孔11內(nèi)金屬填充物是通過電鍍或者塞金屬柱的方式完成，或用塞非金屬物質(zhì)的方式來完成。

通過上述技術(shù)方案，本實用新型通過采用導(dǎo)電底膠把所述垂直結(jié)構(gòu)的藍光LED芯片2、綠光LED芯片3和紅光LED芯片4分別連接在所述基板1上的所述A獨立焊盤6、B獨立焊盤7和C獨立焊盤8上，然后每個LED芯片只需要一根所述鍵合線5與所述基板1上的所述公共焊盤9相連接即可達到導(dǎo)通作用。該封裝結(jié)構(gòu)大大縮小了LED封裝結(jié)構(gòu)的尺寸，其長、寬尺寸可為0.45mm-1.0mm之間,最小尺寸可做到0.45*0.45mm；大大縮小顯示屏的像素點距離，實現(xiàn)超高密顯示的LED全彩應(yīng)用，應(yīng)用效果極佳。該封裝結(jié)構(gòu)使室內(nèi)顯示應(yīng)用技術(shù)的水平又提高了一個臺階。為室內(nèi)小間距顯示應(yīng)用技術(shù)做出了巨大的貢獻。

以上所述的僅是本實用新型的一種實現(xiàn)超高密顯示的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。