技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及一種用于長波光通信的光電探測器，其中，所述光電探測器包括：襯底層；依次層疊于所述襯底層的Ge緩沖層、GeSn緩沖層、GeSn/Ge多量子阱有源層和GeSn接觸層；位于所述GeSn接觸層和所述GeSn緩沖層上的氧化層；位于所述GeSn接觸層和所述GeSn緩沖層上的金屬電極；本實(shí)用新型提供的用于長波光通信的光電探測器測器克服了暗電流大，低于1800nm連續(xù)波段探測問題，高效，且能夠在GeSn量子阱中引入不同的應(yīng)變，調(diào)節(jié)量子阱的帶隙結(jié)構(gòu)以擴(kuò)展光電探測器的吸收波長范圍和吸收系數(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員：王穎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：陜西學(xué)前師范學(xué)院
文檔號(hào)碼：201720118749
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.10
技術(shù)公布日：2017.10.27