本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

芯片的接地對(duì)芯片的性能影響很大，良好的接地有利于芯片的散熱，增加芯片可靠性，特別是對(duì)于射頻芯片，良好的接地可以明顯提升芯片增益、功率、效率、線性度、穩(wěn)定性及噪聲等性能。目前，業(yè)內(nèi)比較流行采用晶圓通孔或者背孔通金的方式將芯片接地，但這兩種方式散熱效果差，且均會(huì)產(chǎn)生寄生電感和寄生電阻，且受工藝限制無法進(jìn)一步縮小寄生電感及寄生電阻，這成為芯片性能改善的一個(gè)阻礙。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以很好地解決現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)散熱效果差的問題。

為達(dá)到上述要求，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是：提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底，襯底上具有若干源極；

聚酰亞胺層，覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面，并露出所述源極；

第一金屬層，形成于每個(gè)源極表面；

第二金屬層，形成于第一金屬層和聚酰亞胺層構(gòu)成的上表面；

銅層，形成于所述第二金屬層表面；

焊料凸點(diǎn)，形成于所述銅層表面。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：通過第一金屬層將每個(gè)源極引出，然后通過第二金屬層將所有源極連接在一起，在第二金屬層表面制備銅層，通過銅層進(jìn)行倒裝焊接地，使芯片具有更良好的接地端，縮短芯片散熱路徑，增加芯片可靠性，縮小芯片面積。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，在這些附圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)來表示相同或相似的部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步地詳細(xì)說明。為簡(jiǎn)單起見，以下描述中省略了本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的某些技術(shù)特征。

如圖1所示，本實(shí)施例提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底1，襯底1上具有兩個(gè)源極2、兩個(gè)柵極及一個(gè)漏極；

聚酰亞胺層3，覆蓋在半導(dǎo)體襯底1表面，并露出兩個(gè)源極2；

第一金屬層4，形成于每個(gè)源極2表面且與源極2相連，第一金屬層4上表面與聚酰亞胺層3上表面齊平；第一金屬層4的材料為Au；

第二金屬層5，形成于第一金屬層4和聚酰亞胺層3構(gòu)成的上表面，且第二金屬層5與兩個(gè)第一金屬層4連接，即第二金屬層5將兩個(gè)源極2連接在一起；第二金屬層5的材料包括Au；

銅層6，形成于第二金屬層5表面；

焊料凸點(diǎn)7，形成于銅層6表面；焊料金屬包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

該芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法包括：

S1、提供一表面覆蓋有聚酰亞胺層3的半導(dǎo)體襯底1，在聚酰亞胺層3旋涂光刻膠，刻蝕聚酰亞胺層3在源極2位置打開窗口，使得源極2暴露出來；

S2、基于上述窗口，在源極2表面制備第一金屬層4，第一金屬層4與源極2相連；

S3、在第一金屬層4和聚酰亞胺層3構(gòu)成的上表面制備第二金屬層5，第二金屬層5與第一金屬層4相連，將所有源極2連接在一起；

S4、在第二金屬層5表面制備金屬銅，形成銅層6；

S5、在銅層6表面淀積焊料金屬。

以上實(shí)施例僅表示本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能理解為對(duì)本實(shí)用新型范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型保護(hù)范圍。因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求為準(zhǔn)。