1.一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片，包括單晶硅層（2）和二氧化碳鈍化層（1），其特征在于，所述單晶硅層（2）的下表面設(shè)有第二二氧化硅層（4），且二氧化碳鈍化層（1）設(shè)在第二二氧化硅層（4）的底面，所述單晶硅層（2）的上表面設(shè)有第一二氧化硅層（3），所述第一二氧化硅層（3）的上表面設(shè)有鎵晶體硅層（8），所述鎵晶體硅層（8）的上表面設(shè)有單晶硅絨面層（10）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片，其特征在于，所述單晶硅絨面層（10）的上表面還粘接有氮化硅薄膜（5）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片，其特征在于，所述單晶硅絨面層（10）的上表面還開設(shè)有交錯排列第一格柵槽（6）和第二格柵槽（9），且第一格柵槽（6）和第二格柵槽（9）的數(shù)量至少有十條，并以平行等距的方式進行排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的單晶硅片，其特征在于，所述單晶硅層（2）的外部設(shè)有橡膠層（7），且橡膠層（7）的頂端與鎵晶體硅層（8）處于水平直線上，橡膠層（7）的底端與二氧化碳鈍化層（1）處于同一水平直線上。