本實(shí)用新型涉及電容器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種大容量膜箔復(fù)合式電極電容器。

背景技術(shù)：

薄膜電容器是電容器的一種，具有損耗小、絕緣電阻高、頻率特性好、可靠性高、溫度特性好等優(yōu)點(diǎn)，有著較為廣泛的應(yīng)用；目前薄膜電容器從電極形式上可以分為金屬箔式和金屬化式二種：金屬箔式電容耐大電流沖擊、工藝流程短、容量穩(wěn)定性高；金屬化式電容有自愈性、體積小，隨著電子整機(jī)更新?lián)Q代周期的不斷縮短，以及輕薄短小和數(shù)字化要求的提高，成為薄膜電容器的主流，但金屬化式電容與金屬箔式電容相比，存在以下缺點(diǎn)：

一是容量穩(wěn)定性不如箔式電容器，這是由于金屬化電容在長(zhǎng)期工作條件易出現(xiàn)容量丟失以及自愈后均可導(dǎo)致容量減小。

二是為耐受大電流能力較差，這是由于金屬化膜層比金屬箔要薄很多，承載大電流能力較弱。

以上缺點(diǎn)限制了金屬化式電容的普遍使用。

此外，傳統(tǒng)金屬化式電容蒸鍍薄膜很薄，存在蒸鍍薄膜和薄膜介質(zhì)附著力弱，易脫落的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于：針對(duì)現(xiàn)有金屬化式電容容量穩(wěn)定性低、耐受大電流能力較差的技術(shù)問(wèn)題，提出一種大容量膜箔復(fù)合式電極電容器。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：

一種大容量膜箔復(fù)合式電極電容器，該電容器包括殼體、電容器芯子、CP線構(gòu)成，所述電容器芯子為由第一單面金屬化薄膜層、第二雙面金屬箔薄膜層、第三單面金屬化薄膜層三層依次疊加卷繞形成的串聯(lián)芯子；

所述第一單面金屬化薄膜層包括第一薄膜介質(zhì)層和第一薄膜介質(zhì)層外側(cè)蒸鍍的第一金屬化薄膜，所述第二雙面金屬化薄膜層包括第二薄膜介質(zhì)層和位于第二薄膜介質(zhì)層兩側(cè)的上金屬箔、下金屬箔，所述第三單面金屬化薄膜層包括第三薄膜介質(zhì)層和第三薄膜介質(zhì)層外側(cè)蒸鍍的第三金屬化薄膜；

CP線分別為左CP線和右CP線，左CP線連接下金屬箔和第一金屬化薄膜，并引出殼體外，右CP線連接上金屬箔和第三金屬化薄膜，并引出殼體外。

上述方案中，所述第一薄膜介質(zhì)層、第三薄膜介質(zhì)層外側(cè)表面均勻設(shè)有多個(gè)倒“T”型槽，在蒸鍍金屬化薄膜時(shí)，被蒸鍍的金屬蒸汽先進(jìn)入倒“T”型槽，并與薄膜介質(zhì)層表面的金屬化薄膜形成一體結(jié)構(gòu)，保證金屬層不易脫落，附著力強(qiáng)。

上述方案中，所述第一薄膜介質(zhì)層、第二薄膜介質(zhì)層、第三薄膜介質(zhì)層為聚丙烯薄膜層。聚丙烯膜：高頻損耗極低，電容量穩(wěn)定性很高，負(fù)溫度系數(shù)較小，絕緣電阻極高(106M Ω)，介電強(qiáng)度高。

上述方案中，所述上金屬箔、下金屬箔為鋁箔或鋅箔或鋅鋁合金箔。金屬箔耐大電流沖擊、工藝流程短、容量穩(wěn)定性高。

上述方案中，所述第一金屬化薄膜、第三金屬化薄膜為鋁金屬化薄膜或鋅金屬化薄膜或鋅鋁合金金屬化薄膜。金屬化薄膜:有自愈性、體積小。

綜上，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是：

一、金屬箔、金屬化薄膜的復(fù)合式使用，金屬箔做電極，金屬化薄膜做內(nèi)部串聯(lián)，既有金屬箔式電容的大電流特性，又具有金屬化電容的自愈特性；同時(shí)卷繞形成的串聯(lián)結(jié)構(gòu)相當(dāng)于內(nèi)部多個(gè)電容串聯(lián)，可以成倍提高電容器的耐壓。

二、多層極板的設(shè)置，大大提高了電容器容量。

三、左CP線連接上金屬箔和第一金屬化薄膜，右CP線連接下金屬箔和第三金屬化薄膜形成的并聯(lián)結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于內(nèi)部?jī)蓚€(gè)電容并聯(lián)，進(jìn)一步提高了電容器容量。

四、倒“T”型槽的設(shè)置，極大提高了薄膜介質(zhì)層與金屬化薄膜之間的附著力，不要脫落。

五、內(nèi)部通過(guò)引線連接，省去了噴金層工藝的繁雜步驟，且避免了噴金層易脫落的情況。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本新型實(shí)施例2倒“T”型槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中標(biāo)記：1-殼體，2-電容器芯子，21-第一單面金屬化薄膜層，211-第一薄膜介質(zhì)層， 212-第一金屬化薄膜，22-第二雙面金屬化薄膜層，221-第二薄膜介質(zhì)層，222-上金屬箔，223-下金屬箔，23-第三單面金屬化薄膜層，231-第三薄膜介質(zhì)層，232-第三金屬化薄膜， 3-CP線，31-左CP線，32-右CP線。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

一種大容量膜箔復(fù)合式電極電容器，該電容器包括殼體1、電容器芯子2、CP線3構(gòu)成，電容器芯子2為由第一單面金屬化薄膜層21、第二雙面金屬箔薄膜層22、第三單面金屬化薄膜層23三層依次疊加卷繞形成的串聯(lián)芯子；

第一單面金屬化薄膜層21包括第一薄膜介質(zhì)層211和第一薄膜介質(zhì)層211外側(cè)蒸鍍的第一金屬化薄膜212，第二雙面金屬化薄膜層22包括第二薄膜介質(zhì)層221和位于第二薄膜介質(zhì)層221兩側(cè)的上金屬箔222、下金屬箔223，第三單面金屬化薄膜層23包括第三薄膜介質(zhì)層231和第三薄膜介質(zhì)層231外側(cè)蒸鍍的第三金屬化薄膜232；

CP線3分別為左CP線31和右CP線32，左CP線31連接下金屬箔223和第一金屬化薄膜212，并引出殼體1外，右CP線32連接上金屬箔222和第三金屬化薄膜232，并引出殼體1外。

優(yōu)選地，第一薄膜介質(zhì)層211、第三薄膜介質(zhì)層231外側(cè)表面均勻設(shè)有多個(gè)倒“T”型槽。

優(yōu)選地，第一薄膜介質(zhì)層211、第二薄膜介質(zhì)層221、第三薄膜介質(zhì)層231為聚丙烯薄膜層。

優(yōu)選地，上金屬箔222、下金屬箔223為鋁箔或鋅箔或鋅鋁合金箔。

優(yōu)選地，第一金屬化薄膜212、第三金屬化薄膜232為鋁金屬化薄膜或鋅金屬化薄膜或鋅鋁合金金屬化薄膜。

實(shí)施例1

如圖1所示，一種大容量膜箔復(fù)合式電極電容器，該電容器包括殼體1、電容器芯子2、 CP線3構(gòu)成，電容器芯子2為由第一單面金屬化薄膜層21、第二雙面金屬箔薄膜層22、第三單面金屬化薄膜層23三層依次疊加卷繞形成的串聯(lián)芯子；第一單面金屬化薄膜層21包括第一薄膜介質(zhì)層211和第一薄膜介質(zhì)層211外側(cè)蒸鍍的第一金屬化薄膜212，第二雙面金屬化薄膜層22包括第二薄膜介質(zhì)層221和位于第二薄膜介質(zhì)層221兩側(cè)的上金屬箔222、下金屬箔223，第三單面金屬化薄膜層23包括第三薄膜介質(zhì)層231和第三薄膜介質(zhì)層231 外側(cè)蒸鍍的第三金屬化薄膜232；CP線3分別為左CP線31和右CP線32，左CP線31連接下金屬箔223和第一金屬化薄膜212，并引出殼體1外，右CP線32連接上金屬箔222和第三金屬化薄膜232，并引出殼體1外。

金屬箔、金屬化薄膜的復(fù)合式使用，金屬箔做電極，金屬化薄膜做內(nèi)部串聯(lián)，既有金屬箔式電容的大電流特性，又具有金屬化電容的自愈特性；同時(shí)卷繞形成的串聯(lián)結(jié)構(gòu)相當(dāng)于內(nèi)部多個(gè)電容串聯(lián)，可以成倍提高電容器的耐壓；

四層極板的設(shè)置，增大了電容器的有效面積，大大提升了電容器容量；

左CP線連接上金屬箔和第一金屬化薄膜，右CP線連接下金屬箔和第三金屬化薄膜形成的并聯(lián)結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于內(nèi)部?jī)蓚€(gè)電容并聯(lián)：上金屬箔和第一金屬化薄膜形成第一個(gè)電容，下金屬箔和第三金屬化薄膜形成第二個(gè)電容，進(jìn)一步提高了電容器容量；

內(nèi)部通過(guò)引線連接，省去了噴金層工藝的繁雜步驟，且避免了噴金層易脫落的情況。

實(shí)施例2

如圖1所示，一種大容量膜箔復(fù)合式電極電容器，該電容器包括殼體1、電容器芯子2、 CP線3構(gòu)成，電容器芯子2為由第一單面金屬化薄膜層21、第二雙面金屬箔薄膜層22、第三單面金屬化薄膜層23三層依次疊加卷繞形成的串聯(lián)芯子；第一單面金屬化薄膜層21包括第一薄膜介質(zhì)層211和第一薄膜介質(zhì)層211外側(cè)蒸鍍的第一金屬化薄膜212，第二雙面金屬化薄膜層22包括第二薄膜介質(zhì)層221和位于第二薄膜介質(zhì)層221兩側(cè)的上金屬箔222、下金屬箔223，第三單面金屬化薄膜層23包括第三薄膜介質(zhì)層231和第三薄膜介質(zhì)層231 外側(cè)蒸鍍的第三金屬化薄膜232；CP線3分別為左CP線31和右CP線32，左CP線31連接下金屬箔223和第一金屬化薄膜212，并引出殼體1外，右CP線32連接上金屬箔222和第三金屬化薄膜232，并引出殼體1外；第一薄膜介質(zhì)層211、第三薄膜介質(zhì)層231外側(cè)表面均勻設(shè)有多個(gè)倒“T”型槽，倒“T”型槽的設(shè)置，極大提高了薄膜介質(zhì)層與金屬化薄膜之間的附著力，不要脫落。

實(shí)施例3

在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，第一薄膜介質(zhì)層211、第二薄膜介質(zhì)層221、第三薄膜介質(zhì)層231 選用聚丙烯薄膜。

實(shí)施例4

在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，上金屬箔222、下金屬箔223為鋁箔或鋅箔或鋅鋁合金箔任意一種。

實(shí)施例5

在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，第一金屬化薄膜212、第三金屬化薄膜232為鋁金屬化薄膜或鋅金屬化薄膜或鋅鋁合金金屬化薄膜。

以上僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。