本實(shí)用新型涉及一種通信無源器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種補(bǔ)償型3dB電橋。

背景技術(shù)：

作為無源器件的3dB電橋也叫同頻合路器，其作用是將兩個(gè)同頻率的信號耦合，在電路中起到功率分配和改變信號相位的作用，其廣泛應(yīng)用在通信技術(shù)領(lǐng)域，其主要性能包括干擾性、耦合度、隔離度等。

現(xiàn)有的3dB電橋分為腔體式和微帶式，其中腔體式結(jié)構(gòu)的3dB電橋主要包括設(shè)置在腔體內(nèi)的主線導(dǎo)體和副線導(dǎo)體，主線導(dǎo)體和副線導(dǎo)體上下安裝在腔體內(nèi)，中間采用介質(zhì)支撐間隔。傳統(tǒng)3dB寬帶電橋其中一節(jié)導(dǎo)體為強(qiáng)耦合區(qū)域，主線導(dǎo)體與副線導(dǎo)體在強(qiáng)耦合區(qū)域上下完全重疊，其余導(dǎo)體為弱耦合區(qū)域，主線導(dǎo)體與副線導(dǎo)體相互錯(cuò)開，部分重疊或不重疊。為了提高電橋的隔離度，主線導(dǎo)體與副線導(dǎo)體上往往設(shè)置有向兩側(cè)延伸的枝節(jié)，導(dǎo)體上的枝節(jié)靠近腔體，容易發(fā)生大功率打火現(xiàn)象，導(dǎo)致電橋功率容量變小，不能滿足多信號合路通信系統(tǒng)大功率要求，而且?guī)в兄?jié)的導(dǎo)體加工困難，成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種補(bǔ)償型3dB電橋，本實(shí)用新型設(shè)計(jì)巧妙，無需設(shè)置枝節(jié)結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置過渡部實(shí)現(xiàn)電容補(bǔ)償，且結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本較低。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出如下技術(shù)方案：一種補(bǔ)償型3dB電橋，所述3dB電橋包括主線導(dǎo)體和副線導(dǎo)體，所述主線導(dǎo)體包括第一強(qiáng)耦合區(qū)域和設(shè)置在所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域兩側(cè)的第一弱耦合區(qū)域，所述副線導(dǎo)體包括第二強(qiáng)耦合區(qū)域和設(shè)置在所述第二強(qiáng)耦合區(qū)域兩側(cè)的第二弱耦合區(qū)域，所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域和所述第一弱耦合區(qū)域之間形成具有電容補(bǔ)償?shù)牡谝贿^渡部。

優(yōu)選地，所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域和第一弱耦合區(qū)域形成高度差，所述第一過渡部由所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域向所述第一弱耦合區(qū)域過渡延伸形成。

優(yōu)選地，所述第一過渡部朝向所述副線導(dǎo)體的一側(cè)形成第一弧線部，所述第一過渡部遠(yuǎn)離所述副線導(dǎo)體的一側(cè)形成第一斜面。

優(yōu)選地，所述第二強(qiáng)耦合區(qū)域和所述第二弱耦合區(qū)域之間形成具有電容補(bǔ)償?shù)牡诙^渡部。

優(yōu)選地，所述第二強(qiáng)耦合區(qū)域和第二弱耦合區(qū)域形成高度差，所述第二過渡部由所述第二強(qiáng)耦合區(qū)域向所述第二弱耦合區(qū)域過渡延伸形成。

優(yōu)選地，所述第二過渡部朝向所述副線導(dǎo)體的一側(cè)形成第二弧線部，所述第二過渡部遠(yuǎn)離所述副線導(dǎo)體的一側(cè)形成第二斜面。

優(yōu)選地，所述主線導(dǎo)體和所述副線導(dǎo)體完全重疊。

優(yōu)選地，所述主線導(dǎo)體和副線導(dǎo)體分別由銅材制成。

本實(shí)用新型設(shè)計(jì)巧妙，不帶有枝節(jié)的主、副線導(dǎo)體電橋隔離度大于30dB，功率容量大大增強(qiáng)，滿足多信號合路通信系統(tǒng)大功率要求，且結(jié)構(gòu)簡單，減少了生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型3dB電橋結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型中第一過渡部結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：1、主線導(dǎo)體，11、第一強(qiáng)耦合區(qū)域，12、第一弱耦合區(qū)域，13、第一過渡部，131、第一弧線部，132、第一斜面，2、副線導(dǎo)體，21、第二強(qiáng)耦合區(qū)域、22、第二弱耦合區(qū)域，23、第二過渡部。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。

如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型補(bǔ)償型3dB電橋包括主線導(dǎo)體1和副線導(dǎo)體2，所述主線導(dǎo)體1和副線導(dǎo)體2上下間隔設(shè)置，并安裝在3dB電橋腔體（圖中未示出）內(nèi)，所述主線導(dǎo)體1和副線導(dǎo)體2分別包括強(qiáng)耦合區(qū)域和弱耦合區(qū)域，不論在強(qiáng)耦合區(qū)域或弱耦合區(qū)域，3dB寬帶電橋的主線導(dǎo)體與副線導(dǎo)體上下完全重疊，主副導(dǎo)體耦合面積增大，另外在弱耦合區(qū)域向強(qiáng)耦合區(qū)域過渡之間引入異形結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步補(bǔ)償電容，通過對補(bǔ)償電容的修調(diào)，均衡奇偶模相速的差異，提高電橋的隔離度，無需額外枝節(jié)補(bǔ)償。

具體地說，如1所示，所述主線導(dǎo)體1和副線導(dǎo)體2對稱間隔設(shè)置，所述主線導(dǎo)體1包括第一強(qiáng)耦合區(qū)域11和第一弱耦合區(qū)域12，所述第一弱耦合區(qū)域12設(shè)置在所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域11的兩側(cè)，相應(yīng)地，所述副線導(dǎo)體2包括第二強(qiáng)耦合區(qū)域21和第二弱耦合區(qū)域22，所述第二弱耦合區(qū)域22設(shè)置在所述第二強(qiáng)耦合區(qū)域21的兩側(cè)。

結(jié)合圖2所示，所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域11和所述第一弱耦合區(qū)域12之間形成第一過渡部13，所述第一過渡部13由所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域11向所述第一弱耦合區(qū)域12過渡延伸形成，進(jìn)一步地說，所述第一過渡部13由所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域11向所述第一弱耦合區(qū)域12由下向上延伸形成，所述第一過渡部朝向所述副線導(dǎo)體的一側(cè)形成第一弧線部131，所述第一過渡部遠(yuǎn)離所述副線導(dǎo)體的一側(cè)形成第一斜面132，所述第一弱耦合區(qū)域12相對第一強(qiáng)耦合區(qū)域11較窄較厚，所述第一過渡部13靠近所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域11的一端的底部比第一過渡部13靠近所述第一弱耦合區(qū)域12的一端的底部較低（如圖1所示），使得所述第一強(qiáng)耦合區(qū)域11和第一弱耦合區(qū)域12形成高度差，通過對補(bǔ)償電容的修調(diào)，均衡奇偶模相速的差異，提高電橋的隔離度。

結(jié)合圖1所示，所述副線導(dǎo)體2與所述主線導(dǎo)體1為同制產(chǎn)品，且對稱設(shè)置，第二過渡部23與所述第一過渡部13結(jié)構(gòu)完全一致，在此不再詳述。

本實(shí)施例中，所述主線導(dǎo)體1和副線導(dǎo)體2分別優(yōu)選銅材制成，由于結(jié)構(gòu)完全一致，利于生產(chǎn)，作為可選地也可以使用其它金屬材質(zhì)制成。

本實(shí)用新型不僅能滿足各運(yùn)營商相鄰頻段隔離度大于30dB的要求，使通信系統(tǒng)簡單化，增強(qiáng)了通信系統(tǒng)信號抗干擾能力，同時(shí)由于主線導(dǎo)體與副線導(dǎo)體間距增大，無需設(shè)置枝節(jié)，加工精度要求降低，使得電橋便于安裝，產(chǎn)率提高，量產(chǎn)穩(wěn)定，且上下導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)可替換，大大減少了生產(chǎn)成本。

本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特征已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實(shí)用新型的教示及揭示而作種種不背離本實(shí)用新型精神的替換及修飾，因此，本實(shí)用新型保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實(shí)用新型的替換及修飾，并為本專利申請權(quán)利要求所涵蓋。