本實用新型涉及石墨烯技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種石墨烯太陽能電池。
背景技術(shù)：
隨著化石能源的日益枯竭和其使用所帶來的高昂的環(huán)境成本，可再生清潔能源的開發(fā)和利用受到廣泛的關(guān)注。太陽能光伏發(fā)電技術(shù)和產(chǎn)品在全球范圍內(nèi)得到了高速增長，成為最具潛力的清潔能源。而目前的太陽能電池應(yīng)用較多的是鈣鈦礦型太陽能電池，且此種太陽能電池也存在轉(zhuǎn)化率低的缺陷。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種石墨烯太陽能電池，所述石墨烯太陽能電池的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：
一種石墨烯太陽能電池，其特征在于：所述石墨烯電池包括金屬電極層、陰極緩沖層、富勒烯(C60)層、空穴緩沖層、空穴傳輸層、n型摻雜石墨烯負極層、基板，所述金屬導電層為Ag箔層或Ag/Mg箔層，所述陰極緩沖層為浴銅靈(BCP)緩沖層，所述空穴緩沖層為CuPc緩沖層，所述空穴傳輸層為PEDOT:PSS傳輸層，所述n型摻雜石墨烯層為石墨烯/氧化銦錫層，所述基板為石英基板。
優(yōu)選地，所述空穴傳輸層可以是其他PEDOT:PSS傳輸層功能一致的傳輸層。
優(yōu)選地，所述PEDOT:PSS傳輸層的厚度為80-120nm。
進一步優(yōu)選地，所述PEDOT:PSS傳輸層是均價覆蓋在n型摻雜石墨烯負極層上的。
優(yōu)選地，所述n型摻雜石墨烯負極層為石墨烯/氧化銦錫(ITO)摻雜層。
優(yōu)選地，所述CuPc緩沖層厚度為20-30nm。
優(yōu)選地，所述浴銅靈(BCP)陰極緩沖層厚度為9-10nm。
優(yōu)選地，所述富勒烯(C60)層厚度為30-50nm。
優(yōu)選地，金屬電極層的厚度為45-55nm。
本實用新型的石墨烯太陽能電池，利用BCP作為陰極緩沖材料，BCP作為一種寬帶隙材料，它的給體已占有電子能級最高的軌道(HOMO)能級比C60的HOMO能級低，受體未占有電子能級最低的軌道(LUMO)能級比C60的LUMO能級高，這樣可以有效阻擋激子向陰極的擴散以避免載流子復(fù)合，同時BCP還可以保護C60層，避免其在被金屬原子沉積過程中造成損害，還有填充C60層表面的針孔和其他不均勻的缺陷，有利于電池性能的提高和光電轉(zhuǎn)化效率；同時PEDOT:PSS空穴傳輸層不僅有助于平坦化粗糙的ITO表面，而且也有助于空穴注入和提取，也有助于提高光電轉(zhuǎn)化效率。
附圖說明
圖1為本實用新型環(huán)石墨烯太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標記：1-金屬電極層，2-陰極緩沖層，3-富勒烯層，4-空穴緩沖層，5-空穴傳輸層，6-n型摻雜石墨烯負極層，7-基板。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細說明。
一種石墨烯太陽能電池，包括金屬電極層1、陰極緩沖層2、富勒烯(C60)層3、空穴緩沖層4、空穴傳輸層5、n型摻雜石墨烯負極層6、基板7，所述金屬導電層1為Ag箔層或Ag/Mg箔層，所述陰極緩沖層2為浴銅靈(BCP)緩沖層，所述空穴緩沖層4為CuPc緩沖層，所述空穴傳輸層5為PEDOT:PSS傳輸層，所述n型摻雜石墨烯層6為石墨烯/氧化銦錫層，所述基板7為石英基板。
優(yōu)選地，所述空穴傳輸層5可以是其他PEDOT:PSS傳輸層功能一致的傳輸層。
優(yōu)選地，所述PEDOT:PSS傳輸層的厚度為80-120nm。
進一步優(yōu)選地，所述PEDOT:PSS傳輸層是均價覆蓋在n型摻雜石墨烯負極層6上的。
優(yōu)選地，所述n型摻雜石墨烯負極層6為石墨烯/氧化銦錫(ITO)摻雜層。
優(yōu)選地，所述CuPc緩沖層厚度4為20-30nm。
優(yōu)選地，所述浴銅靈(BCP)陰極緩沖層2厚度為9-10nm。
優(yōu)選地，所述富勒烯(C60)層3厚度為30-50nm。
優(yōu)選地，金屬電極層1的厚度為45-55nm。
本實用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特征已揭示如上，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實用新型的教示而作出不背離本實用新型實質(zhì)的替換及修飾，因此，本實用新型保護范圍不限于實施例所揭示的內(nèi)容，也包括各種不背離本實用新型實質(zhì)的替換及修飾。