本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體元器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體管芯基板。

背景技術(shù)：
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目前，半導(dǎo)體管芯在生產(chǎn)時(shí)都是根據(jù)生產(chǎn)管芯的大小，預(yù)先在硅片基板上刻好劃片槽，劃片槽將硅片分隔成多個(gè)大小相同的管芯制造基片。半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中是通過(guò)光刻機(jī)把光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上，由于需要進(jìn)行多次光刻，通常會(huì)在硅片基板上設(shè)置對(duì)位標(biāo)記，在后續(xù)光刻時(shí)光刻版上的對(duì)位標(biāo)記和上次硅片光刻圖形中的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行套準(zhǔn)對(duì)位，以達(dá)到每層光刻圖形均與上層圖形套刻的目的。但是對(duì)位標(biāo)記精度不高，在光刻時(shí)容易出錯(cuò)，而且現(xiàn)有對(duì)位標(biāo)記過(guò)大，導(dǎo)致劃片槽的寬度無(wú)法縮減，不能進(jìn)一步提高硅片基板的利用率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
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本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，提供一種通過(guò)第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記來(lái)代替現(xiàn)有技術(shù)中的大型對(duì)位標(biāo)記，同時(shí)取消了劃片槽內(nèi)的緩沖區(qū)，使劃片槽的寬度能夠得到進(jìn)一步縮減，而且第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記分別設(shè)置在芯管基片四周，能夠提高對(duì)位精度，減少出錯(cuò)幾率的半導(dǎo)體管芯基板。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：

一種半導(dǎo)體管芯基板，包括基板本體，所述基板本體上等間距開(kāi)設(shè)有縱橫交錯(cuò)的劃片槽，所述基板本體上通過(guò)劃片槽分隔形成大小間距相同的矩形狀的管芯基片，所述芯管基片上下兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開(kāi)設(shè)有第一對(duì)位標(biāo)記，所述芯管基片左右兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開(kāi)設(shè)有第二對(duì)位標(biāo)記；所述第一對(duì)位標(biāo)記包括以3行7列形式設(shè)置的第一對(duì)位因子，相鄰2列的所述第一對(duì)位因子之間的距離均相同；所述第二對(duì)位標(biāo)記包括以3列8行形式設(shè)置的第二對(duì)位因子，相鄰2行所述第二對(duì)位因子之間的距離也均相同；所述第一對(duì)位標(biāo)記中中間一列的第一對(duì)位因子上均設(shè)置有第一識(shí)別因子，所述第二對(duì)位標(biāo)記中第一行第二對(duì)位因子和最后一行第二對(duì)位因子上均設(shè)置有第二識(shí)別因子。

所述第一對(duì)位因子和第二對(duì)位因子均為圓柱狀的對(duì)位因子，所述第一識(shí)別因子為三棱柱狀、三棱錐狀或者四棱柱狀的第一識(shí)別因子，所述第二識(shí)別因子也為三棱柱狀、三棱錐狀或者四棱柱狀的第二識(shí)別因子。

所述第一對(duì)位標(biāo)記中第一行第一對(duì)位因子和第二行第一對(duì)位因子之間的距離小于第二行第一對(duì)位因子和第三行第一對(duì)位因子之間的距離。

所述第二對(duì)位標(biāo)記中第一列第二對(duì)位因子和第二列第二對(duì)位因子之間的距離大于第二列第二對(duì)位因子和第三列第二對(duì)位因子之間的距離。

所述橫向的劃片槽和縱向的劃片槽的交錯(cuò)處開(kāi)設(shè)有十字形的切割定位孔。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型的一種半導(dǎo)體管芯基板，芯管基片上下兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開(kāi)設(shè)有第一對(duì)位標(biāo)記，芯管基片左右兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開(kāi)設(shè)有第二對(duì)位標(biāo)記，第一對(duì)位標(biāo)記包括以3行7列形式設(shè)置的第一對(duì)位因子，第二對(duì)位標(biāo)記包括以3列8行形式設(shè)置的第二對(duì)位因子，以小型對(duì)位因子組成的對(duì)位標(biāo)記代替現(xiàn)有技術(shù)中的大型對(duì)位標(biāo)記，能夠不但能夠提高對(duì)位精度，而且能夠縮減劃片槽的寬度，使同樣的硅片基板能夠制造更多的管芯，提高硅片基板的利用率；第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記不同，能夠進(jìn)一步提高對(duì)位精度，減少出錯(cuò)幾率。

附圖說(shuō)明：

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中A處的放大圖；

圖3為圖1中B處的放大圖；

圖4為本實(shí)用新型第一對(duì)位標(biāo)記處的放大剖面圖；

圖5為本實(shí)用新型第二對(duì)位標(biāo)記處的放大剖面圖。

具體實(shí)施方式：

實(shí)施例1

如圖1-5所示的一種半導(dǎo)體管芯基板，包括基板本體1，所述基板本體1上等間距開(kāi)設(shè)有縱橫交錯(cuò)的劃片槽2，所述基板本體1上通過(guò)劃片槽2分隔形成大小間距相同的矩形狀的管芯基片3，所述芯管基片3上下兩側(cè)的劃片槽2內(nèi)均開(kāi)設(shè)有第一對(duì)位標(biāo)記4，所述芯管基片3左右兩側(cè)的劃片槽2內(nèi)均開(kāi)設(shè)有第二對(duì)位標(biāo)記5。與現(xiàn)有的大型對(duì)位標(biāo)記相比，所述第一對(duì)位標(biāo)記4包括以3行7列形式設(shè)置的第一對(duì)位因子41，相鄰2列的所述第一對(duì)位因子41之間的距離均相同。所述第二對(duì)位標(biāo)記5包括以3列8行形式設(shè)置的第二對(duì)位因子51，相鄰2行所述第二對(duì)位因子51之間的距離也均相同。為了進(jìn)一步提高對(duì)位精度，減少對(duì)位識(shí)別時(shí)的出錯(cuò)幾率，所述第一對(duì)位標(biāo)記4中第一行第一對(duì)位因子41和第二行第一對(duì)位因子41之間的距離小于第二行第一對(duì)位因子41和第三行第一對(duì)位因子41之間的距離。所述第二對(duì)位標(biāo)記5中第一列第二對(duì)位因子51和第二列第二對(duì)位因子51之間的距離大于第二列第二對(duì)位因子51和第三列第二對(duì)位因子51之間的距離。

為了進(jìn)一步區(qū)分第一對(duì)位因子41和第二對(duì)位標(biāo)記5，所述第一對(duì)位標(biāo)記4中中間一列的第一對(duì)位因子41上均設(shè)置有第一識(shí)別因子42，所述第二對(duì)位標(biāo)記5中第一行第二對(duì)位因子51和最后一行第二對(duì)位因子51上均設(shè)置有第二識(shí)別因子52，使基板本體在生產(chǎn)過(guò)程中不會(huì)出現(xiàn)倒置的情況。同時(shí)，所述第一對(duì)位因子41和第二對(duì)位因子51均為圓柱狀的對(duì)位因子，所述第一識(shí)別因子42可以為三棱柱狀、三棱錐狀或者四棱柱狀的第一識(shí)別因子，所述第二識(shí)別因子52也可以為三棱柱狀、三棱錐狀或者四棱柱狀的第二識(shí)別因子。第一識(shí)別因子42和第二識(shí)別因子52的形狀可以相同，但是形狀不同時(shí)能夠進(jìn)一步提高對(duì)位時(shí)的識(shí)別效率。

為了便于后續(xù)芯管基片3的分離切割，所述橫向的劃片槽2和縱向的劃片槽2的交錯(cuò)處開(kāi)設(shè)有十字形的切割定位孔21。采用本實(shí)用新型中的對(duì)位標(biāo)記后，劃片槽2的寬度能夠進(jìn)一步縮減為60μm，甚至更小，而現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)位標(biāo)記使劃片槽2的寬度限制在80-100μm，無(wú)法進(jìn)一步提高硅片基板的利用率。

本實(shí)施例的一種半導(dǎo)體管芯基板，芯管基片上下兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開(kāi)設(shè)有第一對(duì)位標(biāo)記，芯管基片左右兩側(cè)的劃片槽內(nèi)均開(kāi)設(shè)有第二對(duì)位標(biāo)記，第一對(duì)位標(biāo)記包括以3行7列形式設(shè)置的第一對(duì)位因子，第二對(duì)位標(biāo)記包括以3列8行形式設(shè)置的第二對(duì)位因子，以小型對(duì)位因子組成的對(duì)位標(biāo)記代替現(xiàn)有技術(shù)中的大型對(duì)位標(biāo)記，能夠不但能夠提高對(duì)位精度，而且能夠縮減劃片槽的寬度，使同樣的硅片基板能夠制造更多的管芯，提高硅片基板的利用率；第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記不同，能夠進(jìn)一步提高對(duì)位精度，減少出錯(cuò)幾率。