1.一種氮化鎵功率器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，各所述電阻結(jié)構(gòu)的電阻值相等；和/或
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，各所述電阻結(jié)構(gòu)是二維電子氣電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述緩沖層包括氮化鎵，所述勢壘層包括鋁鎵氮；所述二維電子氣電阻包括氮化鎵層和所述氮化鎵層上的鋁鎵氮層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，還包括位于所述耐壓區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)，相鄰的所述電阻結(jié)構(gòu)之間以及相鄰的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間形成有所述隔離結(jié)構(gòu)；所述隔離結(jié)構(gòu)包括經(jīng)高能粒子注入處理過的氮化鎵層和鋁鎵氮層，所述高能粒子注入的注入能量不小于20kev，所述經(jīng)高能粒子注入處理過的鋁鎵氮層位于所述經(jīng)高能粒子注入處理過的氮化鎵層上，所述隔離結(jié)構(gòu)的電阻率大于所述二維電子氣電阻的電阻率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，還包括設(shè)于所述勢壘層上的柵極，所述柵極包括設(shè)于所述勢壘層上的p型氮化鎵區(qū)和設(shè)于所述p型氮化鎵區(qū)上的柵電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵功率器件，其特征在于，所述耐壓區(qū)位于所述器件區(qū)的一側(cè)，或所述耐壓區(qū)位于所述器件區(qū)的兩側(cè)，或所述耐壓區(qū)位于所述器件區(qū)的四周。
8.一種氮化鎵功率器件的制備方法，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化鎵功率器件的制備方法，其特征在于，所述在所述緩沖層上形成勢壘層的步驟之后，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氮化鎵功率器件的制備方法，其特征在于，所述光刻和摻雜的步驟之后、所述去除所述耐壓區(qū)的部分未摻雜所述第一雜質(zhì)的所述緩沖層和勢壘層的步驟之前，還包括在所述勢壘層上形成鈍化層的步驟；所述鈍化層將需要形成所述溝槽、源電極、第二漏電極及柵電極的位置露出。