1.一種引線框架材料,其具有導(dǎo)電性基板與形成于前述導(dǎo)電性基板的表面的至少一部分的表面覆膜,
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架材料,其中,前述x為0.10以上且0.50以下且前述y為0.07以上且0.40以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架材料,其中,前述第一最大高度粗糙度rzx及前述第二最大高度粗糙度rzy皆在2.0μm以上且9.0μm以下的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架材料,其中,前述導(dǎo)電性基板由銅、鐵或鋁、或者由包含選自由前述銅、鐵及鋁所組成的群組中的至少一種元素的合金所構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架材料,其中,前述粗糙化層由銅或鎳、或者由包含選自由前述銅及鎳所組成的群組中的至少一種元素的合金所構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架材料,其中,前述粗糙化層為電鍍覆層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架材料,其中,前述表面覆膜進(jìn)一步具有形成于前述粗糙化層表面的至少一層的表面包覆層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架材料,其中,前述表面包覆層具有與前述粗糙化層不同的組成,并且是由至少一層以上的金屬或合金所構(gòu)成的層,而由銅、鎳、鈷、鈀、銠、釕、鉑、銥、金、銀、錫或銦、或者由包含選自由前述銅、鎳、鈷、鈀、銠、釕、鉑、銥、金、銀、錫及銦所組成的群組中的至少一種元素的合金所構(gòu)成。
9.一種引線框架材料的制造方法,其為權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的引線框架材料的制造方法,具有借由電鍍覆形成前述粗糙化層的粗糙化步驟。
10.一種半導(dǎo)體封裝體,其具有引線框架,所述引線框架使用權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的引線框架材料而形成。