1.一種用于半導(dǎo)體裝置的電極的形成方法，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的電極的形成方法，其中，多次依次進(jìn)行所述前體的噴射以及所述低電阻金屬薄膜層的形成。
3.如權(quán)利要求2所述的電極的形成方法，還包括：
4.如權(quán)利要求1所述的電極的形成方法，其中，所述低電阻金屬元素包含鉬(mo)、釕(ru)和銅(cu)中的至少一者。
5.如權(quán)利要求3所述的電極的形成方法，其中，所述第一等離子體由含氫(h)等離子體或含氧(o)等離子體形成。
6.如權(quán)利要求3所述的電極的形成方法，其中，所述第二等離子體由含氫(h)等離子體或含氧(o)等離子體形成。
7.如權(quán)利要求1所述的電極的形成方法，還包括在所述基板上形成氮化鈦(tin)薄膜層，
8.如權(quán)利要求1所述的電極的形成方法，其中，在制備所述基板時(shí)，制備頂面形成有tin薄膜層的基板。
9.一種用于半導(dǎo)體裝置的電極的形成方法，包括：
10.如權(quán)利要求9所述的電極的形成方法，其中，所述第一低電阻金屬元素和所述第二低電阻金屬元素包含鉬(mo)、釕(ru)和銅(cu)中的至少一者。
11.如權(quán)利要求9所述的電極的形成方法，其中，所述第一低電阻金屬元素和所述第二低電阻金屬元素包含相同的金屬元素。
12.如權(quán)利要求9所述的電極的形成方法，其中，所述第一低電阻金屬元素和所述第二低電阻金屬元素中的至少一者包含鉬(mo)、釕(ru)和銅(cu)中的兩個(gè)以上。
13.如權(quán)利要求9所述的電極的形成方法，還包括通過(guò)噴射含鈦(ti)原料并且噴射含氮(n)反應(yīng)物來(lái)形成tin薄膜層，
14.如權(quán)利要求9所述的電極的形成方法，其中，在制備所述基板時(shí)，制備頂面形成有tin薄膜層的基板。
15.一種用于半導(dǎo)體裝置的電極的形成方法，包括：
16.如權(quán)利要求15所述的電極的形成方法，其中，多次依次進(jìn)行所述前體的噴射以及所述低電阻金屬薄膜層的形成。
17.如權(quán)利要求15所述的電極的形成方法，其中，所述低電阻金屬元素包含鉬(mo)、釕(ru)和銅(cu)中的至少一者。
18.一種用于半導(dǎo)體裝置的電極的形成方法，包括：
19.如權(quán)利要求18所述的電極的形成方法，其中，所述釕膜或所述含釕膜的厚度形成為所述含鎢膜的厚度的50％以下。
20.如權(quán)利要求18所述的電極的形成方法，其中，所述釕膜或所述含釕膜形成為至的厚度。
21.如權(quán)利要求18所述的電極的形成方法，其中，通過(guò)原子層沉積方法來(lái)形成所述釕膜或所述含釕膜。
22.如權(quán)利要求18所述的電極的形成方法，其中，所述釕膜或所述含釕膜由含釕有機(jī)原料形成。
23.如權(quán)利要求18所述的電極的形成方法，其中，所述含鎢膜由鹵化鎢氣體形成。
24.如權(quán)利要求18所述的電極的形成方法，其中，所述電極為內(nèi)存裝置的電極、字線、位線、晶體管的電極、氮化鎵(gan)半導(dǎo)體的電極以及砷化鎵(gaas)半導(dǎo)體的電極中的任一者。
25.如權(quán)利要求18所述的電極的形成方法，還包括在形成所述釕膜或所述含釕膜之前，從所述硅膜或含硅膜的表面去除氧化物或雜質(zhì)。
26.一種用于半導(dǎo)體裝置的電極，包括：
27.如權(quán)利要求26所述的用于半導(dǎo)體裝置的電極，其中，所述釕膜或所述含釕膜的厚度形成為所述含鎢膜的厚度的50％以下。
28.如權(quán)利要求26所述的用于半導(dǎo)體裝置的電極，其中，所述釕膜或所述含釕膜形成為至的厚度。
29.如權(quán)利要求26所述的用于半導(dǎo)體裝置的電極，其中，通過(guò)原子層沉積方法來(lái)形成所述釕膜或所述含釕膜。
30.如權(quán)利要求26所述的用于半導(dǎo)體裝置的電極，其中，所述釕膜或所述含釕膜由含釕有機(jī)原料形成。
31.如權(quán)利要求26所述的用于半導(dǎo)體裝置的電極，其中，所述含鎢膜由鹵化鎢氣體形成。
32.如權(quán)利要求26所述的用于半導(dǎo)體裝置的電極，其中，所述電極為內(nèi)存裝置的電極、字線、位線以及晶體管的電極中的任一者。