本公開(kāi)涉及一種薄膜晶體管和包括該薄膜晶體管的晶體管陣列基底。

背景技術(shù)：

1、隨著信息社會(huì)發(fā)展，對(duì)用于顯示圖像的顯示裝置的需求已經(jīng)增大并且多樣化。例如，顯示裝置已經(jīng)應(yīng)用于各種電子裝置，諸如智能電話、數(shù)碼相機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、導(dǎo)航裝置和智能電視。

2、顯示裝置可以包括發(fā)射用于顯示圖像的光的顯示面板以及供應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)顯示面板的信號(hào)或電力的驅(qū)動(dòng)器。

3、顯示面板可以包括其中發(fā)射用于顯示圖像的光的顯示區(qū)域，并且可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域中的偏振構(gòu)件或發(fā)光構(gòu)件。

4、發(fā)射每種亮度和顏色的光的子像素可以布置在顯示區(qū)域中。

5、此外，顯示面板可以包括包含基底和電路層的晶體管陣列基底，電路層包含設(shè)置在基底上的像素驅(qū)動(dòng)單元并且每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)于子像素。利用這種晶體管陣列基底，可以從顯示區(qū)域的子像素發(fā)射每種亮度和顏色的光。

6、晶體管陣列基底的像素驅(qū)動(dòng)單元中的每個(gè)可以包括至少一個(gè)薄膜晶體管。

7、薄膜晶體管包括柵電極、第一電極、第二電極和半導(dǎo)體層。這種薄膜晶體管可以是其中當(dāng)柵電極與第一電極之間的電壓差通過(guò)傳輸?shù)綎烹姌O的驅(qū)動(dòng)信號(hào)變?yōu)殚撝祷蚋髸r(shí)，電流流過(guò)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)的開(kāi)關(guān)元件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一方面，當(dāng)制造包括薄膜晶體管的晶體管陣列基底時(shí)，隨著掩模工藝的數(shù)量增大，會(huì)增加制造成本并且會(huì)降低產(chǎn)量。

2、然而，當(dāng)掩模工藝的數(shù)量減小時(shí)，不能通過(guò)相應(yīng)的掩模工藝來(lái)設(shè)置薄膜晶體管的組件，因此，工藝誤差增加，從而會(huì)使薄膜晶體管的電流特性的可靠性和均一性劣化。

3、本公開(kāi)的方面提供了一種能夠防止由于相對(duì)少數(shù)量的掩模工藝而導(dǎo)致電流特性的可靠性和均一性劣化的薄膜晶體管以及包括該薄膜晶體管的晶體管陣列基底。

4、根據(jù)本公開(kāi)的方面，提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：基底；半導(dǎo)體層，設(shè)置在基底上并且包括溝道區(qū)、連接到溝道區(qū)的一側(cè)的第一導(dǎo)電區(qū)域和連接到溝道區(qū)的另一側(cè)的第二導(dǎo)電區(qū)域；柵極絕緣層，覆蓋半導(dǎo)體層中除第一導(dǎo)電區(qū)域和第二導(dǎo)電區(qū)域之外的區(qū)域；柵電極，設(shè)置在柵極絕緣層上并在平面圖中與溝道區(qū)疊置；以及第一電極，在溝道區(qū)的一側(cè)設(shè)置在柵極絕緣層上并與第一導(dǎo)電區(qū)域的一部分接觸。第一電極的面對(duì)柵電極的第一邊緣在平面圖中與柵極絕緣層的第一邊緣傾斜地相交。

5、柵電極和第一電極在第一方向上彼此面對(duì)。第一電極的第一邊緣在垂直于第一方向的第二方向上延伸。柵極絕緣層的第一邊緣在平面圖中相對(duì)于第一方向和第二方向傾斜地延伸。

6、第一電極的設(shè)置在柵極絕緣層的側(cè)壁上的邊緣的長(zhǎng)度大于柵極絕緣層的厚度。

7、薄膜晶體管還包括在溝道區(qū)的另一側(cè)設(shè)置在柵極絕緣層上并與第二導(dǎo)電區(qū)域的一部分接觸的第二電極。第二電極的面對(duì)柵電極的第二邊緣在平面圖中與柵極絕緣層的第二邊緣傾斜地相交。

8、柵電極和第二電極在第一方向上彼此面對(duì)。第二電極的第二邊緣在第二方向上延伸。柵極絕緣層的第二邊緣在平面圖中相對(duì)于第一方向和第二方向傾斜地延伸。

9、薄膜晶體管還包括穿過(guò)第一導(dǎo)電區(qū)域的一部分形成的第一通孔。第一通孔設(shè)置在柵電極與第一電極之間并且與第一電極相鄰設(shè)置。第一導(dǎo)電區(qū)域包括：第一接觸區(qū)域，與第一電極接觸；第一通道區(qū)域，設(shè)置在第一接觸區(qū)域與第一通孔之間；以及第一主區(qū)域，設(shè)置在第一通孔與溝道區(qū)之間。

10、薄膜晶體管還包括穿過(guò)第二導(dǎo)電區(qū)域的一部分形成的第二通孔。第二通孔在第一方向上設(shè)置在柵電極與第二電極之間并且與第二電極相鄰設(shè)置。第二導(dǎo)電區(qū)域包括：第二接觸區(qū)域，與第二電極接觸；第二通道區(qū)域，設(shè)置在第二接觸區(qū)域與第二通孔之間；以及第二主區(qū)域，設(shè)置在第二通孔與溝道區(qū)之間。

11、半導(dǎo)體層還包括：第一非有源區(qū)域，連接到第一接觸區(qū)域、被柵極絕緣層覆蓋并且與第一電極疊置；以及第二非有源區(qū)域，連接到第二接觸區(qū)域、被柵極絕緣層覆蓋并且與第二電極疊置。

12、根據(jù)本公開(kāi)的方面，提供了一種晶體管陣列基底，晶體管陣列基底包括：基底，包括其中布置有子像素的顯示區(qū)域；電路層，設(shè)置在基底上；以及發(fā)光元件層，設(shè)置在電路層上并且包括分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)于子像素的區(qū)域中的發(fā)光元件。電路層包括分別電連接到發(fā)光元件的像素驅(qū)動(dòng)單元。像素驅(qū)動(dòng)單元中的每個(gè)包括至少一個(gè)薄膜晶體管。電路層的至少一個(gè)薄膜晶體管包括：半導(dǎo)體層，設(shè)置在基底上并且包括溝道區(qū)、連接到溝道區(qū)的一側(cè)的第一導(dǎo)電區(qū)域和連接到溝道區(qū)的另一側(cè)的第二導(dǎo)電區(qū)域；柵極絕緣層，覆蓋半導(dǎo)體層中的除第一導(dǎo)電區(qū)域和第二導(dǎo)電區(qū)域之外的區(qū)域；柵電極，設(shè)置在柵極絕緣層上并在平面圖中與溝道區(qū)疊置；以及第一電極，在溝道區(qū)的一側(cè)設(shè)置在柵極絕緣層上并與第一導(dǎo)電區(qū)域的一部分接觸。第一電極的面對(duì)柵電極的第一邊緣在平面圖中與柵極絕緣層的第一邊緣傾斜地相交。

13、柵電極和第一電極在第一方向上彼此面對(duì)。第一電極的第一邊緣在垂直于第一方向的第二方向上延伸。柵極絕緣層的第一邊緣在平面圖中相對(duì)于第一方向和第二方向傾斜地延伸。

14、第一電極的設(shè)置在柵極絕緣層的側(cè)壁上的邊緣的長(zhǎng)度大于柵極絕緣層的厚度。

15、至少一個(gè)薄膜晶體管還包括在溝道區(qū)的另一側(cè)設(shè)置在柵極絕緣層上并與第二導(dǎo)電區(qū)域的一部分接觸的第二電極。第二電極的面對(duì)柵電極的第二邊緣在平面圖中與柵極絕緣層的第二邊緣傾斜地相交。

16、柵電極和第二電極在第一方向上彼此面對(duì)。第二電極的第二邊緣在第二方向上延伸。柵極絕緣層的第二邊緣在平面圖中相對(duì)于第一方向和第二方向傾斜地延伸。

17、至少一個(gè)薄膜晶體管還包括穿過(guò)第一導(dǎo)電區(qū)域的一部分形成的第一通孔以及穿過(guò)第二導(dǎo)電區(qū)域的一部分形成的第二通孔。第一通孔設(shè)置在柵電極與第一電極之間。第二通孔設(shè)置在柵電極與第二電極之間。第一導(dǎo)電區(qū)域包括：第一接觸區(qū)域，與第一電極接觸；第一通道區(qū)域，設(shè)置在第一接觸區(qū)域與第一通孔之間；以及第一主區(qū)域，設(shè)置在第一通孔與溝道區(qū)之間。第二導(dǎo)電區(qū)域包括：第二接觸區(qū)域，與第二電極接觸；第二通道區(qū)域，設(shè)置在第二接觸區(qū)域與第二通孔之間；以及第二主區(qū)域，設(shè)置在第二通孔與溝道區(qū)之間。

18、電路層還包括：擋光電極，設(shè)置在基底與半導(dǎo)體層之間以在平面圖中與半導(dǎo)體層疊置；緩沖層，設(shè)置在擋光電極與半導(dǎo)體層之間以在平面圖中覆蓋擋光電極；層間絕緣層，設(shè)置在緩沖層上并且覆蓋至少一個(gè)薄膜晶體管；以及過(guò)孔層，設(shè)置在層間絕緣層上。層間絕緣層穿過(guò)第一通孔和第二通孔中的每個(gè)與緩沖層接觸。

19、根據(jù)實(shí)施例的薄膜晶體管包括設(shè)置在基底上的半導(dǎo)體層、覆蓋半導(dǎo)體層的一部分的柵極絕緣層以及設(shè)置在柵極絕緣層上的柵電極和第一電極。半導(dǎo)體層包括溝道區(qū)、連接到溝道區(qū)的一側(cè)的第一導(dǎo)電區(qū)域和連接到溝道區(qū)的另一側(cè)的第二導(dǎo)電區(qū)域。柵極絕緣層覆蓋半導(dǎo)體層中的除第一導(dǎo)電區(qū)域和第二導(dǎo)電區(qū)域之外的區(qū)域。柵電極與半導(dǎo)體層的溝道區(qū)疊置。第一電極延伸到半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電區(qū)域并且與第一導(dǎo)電區(qū)域的一部分接觸。

20、如上所述，根據(jù)實(shí)施例，第一電極與柵電極一樣設(shè)置在柵極絕緣層上，因此，可以通過(guò)同一掩模工藝來(lái)設(shè)置第一電極和柵電極。因此，可以減少用于制造薄膜晶體管的掩模工藝的數(shù)量。

21、同時(shí)，在用于設(shè)置第一電極和柵電極的蝕刻工藝、用于設(shè)置柵極絕緣層的蝕刻工藝等中，蝕刻劑會(huì)沿著第一電極的邊緣流動(dòng)并且被引入到第一導(dǎo)電區(qū)域、第一電極和柵極絕緣層之間的接觸點(diǎn)中，而對(duì)第一導(dǎo)電區(qū)域具有影響。因此，容易發(fā)生被第一電極覆蓋的第一導(dǎo)電區(qū)域的一部分由于蝕刻劑而損失的工藝誤差，使得薄膜晶體管的特性會(huì)劣化。此外，蝕刻劑對(duì)第一導(dǎo)電區(qū)域的影響對(duì)于每個(gè)薄膜晶體管不同，因此薄膜晶體管的特性的均一性會(huì)劣化。

22、因此，根據(jù)實(shí)施例，第一電極的面對(duì)柵電極的一側(cè)與柵極絕緣層的邊緣以銳角和鈍角中的一種相交。

23、也就是說(shuō)，柵電極和第一電極可以在第一方向上彼此面對(duì)，并且第一電極的一側(cè)可以在垂直于第一方向的第二方向上延伸。在這種情況下，柵極絕緣層的設(shè)置在第一電極下方的部分的邊緣可以包括在與第一方向和第二方向傾斜的方向上延伸并與第一電極的一側(cè)相交的傾斜部分。

24、如上所述，第一電極的一側(cè)與柵極絕緣層的傾斜部分傾斜地相交，因此，柵電極的連接到傾斜部分的一側(cè)與第一電極的一側(cè)彼此接觸的角部可以相對(duì)于第一方向和第二方向傾斜地延伸。因此，柵極絕緣層的連接到傾斜部分的一側(cè)與第一電極的一側(cè)彼此接觸的角部的長(zhǎng)度可以大于柵極絕緣層的厚度。

25、因此，隨著柵極絕緣層的連接到傾斜部分的一側(cè)與第一電極的一側(cè)彼此接觸的角部的長(zhǎng)度增加，沿著第一電極的邊緣引入到第一導(dǎo)電區(qū)域、第一電極和柵極絕緣層之間的接觸點(diǎn)中的蝕刻劑的濃度可以變低。即，可以降低蝕刻劑對(duì)第一導(dǎo)電區(qū)域的影響，因此可以減小第一導(dǎo)電區(qū)域損失的工藝誤差。因此，可以降低由于第一導(dǎo)電區(qū)域的損失而導(dǎo)致的薄膜晶體管的特性的劣化，也可以降低薄膜晶體管的特性的均一性的劣化。

26、此外，根據(jù)實(shí)施例的晶體管陣列基底包括具有相對(duì)均一的電流特性的薄膜晶體管，因此，可以降低由于針對(duì)每個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電流的差異而導(dǎo)致的亮度差異。因此，可以改善包括晶體管陣列基底的顯示裝置的顯示質(zhì)量。

27、本公開(kāi)的效果不限于以上提及的效果，并且各種其它效果包含在本說(shuō)明書(shū)中。