技術(shù)特征：

1.一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層的制備方法，其特征在于，包括如下的步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層的制備方法，其特征在于：所述納米片溶液包括mos2納米片水溶液和bp納米片水溶液中任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層的制備方法，其特征在于：所述納米片溶液的質(zhì)量濃度為0.2-1.0mg/ml。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層的制備方法，其特征在于：步驟(1)中納米片溶液與無水乙醇的體積比為1：(20-500)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層的制備方法，其特征在于：所述表面活性劑包括十六烷基三甲基溴化銨、十四烷基三甲基溴化銨和十二烷基三甲基溴化銨中任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述sn前驅(qū)體包括sncl4·5h2o、sncl2·2h2o中任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述sn前驅(qū)體、堿性劑和膠體懸浮液的質(zhì)量比為10：(1-5)：4。

8.一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層，其特征在于：采用權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制得。

9.一種碲化鎘太陽能電池，其特征在于：采用權(quán)利要求8所述的二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層作為mgxzn1-xo(mzo)/cdte太陽能電池mzo/cdte界面的鈍化層，所述太陽能電池的器件結(jié)構(gòu)為：ito/mzo/sno2/cdte/znte：cu/au。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種碲化鎘太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下的步驟：

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及太陽能電池的領(lǐng)域，具體公開了一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層及其制備方法。一種二維納米片修飾的二氧化錫鈍化層的制備方法包括：(1)將納米片溶液分散在無水乙醇中，加入表面活性劑后，進(jìn)行超聲處理得到膠體懸浮液；(2)將Sn前驅(qū)體和堿性劑分散于膠體懸浮液中，攪拌后得到混合物；(3)對混合物進(jìn)行保溫反應(yīng)后進(jìn)行過濾、洗滌、干燥后得到修飾SnO<subgt;2</subgt;粉末，將修飾SnO<subgt;2</subgt;粉末分散于溶劑中，得到二維納米片修飾的SnO<subgt;2</subgt;溶液；(4)將二維納米片修飾的SnO<subgt;2</subgt;溶液涂覆固化得到鈍化層。本申請的二氧化錫鈍化層可作為碲化鎘太陽能電池的界面鈍化使用，其能夠有效提高碲化鎘太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：丁曄,劉宇航
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中茂綠能科技（西安）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9