1.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述腔室抽氣通道(41)通過所述抽氣管道(29)與所述第一氣道(23)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備還包括供氣通道(51)，所述供氣通道(51)與所述第一氣道(23)相連，所述供氣通道(51)配置為與冷卻氣氣源(54)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，吸附電源具有多個(gè)，每個(gè)吸附電源獨(dú)立地電連接至少一個(gè)吸附電極；連接不同的吸附電源的吸附電極與承載盤的中心具有不同的距離。
6.一種防止聚焦環(huán)偏移的控制方法，其特征在于，應(yīng)用于權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，所述控制方法包括：抽氣吸附步和庫侖力吸附步；
7.一種防止聚焦環(huán)偏移的控制方法，其特征在于，應(yīng)用于權(quán)利要求3的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，所述控制方法包括：抽氣吸附步和庫侖力吸附步；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述庫侖力吸附步還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于，所述吸附抽氣壓力閾值范圍為：0.1torr～0.3torr；
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的控制方法，其特征在于，所述抽氣吸附步還包括：若所述腔室(31)處于開腔狀態(tài)，則提示放置壓緊工裝(60)，以將所述壓緊工裝(60)置于所述聚焦環(huán)(14)的上端面；
11.根據(jù)權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于，所述聚焦環(huán)(14)抽氣吸附到位之前，所述抽氣吸附步中，還包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于，所述庫侖力吸附步中，若所述吸附電源的工作參數(shù)達(dá)到設(shè)定值，控制所述供氣通道(51)開通，包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的控制方法，其特征在于，所述第一時(shí)長范圍為：1s～10s；
14.根據(jù)權(quán)利要求7-9和13中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于，所述庫侖力吸附步中，所述控制所述供氣通道(51)開通之后，還包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求7-9和13中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，所述吸附電源具有多個(gè)，每個(gè)吸附電源獨(dú)立地電連接至少一個(gè)所述吸附電極；各個(gè)所述吸附電極間隔設(shè)置于所述第二承載部(22)；所述控制方法還包括庫侖力吸附調(diào)整步；
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的控制方法，其特征在于，所述更改所述吸附電源的工作參數(shù)，包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16的控制方法，其特征在于，更改吸附電源的工作參數(shù)還包括控制各所述吸附電源的極性非同步地更改。
18.一種控制裝置，包括存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序以實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求6-17中任一項(xiàng)所述控制方法的步驟。
19.一種可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，該計(jì)算機(jī)程序/指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求6-17中任一項(xiàng)所述控制方法的步驟。
20.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求6-17中任一項(xiàng)所述控制方法的步驟。