技術(shù)特征：

1.一種硅集成芯片器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅集成芯片器件，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅集成芯片器件，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅集成芯片器件，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅集成芯片器件，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅集成芯片器件，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅集成芯片器件，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅集成芯片器件，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅集成芯片器件，其特征在于，

10.一種硅集成芯片器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種硅集成芯片器件及其制備方法。器件包括：若干集成單元，任一集成單元包括：背面電極，背面電極為集電區(qū)；襯底層，位于背面電極一側(cè)的表面，襯底層至少包括漂移區(qū)；IGBT模塊區(qū)、SBD模塊區(qū)和FRD模塊區(qū)；其中，SBD模塊區(qū)位于IGBT模塊區(qū)和FRD模塊區(qū)之間；IGBT模塊區(qū)、SBD模塊區(qū)和FRD模塊區(qū)之間無(wú)間隔緊密排布；正面電極，正面電極覆蓋IGBT模塊區(qū)背向襯底層一側(cè)表面、SBD模塊區(qū)背向襯底層一側(cè)表面和FRD模塊區(qū)背向襯底層一側(cè)表面，同時(shí)作為IGBT模塊、SBD模塊和FRD模塊的電極。本發(fā)明提供的硅集成芯片器件能有效提高器件的反向耐壓性能，縮短器件的開(kāi)關(guān)時(shí)延，同時(shí)提高芯片面積利用率，使得硅集成芯片器件具有高耐壓、低正向阻抗以及開(kāi)關(guān)時(shí)延短的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：史仁先,蔣正勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州德信芯片科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10