1.一種用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)，其特征在于：該系統(tǒng)包括系統(tǒng)容器，所述的系統(tǒng)容器上設(shè)置有多個鰭片，所述的多個鰭片形成第一容置腔和第二容置腔，所述的第二容置腔上形成有第三容置腔；所述的第一容置腔和第二容置腔內(nèi)設(shè)置有相變材料，所述的第三容置腔內(nèi)設(shè)置有金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管四周側(cè)壁和底面被所述的第三容置腔包覆。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)，其特征在于：所述的系統(tǒng)容器的橫截面為正方形、長方形或者圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)，其特征在于：所述的橫截面為正方形、長方形或者圓形的系統(tǒng)容器的體積基本相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)，其特征在于：所述的系統(tǒng)容器的橫截面為長方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)，其特征在于：所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管與所述的相變材料之間不直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)，其特征在于：所述的第二容置腔和第三容置腔上下對正設(shè)置，所述的第二容置腔和第三容置腔之間設(shè)置有銅片，所述的銅片位于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的底部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)，其特征在于：所述的第一容置腔環(huán)繞所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的周向，所述的第二容置腔位于所述的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)，其特征在于：所述的系統(tǒng)容器的材料為cu、al或者ag中的一種；所述的相變材料的類型為rt69hc、rt70hc、rt80hc、rt82中的一種。
9.一種根據(jù)權(quán)利要求1-8任一權(quán)利要求所述的用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)的模擬測試方法，其特征在于：具體的步驟包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管熱管理的相變傳熱系統(tǒng)的模擬測試方法，其特征在于：所述的步驟(3)中涉及的壓力、密度、體力、動量、液相分?jǐn)?shù)和能量的松弛因子分別設(shè)置為0.3、1、1、0.7、0.9和1；對于收斂準(zhǔn)則，能量殘差設(shè)置為10-6，而其他所有殘差都設(shè)置為10-4作為達(dá)到滿意解的閾值。