技術(shù)特征：

1.一種雙注入雪崩晶體管，包括由下至上依次設(shè)置的集電區(qū)電極(9)、集電區(qū)n+襯底層(1)、集電區(qū)n0外延層(3)，以及p型基區(qū)層(4)、n+發(fā)射區(qū)層(5)、環(huán)狀的基區(qū)電極(7)、板狀的發(fā)射區(qū)電極(8)；所述集電區(qū)n0外延層(3)的頂部中間位置處設(shè)有第一凹腔，所述p型基區(qū)層(4)為帶有第二凹腔的板層結(jié)構(gòu)，p型基區(qū)層(4)設(shè)置在所述第一凹腔內(nèi)；所述n+發(fā)射區(qū)層(5)設(shè)置在所述第二凹腔內(nèi)，n+發(fā)射區(qū)層(5)和p型基區(qū)層(4)的頂部均與集電區(qū)n0外延層(3)的頂部平齊；所述基區(qū)電極(7)設(shè)置在p型基區(qū)層(4)的頂部；所述發(fā)射區(qū)電極(8)設(shè)置在n+發(fā)射區(qū)層(5)的頂部；其特征在于：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙注入雪崩晶體管，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙注入雪崩晶體管，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的雙注入雪崩晶體管，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙注入雪崩晶體管，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙注入雪崩晶體管，其特征在于：

7.一種權(quán)利要求1-6任一所述的雙注入雪崩晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙注入雪崩晶體管的制備方法，其特征在于，步驟2中還包括制備n+外延層(10)的步驟；

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙注入雪崩晶體管的制備方法，其特征在于，步驟1具體為：

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的雙注入雪崩晶體管的制備方法，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了雙注入雪崩晶體管及其制備方法，能解決現(xiàn)有雪崩晶體管因需維持高場強碰撞電離區(qū)，導(dǎo)致其導(dǎo)通壓降和損耗較高，及重頻運行下導(dǎo)通損耗造成的溫升會影響其性能的問題。該晶體管包括集電區(qū)n<supgt;+</supgt;襯底層、集電區(qū)n0外延層、p型基區(qū)層、n<supgt;+</supgt;發(fā)射區(qū)層、多個p<supgt;+</supgt;場環(huán)，及設(shè)在集電區(qū)n<supgt;+</supgt;襯底層與集電區(qū)n0外延層之間的集電區(qū)p<supgt;+</supgt;注入層，集電區(qū)n0外延層頂部設(shè)有多個第一環(huán)槽，p<supgt;+</supgt;場環(huán)設(shè)在第一環(huán)槽內(nèi)，其頂部與集電區(qū)n0外延層頂部平齊。集電區(qū)p<supgt;+</supgt;注入層的p<supgt;+</supgt;摻雜濃度大于集電區(qū)n<supgt;+</supgt;襯底層的n<supgt;+</supgt;摻雜濃度，n<supgt;+</supgt;發(fā)射區(qū)層的n<supgt;+</supgt;摻雜濃度大于p型基區(qū)層的p型摻雜濃度，n<supgt;+</supgt;發(fā)射區(qū)層的n<supgt;+</supgt;摻雜濃度和p<supgt;+</supgt;場環(huán)的p<supgt;+</supgt;摻雜濃度均與集電區(qū)n<supgt;+</supgt;襯底層的n<supgt;+</supgt;摻雜濃度為同一數(shù)量級。

技術(shù)研發(fā)人員：喬漢青,胡龍,王翔宇,王歡,方旭,屈拓?fù)?安鏡軒,李騰飛,謝佳玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西北核技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10