本公開(kāi)的各種實(shí)施例涉及一種發(fā)光元件，更具體地，涉及一種超小型發(fā)光元件、制造該發(fā)光元件的方法和包括該發(fā)光元件的顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管(led)即使在惡劣的環(huán)境條件下也可以具有相對(duì)令人滿意的耐久性，并且在壽命和亮度方面具有優(yōu)異的性能。最近，對(duì)將這種led應(yīng)用于各種顯示裝置的技術(shù)的研究已經(jīng)變得明顯更加積極。

2、作為這種研究的一部分，正在開(kāi)發(fā)使用無(wú)機(jī)晶體結(jié)構(gòu)(例如，通過(guò)生長(zhǎng)氮化物基半導(dǎo)體獲得的結(jié)構(gòu))涉及制造具有與微米級(jí)或納米級(jí)對(duì)應(yīng)的非常小的尺寸的led的技術(shù)。

3、led可以以足夠小的尺寸制造以形成顯示面板的像素等。在led在基底上獨(dú)立生長(zhǎng)之后，生長(zhǎng)的led可以被分離并用于制造顯示面板。絕緣膜形成在led的外周上。在形成絕緣膜的過(guò)程中，led可能被損壞，從而導(dǎo)致led的故障。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、技術(shù)問(wèn)題

2、本公開(kāi)的方面是提供一種在制造發(fā)光元件時(shí)可以使故障的發(fā)生最小化的制造發(fā)光元件的方法。

3、此外，本公開(kāi)的另一方面是提供一種確保第一半導(dǎo)體層(或第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層)的接觸面積的發(fā)光元件，從而提高與電極的接觸率。

4、此外，本公開(kāi)的另一方面是提供一種具有上述發(fā)光元件的顯示裝置。

5、技術(shù)方案

6、根據(jù)本公開(kāi)的方面，發(fā)光元件可以包括：第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；活性層，設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的表面上；第二半導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層)，設(shè)置在活性層上；絕緣膜，包圍第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、活性層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中的每個(gè)的外周；以及電極層，設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括被絕緣膜覆蓋的第一區(qū)域和未被絕緣膜覆蓋的第二區(qū)域。

7、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第一區(qū)域中的外周的周長(zhǎng)和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第二區(qū)域中的外周的周長(zhǎng)可以彼此不同。

8、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、活性層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和電極層可以順序地堆疊，以形成發(fā)射堆疊圖案。絕緣膜可以包括與發(fā)射堆疊圖案的表面接觸的內(nèi)側(cè)表面和與內(nèi)側(cè)表面相對(duì)且不與發(fā)射堆疊圖案的表面接觸的外側(cè)表面。這里，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第一區(qū)域中的外周可以與絕緣膜的內(nèi)側(cè)表面重合，并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第二區(qū)域中的外周可以與絕緣膜的外側(cè)表面重合。

9、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第二區(qū)域中的外周的周長(zhǎng)可以比第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第一區(qū)域中的外周的周長(zhǎng)大。

10、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層相對(duì)的第一表面且不接觸活性層的第二表面可以從絕緣膜的下端向下突出，以暴露于外部。絕緣膜的下端可以比第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二表面靠近活性層。

11、絕緣膜的與下端相對(duì)的上端可以與電極層的其上未設(shè)置有第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一表面位于同一表面上。

12、絕緣膜的與下端相對(duì)的上端可以從電極層的其上未設(shè)置有第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一表面向上突出。電極層的第一表面可以比絕緣膜的上端靠近活性層。

13、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括至少一個(gè)n型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括至少一個(gè)p型半導(dǎo)體層。

14、電極層可以包括設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一電極層和設(shè)置在第一電極層上的第二電極層。第一電極層和第二電極層可以包括不同的材料。

15、第一電極層可以包括透明金屬氧化物，并且第二電極層可以包括鉻(cr)、鋁(al)、鈦(ti)和鎳(ni)中的任何一種。

16、第一電極層可以包括其中擴(kuò)散有be的歐姆層，并且第二電極層可以包括透明金屬氧化物。

17、活性層可以被構(gòu)造為發(fā)射具有400nm至900nm的波長(zhǎng)的光，并且可以包括gainp、algainp、gaas、algaas、inp和inas中的至少一種。

18、一種制造發(fā)光元件的方法可以包括：提供基底；在基底上形成犧牲層；在犧牲層上形成發(fā)射堆疊件，通過(guò)順序地堆疊第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、活性層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和電極層形成發(fā)射堆疊件；通過(guò)將發(fā)射堆疊件豎直地蝕刻為具有與微米級(jí)或納米級(jí)對(duì)應(yīng)的尺寸，并且使第一導(dǎo)電半導(dǎo)體的一區(qū)域暴露于外部來(lái)形成發(fā)射堆疊圖案；在發(fā)射堆疊圖案的表面和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的暴露于外部的所述一區(qū)域上形成絕緣材料層，然后豎直地蝕刻絕緣材料層，從而形成包圍發(fā)射堆疊圖案的表面的絕緣膜；以及將被絕緣膜包圍的發(fā)射堆疊圖案與基底分離，從而形成至少一個(gè)發(fā)光元件。在形成絕緣膜時(shí)，可以蝕刻犧牲層的一部分，使得第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的外周的一部分暴露。

19、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括被絕緣膜覆蓋的第一區(qū)域和未被絕緣膜覆蓋的第二區(qū)域。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第一區(qū)域中的外周的周長(zhǎng)和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第二區(qū)域中的外周的周長(zhǎng)可以彼此不同。

20、絕緣膜可以包括與發(fā)射堆疊圖案的表面接觸的內(nèi)側(cè)表面和與內(nèi)側(cè)表面相對(duì)且不與發(fā)射堆疊圖案的表面接觸的外側(cè)表面。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第一區(qū)域中的外周可以與絕緣膜的內(nèi)側(cè)表面重合，并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第二區(qū)域中的外周可以與絕緣膜的外側(cè)表面重合。

21、形成發(fā)射堆疊件可以包括：在犧牲層上形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成活性層；在活性層上形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成電極層。

22、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括至少一個(gè)n型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括至少一個(gè)p型半導(dǎo)體層。

23、形成電極層可以包括：在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成第一電極層；以及在第一電極層上形成第二電極層，第二電極層包含與第一電極層的材料不同的材料。

24、所述方法還可以包括在使發(fā)射堆疊圖案與基底分離以形成至少一個(gè)發(fā)光元件之后，蝕刻第二電極層以使第一電極層的表面暴露。

25、活性層可以發(fā)射具有400nm至900nm的波長(zhǎng)的光，并且可以包括gainp、algainp、gaas、algaas、inp和inas中的至少一種。

26、顯示裝置可以包括：基底，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；以及多個(gè)像素，設(shè)置在基底的顯示區(qū)域中，并且分別包括多個(gè)子像素。子像素中的每個(gè)可以包括像素電路層和顯示元件層，像素電路層包括至少一個(gè)晶體管，顯示元件層包括發(fā)射光的單位發(fā)射區(qū)域。

27、顯示元件層可以包括：至少一個(gè)發(fā)光元件，設(shè)置在基底上并且發(fā)射光；第一電極和第二電極，彼此分開(kāi)預(yù)定距離，且發(fā)光元件置于它們之間；第一接觸電極，使第一電極與發(fā)光元件的第一端電結(jié)合；第二接觸電極，使第二電極與發(fā)光元件的第二端電結(jié)合。

28、發(fā)光元件可以包括：第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；活性層，設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的表面上；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，設(shè)置在活性層上；絕緣膜，被構(gòu)造為包圍第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、活性層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中的每個(gè)的外周；以及電極層，設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上。

29、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括被絕緣膜覆蓋的第一區(qū)域和未被絕緣膜覆蓋的第二區(qū)域。

30、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第一區(qū)域中的外周的周長(zhǎng)和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的在第二區(qū)域中的外周的周長(zhǎng)可以彼此不同。

31、有益效果

32、本公開(kāi)的實(shí)施例可以提供一種發(fā)光元件和制造該發(fā)光元件的方法，在發(fā)光元件中生長(zhǎng)在基底上的發(fā)光元件的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的外周的一部分暴露于外部，從而進(jìn)一步增大與電極的接觸面積。

33、此外，本公開(kāi)的實(shí)施例可以提供一種發(fā)光元件和制造該發(fā)光元件的方法，在發(fā)光元件中輔助電極層形成在發(fā)光元件的第二半導(dǎo)體層上的電極層上方，從而防止由于制造工藝中的外部因素?fù)p壞電極層，從而使故障最小化。

34、此外，本公開(kāi)的實(shí)施例可以提供一種包括發(fā)光元件的顯示裝置。

35、本公開(kāi)的效果不受前述內(nèi)容的限制，并且這里預(yù)期了其他各種效果。