本發(fā)明涉及一種將晶圓分為n份固定尺寸的裝置及其工作方法，屬于半導(dǎo)體設(shè)備，尤其涉及一種通過(guò)倒膜的方式將晶圓片分為n份固定尺寸大小，可以對(duì)多種尺寸的晶圓片進(jìn)行分離的一種裝置，n大于等于2。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體晶圓的制作過(guò)程中，需要經(jīng)過(guò)多重工序，在晶圓經(jīng)過(guò)電性能測(cè)試之后，通過(guò)分選機(jī)將不同等級(jí)和性能的晶粒分貼到不同的藍(lán)膜上，隨后進(jìn)行質(zhì)檢人員的目視外觀檢驗(yàn)，隨后進(jìn)行封裝，進(jìn)入下一個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)，由固晶機(jī)在將分離后的晶粒挑選到料盤上。

2、現(xiàn)有針對(duì)于分選后晶圓分離的方法主要采用人工作業(yè)的方式，將帶有晶粒的藍(lán)膜，晶粒朝上，然后在晶粒表面使用三張光滑不粘膠的塑料膜，拼湊出生產(chǎn)規(guī)定的尺寸(即邊長(zhǎng)在某一個(gè)尺寸范圍內(nèi))，使用三張塑料薄膜擋住這個(gè)尺寸外的區(qū)域，然后在上端放一張粘性向下的藍(lán)膜，然后這三層一起放入壓膜機(jī)中，將其壓實(shí)在一塊，然后將其撕開，這樣就得到了藍(lán)膜遮蓋區(qū)域以外的晶粒，實(shí)現(xiàn)固定尺寸內(nèi)的晶粒分離，此種方式工作效率低，且每次需要使用直尺測(cè)量是否有超過(guò)規(guī)定尺寸，且作業(yè)完成后，用來(lái)遮擋的薄膜需要撕扯掉，過(guò)程比較繁瑣。

3、因此，現(xiàn)在需要一款協(xié)助人工進(jìn)行固定尺寸晶圓的分離作業(yè)裝置。

4、中國(guó)專利文獻(xiàn)cn?111509107a(申請(qǐng)?zhí)枺?02010333331.2)公開了一種將led晶圓分離n份的倒膜的方法，屬于半導(dǎo)體倒膜技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：s1.將承載大藍(lán)膜上的晶體通過(guò)設(shè)備分隔成多個(gè)單個(gè)晶粒，且晶體的背面與承載大藍(lán)膜粘黏連接；s2.將面積大于切割前晶體總面積的隔板蓋在切割后產(chǎn)品的正面上，此時(shí)隔板的背面與單個(gè)晶粒的正面相貼合，同時(shí)將切割后的某個(gè)單個(gè)晶粒與隔板上的通孔對(duì)齊，并使承載大藍(lán)膜上其它的單個(gè)晶粒均被隔板遮擋；s3.將比通孔端口處周邊大出2cm以上的過(guò)渡承載膜粘黏在隔板的正面上，使過(guò)渡承載膜對(duì)通孔端口處進(jìn)行遮覆。此方式可能會(huì)因?yàn)樯w板的或遮擋膜的厚度對(duì)藍(lán)膜粘連晶粒時(shí)的效果產(chǎn)生影響。因?yàn)樵谏w板或遮擋膜厚度過(guò)大時(shí)，鏟子無(wú)法對(duì)要取走區(qū)域的晶粒進(jìn)行按壓，不能取到較好的接觸效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種將晶圓分為n份固定尺寸的裝置及其工作方法，協(xié)助人工進(jìn)行固定尺寸晶圓的分離作業(yè)裝置，晶粒直接粘附到藍(lán)膜上，提高了粘附效果，且能夠?qū)崿F(xiàn)晶粒的快速分離，并對(duì)分離后單個(gè)晶粒的快速倒膜，提高對(duì)切割后單個(gè)晶粒的分離以及倒膜的效率。

2、本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

3、一種將晶圓分為n份固定尺寸的裝置，用于晶圓制造分選過(guò)程之后，對(duì)合格的同性能的晶粒進(jìn)行分離工作，包括主框架、氣缸、固定板、活動(dòng)板、上壓頭和下壓頭，主框架為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)去除前后兩個(gè)面而成，主框架頂部開設(shè)有圓孔，圓孔內(nèi)安裝有氣缸，所述氣缸的伸縮桿端部安裝上壓頭，上壓頭能夠在氣缸的帶動(dòng)下上下運(yùn)動(dòng)；

4、所述固定板底部設(shè)置有突起的固定柱，用于安裝不同尺寸的下壓頭；所述固定板安裝于主框架內(nèi)且位于下壓頭上方，所述固定板內(nèi)部設(shè)置有一下沉區(qū)域，該下沉區(qū)域中心設(shè)置有孔洞，可以使崩環(huán)上藍(lán)膜上的晶圓與下壓頭進(jìn)行接觸，所述活動(dòng)板放置于固定板的下沉區(qū)域內(nèi)，并能夠在下沉區(qū)域內(nèi)活動(dòng)；設(shè)置下沉區(qū)域的目的是方便活動(dòng)板在其范圍內(nèi)自由活動(dòng)，活動(dòng)活動(dòng)板是目的是將崩環(huán)上的藍(lán)膜與下壓頭表面光源確認(rèn)壓膜區(qū)域；

5、所述活動(dòng)板中心設(shè)置有一貫穿的圓孔，圓孔上固定設(shè)置有用于夾取藍(lán)膜的崩環(huán)，圓孔直徑略小于崩環(huán)的直徑，防止因直徑過(guò)大崩環(huán)掉落。

6、優(yōu)選的，所述下壓頭表面帶有光源，方便確認(rèn)待分離區(qū)域晶粒。下壓頭可以理解為一個(gè)正方形壓頭，四周圓弧處理，中間平面部分有發(fā)光源，下壓頭可以通過(guò)拆卸更換，上壓頭為一個(gè)比下壓頭面積略大一點(diǎn)平面，工作時(shí)主要依靠下壓頭表面的平面與頂部壓頭的擠壓，此時(shí)受力面積會(huì)限制在下壓頭表面的平面部分，其余部分無(wú)法與頂部壓頭受力，所以只有下壓頭平面面積內(nèi)的晶?？梢酝ㄟ^(guò)擠壓粘附到另一張藍(lán)膜上。

7、優(yōu)選的，所述上壓頭為一硅膠圓盤，在與下壓頭擠壓時(shí)能有更好的擠壓效果，且具有一定的緩沖性能，避免損傷晶圓。

8、優(yōu)選的，所述下壓頭側(cè)面設(shè)置有螺紋孔，下壓頭與固定柱之間通過(guò)螺絲固定，通過(guò)旋入螺絲夾緊里面的固定柱側(cè)面，更換時(shí)只需擰松螺絲即可。

9、優(yōu)選的，所述下沉區(qū)域?yàn)樵诠潭ò鍍?nèi)部挖除部分厚度形成，挖除的厚度為固定板厚度的一半。

10、優(yōu)選的，所述崩環(huán)包括相互嵌套的內(nèi)環(huán)和外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)和外環(huán)之間用于卡緊藍(lán)膜，兩個(gè)圓環(huán)中間夾著藍(lán)膜，藍(lán)膜表面粘有晶圓片，所述活動(dòng)板的圓孔周圍設(shè)置有三個(gè)用于固定崩環(huán)的限位柱，與崩環(huán)的凹槽配合實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)定位。

11、本發(fā)明的主要原理是通過(guò)氣缸推動(dòng)上壓頭，使其與下壓頭進(jìn)行擠壓，將兩張籃膜擠壓到一起然后撕裂，使一張膜上的晶粒粘附到另一張藍(lán)膜具有粘性的一面上。

12、優(yōu)選的，所述下沉區(qū)域的邊緣設(shè)置有刻度，可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和記憶輔助使用。

13、一種上述的將晶圓分為n份固定尺寸的裝置的工作方法，包括如下步驟：

14、(1)初始狀態(tài)為氣缸縮回，上壓頭處于頂端；

15、(2)工作時(shí)，將帶有芯片晶粒的藍(lán)膜使用擴(kuò)膜機(jī)固定于崩環(huán)上，將崩環(huán)固定在活動(dòng)板上，并通過(guò)限位柱進(jìn)行位置限位，使其位于活動(dòng)板中心位置；

16、(3)人工活動(dòng)活動(dòng)板，活動(dòng)板在固定板的下沉區(qū)域內(nèi)活動(dòng)，通過(guò)下壓頭表面的光源確認(rèn)要壓膜的區(qū)域，下壓頭發(fā)光區(qū)域即為可以壓膜的區(qū)域，無(wú)光源地方與上壓頭在擠壓時(shí)無(wú)法受力，所以只有下壓頭中間的發(fā)光部分可以進(jìn)行作業(yè)，且每次作業(yè)的范圍不會(huì)大于發(fā)光區(qū)域，很好的保證了晶粒分離時(shí)尺寸不會(huì)超出；

17、(4)確認(rèn)好區(qū)域后，在崩環(huán)上面放置一張粘性向下的藍(lán)膜(即晶粒要粘附的目標(biāo))，按下氣缸開關(guān)，上壓頭通過(guò)氣缸的帶動(dòng)向下運(yùn)動(dòng)，直至與下壓頭接觸(壓力在5-10mpa之間)，兩張藍(lán)膜擠壓到一起，人工剝離上面一層藍(lán)膜，這樣就從下面帶晶粒的藍(lán)膜剝離了一塊下壓頭表面大小面積的一部分晶粒，完成一個(gè)工作周期。

18、本發(fā)明通過(guò)下壓頭的頂出式的效果進(jìn)行晶粒分離，可以解決使用遮蓋方式厚度對(duì)按壓效果帶來(lái)的影響，且可以通過(guò)更換下壓頭適應(yīng)不同要求的晶圓分離尺寸。

19、本發(fā)明的有益效果為：

20、1、本發(fā)明代替了人工貼膜進(jìn)行尺寸定位，解決了之前不同員工之間貼膜角度不一和超出限制尺寸的情況，本發(fā)明可以在確定好下壓頭的情況下，可以快速，準(zhǔn)確不失誤的情況下完成晶圓分離，規(guī)范了作業(yè)程序。

21、2、本發(fā)明可以通過(guò)更換下壓頭的方式，對(duì)應(yīng)不同尺寸的需求，適用范圍廣，通用性強(qiáng)。

22、3、本發(fā)明采用頂出式擠壓方式，將要作業(yè)區(qū)域的晶圓通過(guò)下壓頭頂起，中間沒(méi)有其他物體，晶粒直接粘附到藍(lán)膜上，提高了粘附效果，解決了現(xiàn)在分離時(shí)在晶粒表面蓋物遮擋的作業(yè)方式(在兩張膜中間加一層遮蓋物，會(huì)影響遮蓋物孔內(nèi)晶圓的粘附效果)。

23、4、下壓頭表面帶有光源，可以簡(jiǎn)化人員對(duì)要分離區(qū)域晶粒的確認(rèn)。

24、5、本發(fā)明的下沉區(qū)域邊緣設(shè)置刻度，在長(zhǎng)期對(duì)應(yīng)單獨(dú)產(chǎn)品使用時(shí)，可以人工記憶每次分離時(shí)活動(dòng)板所在刻度，進(jìn)一步提高工作效率。

25、6、本發(fā)明，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)備成本低，后期維護(hù)簡(jiǎn)單，維修成本低，適合大批量制作投入到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域當(dāng)中。