本發(fā)明屬于功率半導體領域，更具體地，涉及基于soi技術的橫向功率半導體器件。

背景技術：

1、橫向雙擴散金屬氧化物半導體(laterally?double-diffused?metal?oxidesemiconductor，ldmos)器件由于其技術成熟，易集成且具有相對較高的擊穿電壓，廣泛運用于現代的各種電子設備中。絕緣體上硅(silicon-on-insulator)技術因為其具有低泄漏電流，良好的隔離性能，低寄生效應的優(yōu)勢，基于soi技術的橫向功率半導體器件現已廣泛運用于電源管理與射頻放大器中。

2、為了保證較高的擊穿電壓，傳統(tǒng)soi-ldmos常設計有一個長的輕摻雜漂移區(qū)，擊穿電壓和比導通電阻的權衡關系導致其比導通電阻較高，溝道區(qū)域的電流大小也限制了整個器件的電流導通能力，針對不斷發(fā)展的智能功率ic，需要更高效率的功率器件的設計。

3、現已有提出過在埋氧層中制作極板的器件，例如，專利號為us?7763518?b2的專利，其在縱向的soi?bjt中使用感生背面柵極，將少數載流子反型層作為固有集電極。

4、因此，本發(fā)明針對這一技術背景需求，提出了帶柵極極板與漂移區(qū)極板的soi橫向功率半導體器件，旨在通過對極板加偏置電位，增大器件的電流導通能力和降低比導通電阻。

技術實現思路

1、本發(fā)明基于soi技術，提供了一種橫向功率半導體器件，該器件具有高的電流導通能力和低的比導通電阻，更具體地，該器件是一種soi-ldmos器件。該器件通過在埋氧層中淀積極板，引出到表面接電位，使位于柵極下方的帶柵極極板的埋氧層上方感應出新的溝道，以增大電流導通路徑；同時位于漂移區(qū)下方的漂移區(qū)極板還能吸引漂移區(qū)中的多數載流子，以降低比導通電阻。其中位于柵極下方的柵極極板能和柵極接同一電位也能單獨接電位，但需要保證其電位大小能夠使感應出的溝道反型；位于漂移區(qū)的漂移區(qū)極板電位單獨控制，其偏置電位大于柵極下方柵極極板電位，小于漏極金屬電位，以防止體內電場失衡。

2、為實現上述發(fā)明目的，本發(fā)明技術方案如下：

3、本發(fā)明提供第一種soi橫向功率半導體器件，包括第二摻雜類型的襯底110，襯底110上設置有第一埋氧層108，第一埋氧層108中設置有第一柵極極板111；

4、第一埋氧層108上方設置有第一摻雜類型的漂移區(qū)107，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內左側設置有第二摻雜類型的體區(qū)106，右側設置有第一摻雜類型的漏極區(qū)109，第二摻雜類型的體區(qū)106內設置有第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118，其中第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118在體內方向相切排列；

5、第一摻雜類型的漂移區(qū)107表面設置有柵氧化層103，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118上方設有源極金屬101，其中源極金屬101與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118相接觸，漏極金屬104位于第一摻雜類型的漏極區(qū)109上方，其中漏極金屬104與第一摻雜類型的漏極區(qū)109相接觸，柵氧化層103的左邊界與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105的右邊界相切，右邊界超出第二摻雜類型的體區(qū)106的右邊界，柵氧化層103上設置有位于第一柵極極板111正上方的柵極102；

6、第一柵極極板111與柵極102接同一電位，或者單獨控制，第一柵極極板111的偏置電壓需保證第一柵極極板111上方的溝道能開啟。

7、作為優(yōu)選方式，第一埋氧層108中設置有第一漂移區(qū)極板112，其中第一柵極極板111位于柵極102正下方，第一漂移區(qū)極板112位于第一柵極極板111右側、第一摻雜類型的漂移區(qū)107下方；

8、第一漂移區(qū)極板112電位單獨控制，其偏置電位大于第一柵極極板111電位，小于漏極金屬104電位。

9、本發(fā)明還提供第二種soi橫向功率半導體器件，包括第二摻雜類型的襯底110，第二摻雜類型的襯底110內設置第一摻雜類型的漂移區(qū)107，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內左側設置有第二摻雜類型的體區(qū)106與第一部分埋氧層113，右側設置有第一摻雜類型的漏極區(qū)109；

10、第二摻雜類型的體區(qū)106內設置有第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118，其中第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118在體內方向相切排列；

11、第一摻雜類型的漂移區(qū)107表面設置有柵氧化層103，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118上方設有源極金屬101，其中源極金屬101與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118相接觸，漏極金屬104位于第一摻雜類型的漏極區(qū)109上方，其中漏極金屬104與第一摻雜類型的漏極區(qū)109相接觸，柵氧化層103的左邊界與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105的右邊界相切、右邊界超出第二摻雜類型的體區(qū)106的右邊界，柵氧化層103上設置有柵極102；

12、第一部分埋氧層113，左側超出第一摻雜類型的第一源極區(qū)105，右側超出第二摻雜類型的體區(qū)106，下側位于第一摻雜類型的第一源極區(qū)105底部的上方，以保證在第一部分埋氧層113下側能夠感應出再多一條溝道；

13、第一部分埋氧層113中設置有第一柵極極板111，第一柵極極板111位于柵極102正下方；

14、第一柵極極板111與柵極102接同一電位，或單獨控制，第一柵極極板111的偏置電壓需保證柵極極板上方的溝道能開啟。

15、本發(fā)明提供第三種soi橫向功率半導體器件，包括第二摻雜類型的襯底110，第二摻雜類型的襯底110內設置第一摻雜類型的漂移區(qū)107，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內左側設置有第二摻雜類型的體區(qū)106與第二部分埋氧層120、右側設置有第一摻雜類型的漏極區(qū)109；

16、第二摻雜類型的體區(qū)106內設置有第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118，其中第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118在體內方向相切排列；

17、第一摻雜類型的漂移區(qū)107表面設置有柵氧化層103，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118上方設有源極金屬101，其中源極金屬101與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118相接觸，漏極金屬104位于第一摻雜類型的漏極區(qū)109上方，其中漏極金屬104與第一摻雜類型的漏極區(qū)109相接觸，柵氧化層103的左邊界與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105的右邊界相切，右邊界超出第二摻雜類型的體區(qū)106的右邊界，柵氧化層103上設置有柵極102；

18、第二部分埋氧層120左側超出第一摻雜類型的第一源極區(qū)105、右側超出第二摻雜類型的體區(qū)106、下側位于第一摻雜類型的第一源極區(qū)105底部的上方，以保證在第二部分埋氧層120下側能夠感應出再多一條溝道；

19、第二部分埋氧層120中設置有第一柵極極板111與第一漂移區(qū)極板112，其中第一柵極極板111位于柵極102正下方，第一漂移區(qū)極板112位于第一柵極極板111右側，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內；

20、第一柵極極板111與柵極102接同一電位，或單獨控制，第一柵極極板111的偏置電壓需保證柵極極板上下方的溝道能順利開啟；

21、第一漂移區(qū)極板112電位單獨控制，其偏置電位大于第一柵極極板111電位，小于漏極金屬104電位。

22、本發(fā)明提供第四種soi橫向功率半導體器件，包括第二摻雜類型的襯底110，第二摻雜類型的襯底110內設置第一摻雜類型的漂移區(qū)107，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內左側設置有第二摻雜類型的體區(qū)106與第一部分埋氧層113，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內右側設置有第一摻雜類型的漏極區(qū)109；

23、第二摻雜類型的體區(qū)106內設置有第一摻雜類型的第一源極區(qū)105，第二摻雜類型的第二源極區(qū)118和第一摻雜類型的阱區(qū)119，以防止第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118無法擴散到第一部分埋氧層113下方，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118位于第一摻雜類型的阱區(qū)119內部，且右邊界與第一摻雜類型的阱區(qū)119的右邊界相切，其中第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118在體內方向相切排列；

24、第一摻雜類型的漂移區(qū)107表面設置有柵氧化層103，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118上方設有源極金屬101，其中源極金屬101與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118相接觸，漏極金屬104位于第一摻雜類型的漏極區(qū)109上方，其中漏極金屬104與第一摻雜類型的漏極區(qū)109相接觸，柵氧化層103的左邊界與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105的右邊界相切，右邊界超出第二摻雜類型的體區(qū)106的右邊界，柵氧化層103上設置有柵極102；

25、第一部分埋氧層113左側超出第一摻雜類型的阱區(qū)119，右側超出第二摻雜類型的體區(qū)106，下側位于第一摻雜類型的第一源極區(qū)105底部的下方與第一摻雜類型的阱區(qū)119底部的上方；

26、第一部分埋氧層113中設置有第一柵極極板111，第一柵極極板111位于柵極102正下方；

27、第一柵極極板111與柵極102接同一電位，或單獨控制，第一柵極極板111的偏置電壓需保證柵極極板上方的溝道能開啟。

28、本發(fā)明提供第五種soi橫向功率半導體器件，包括第二摻雜類型的襯底110，第二摻雜類型的襯底110內設置第一摻雜類型的漂移區(qū)107，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內左側設置有第二摻雜類型的體區(qū)106與第二部分埋氧層120，右側設置有第一摻雜類型的漏極區(qū)109；

29、第二摻雜類型的體區(qū)106內設置有第一摻雜類型的第一源極區(qū)105、第二摻雜類型的第二源極區(qū)118和第一摻雜類型的阱區(qū)119，以防止第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118無法擴散到第一部分埋氧層113下方，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118位于第一摻雜類型的阱區(qū)119內部，且右邊界與第一摻雜類型的阱區(qū)119的右邊界相切，其中第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118在體內方向相切排列；

30、第一摻雜類型的漂移區(qū)107表面設置有柵氧化層103，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118上方設有源極金屬101，其中源極金屬101與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118相接觸，漏極金屬104位于第一摻雜類型的漏極區(qū)109上方，其中漏極金屬104與第一摻雜類型的漏極區(qū)109相接觸，柵氧化層103的左邊界與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105的右邊界相切，右邊界超出第二摻雜類型的體區(qū)106的右邊界，柵氧化層103上設置有柵極102；

31、第二部分埋氧層120左側超出第一摻雜類型的阱區(qū)119，右側超出第二摻雜類型的體區(qū)106，下側位于第一摻雜類型的第一源極區(qū)105底部的下方與第一摻雜類型的阱區(qū)119底部的上方；

32、第二部分埋氧層120中設置有第一柵極極板111與第一漂移區(qū)極板112，其中第一柵極極板111位于柵極102正下方，第一漂移區(qū)極板112位于第一柵極極板111右側，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內；

33、第一柵極極板111與柵極102接同一電位，或單獨控制，第一柵極極板111的偏置電壓需保證柵極極板上方的溝道能開啟；

34、第一漂移區(qū)極板112電位單獨控制，其偏置電位大于第一柵極極板111電位，小于漏極金屬104電位。

35、本發(fā)明提供第六種soi橫向功率半導體器件，包括第二摻雜類型的襯底110，襯底上設置有第二埋氧層115，第二埋氧層115中設置有第二柵極極板114；

36、第二埋氧層115上方設置有第一摻雜類型的漂移區(qū)107，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內左側設置有第二摻雜類型的體區(qū)106與第一部分埋氧層113，右側設置有第一摻雜類型的漏極區(qū)109；

37、第二摻雜類型的體區(qū)106內設置有第一摻雜類型的第一源極區(qū)105、第二摻雜類型的第二源極區(qū)118和第一摻雜類型的阱區(qū)119，其中第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118在體內方向相切排列，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118位于第一摻雜類型的阱區(qū)119內部，且右邊界與第一摻雜類型的阱區(qū)119的右邊界相切，其中第二埋氧層115的上邊界超過第一摻雜類型的阱區(qū)119的下邊界，以保證在第二埋氧層115上側能夠感應出再多一條溝道；

38、第一摻雜類型的漂移區(qū)107表面設置有柵氧化層103，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118上方設有源極金屬101，其中源極金屬101與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118相接觸，漏極金屬104位于第一摻雜類型的漏極區(qū)109上方，其中漏極金屬104與第一摻雜類型的漏極區(qū)109相接觸，柵氧化層103的左邊界與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105的右邊界相切，右邊界超出第二摻雜類型的體區(qū)106的右邊界，柵氧化層103上方設置有柵極102；

39、第一部分埋氧層113左邊界超過第一摻雜類型的第一源極區(qū)105，右側超出第二摻雜類型的體區(qū)106，下側位于第一摻雜類型的第一源極區(qū)105底部的上方；

40、第一部分埋氧層113中設置有第一柵極極板111，其中第一柵極極板111位于柵極102正下方，第二柵極極板的正上方；

41、第二柵極極板114與第一柵極極板111接同一電位，其中第一柵極極板111與柵極102接同一電位，或單獨控制，第一柵極極板111的偏置電壓需保證柵極極板上方的溝道能開啟。

42、本發(fā)明提供第七種soi橫向功率半導體器件，包括第二摻雜類型的襯底110，襯底上設置有第二埋氧層115，第二埋氧層115中設置有第二柵極極板114與第二漂移區(qū)極板116；

43、第二埋氧層115上方設置有第一摻雜類型的漂移區(qū)107，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內左側設置有第二摻雜類型的體區(qū)106與第二部分埋氧層120，右側設置有第一摻雜類型的漏極區(qū)109；

44、第二摻雜類型的體區(qū)106內設置有第一摻雜類型的第一源極區(qū)105、第二摻雜類型的第二源極區(qū)118和第一摻雜類型的阱區(qū)119，其中第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118在體內方向相切排列，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118位于第一摻雜類型的阱區(qū)119內部，且右邊界與第一摻雜類型的阱區(qū)119的右邊界相切，其中第二埋氧層115的上邊界超過第一摻雜類型的阱區(qū)119的下邊界，以保證在第二埋氧層115上側能夠感應出再多一條溝道；第二柵極極板114位于第一柵極極板111的正下方，左右邊界也與第一柵極極板111相切；

45、第一摻雜類型的漂移區(qū)107表面設置有柵氧化層103、第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118上方設有源極金屬101，其中源極金屬101與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118相接觸，漏極金屬104位于第一摻雜類型的漏極區(qū)109上方，其中漏極金屬104與第一摻雜類型的漏極區(qū)109相接觸，柵氧化層103上方設置有柵極102；

46、第二部分埋氧層120左邊界超過第一摻雜類型的第一源極區(qū)105，右側超出第二摻雜類型的體區(qū)106，下側位于第一摻雜類型的第一源極區(qū)105底部的上方；

47、第二部分埋氧層120中設置有第一柵極極板111與第一漂移區(qū)極板112，其中第一柵極極板111位于柵極102正下方、第二柵極極板114的正上方，第一漂移區(qū)極板112位于第一柵極極板111右側、第二漂移區(qū)極板116的正上方、第一摻雜類型的漂移區(qū)107內；

48、第二柵極極板114與第一柵極極板111接同一電位，其中第一柵極極板111與柵極102接同一電位，或單獨控制，第一柵極極板111的偏置電壓需保證柵極極板上方的溝道能開啟；

49、第二漂移區(qū)極板116與第一漂移區(qū)極板112接同一電位，其中第一漂移區(qū)極板112電位單獨控制，其偏置電位大于第一柵極極板111電位，小于漏極金屬104電位。

50、本發(fā)明提供第八種soi橫向功率半導體器件，包括第二摻雜類型的襯底110，襯底上設置有第二埋氧層115，第二埋氧層115中設置有第二柵極極板114；

51、第二埋氧層115上方設置有第一摻雜類型的漂移區(qū)107，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內左側設置有第二摻雜類型的體區(qū)106與第一部分埋氧層113，右側設置有第一摻雜類型的漏極區(qū)109；

52、第二摻雜類型的體區(qū)106內設置有第一摻雜類型的第一源極區(qū)105、第二摻雜類型的第二源極區(qū)118和第一摻雜類型的阱區(qū)119，其中第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118在體內方向相切排列，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118位于第一摻雜類型的阱區(qū)119內部，且右邊界與第一摻雜類型的阱區(qū)119的右邊界相切，其中第二埋氧層115的上邊界超過第一摻雜類型的阱區(qū)119的下邊界，以保證在第二埋氧層115上側能夠感應出再多一條溝道；

53、第一摻雜類型的漂移區(qū)107表面設置有柵氧化層103、第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118上方設有源極金屬101，其中源極金屬101與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118相接觸，漏極金屬104位于第一摻雜類型的漏極區(qū)109上方，其中漏極金屬104與第一摻雜類型的漏極區(qū)109相接觸，柵氧化層103的左邊界與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105的右邊界相切，右邊界超出第二摻雜類型的體區(qū)106的右邊界，柵氧化層103上方設置有柵極102；

54、第一部分埋氧層113左邊界超過第一摻雜類型的第一源極區(qū)105，右邊界超出第二摻雜類型的體區(qū)106，下邊界位于第一摻雜類型的第一源極區(qū)105底部的下方；

55、第一部分埋氧層113中設置有第一柵極極板111，其中第一柵極極板111位于柵極102正下方，第二柵極極板的正上方；

56、第二柵極極板114與第一柵極極板111接同一電位，其中第一柵極極板111與柵極102接同一電位，或單獨控制，第一柵極極板111的偏置電壓需保證柵極極板上方的溝道能開啟。

57、本發(fā)明提供第九種soi橫向功率半導體器件，包括第二摻雜類型的襯底110，襯底上設置有第二埋氧層115，第二埋氧層115中設置有第二柵極極板114與第二漂移區(qū)極板116；

58、第二埋氧層115上方設置有第一摻雜類型的漂移區(qū)107，第一摻雜類型的漂移區(qū)107內左側設置有第二摻雜類型的體區(qū)106與第二部分埋氧層120，右側設置有第一摻雜類型的漏極區(qū)109；

59、第二摻雜類型的體區(qū)106內設置有第一摻雜類型的第一源極區(qū)105、第二摻雜類型的第二源極區(qū)118和第一摻雜類型的阱區(qū)119，其中第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118在體內方向相切排列，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118位于第一摻雜類型的阱區(qū)119內部，且右邊界與第一摻雜類型的阱區(qū)119的右邊界相切，其中第二埋氧層115的上邊界超過第一摻雜類型的阱區(qū)119的下邊界，以保證在第二埋氧層115上側能夠感應出再多一條溝道；第二柵極極板114位于第一柵極極板111的正下方，左右邊界也與第一柵極極板111相切；

60、第一摻雜類型的漂移區(qū)107表面設置有柵氧化層103，第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118上方設有源極金屬101，其中源極金屬101與第一摻雜類型的第一源極區(qū)105和第二摻雜類型的第二源極區(qū)118相接觸，漏極金屬104位于第一摻雜類型的漏極區(qū)109上方，其中漏極金屬104與第一摻雜類型的漏極區(qū)109相接觸，柵氧化層103上方設置有柵極102；

61、第二部分埋氧層120左邊界超過第一摻雜類型的第一源極區(qū)105，右側超出第二摻雜類型的體區(qū)106，下側位于第一摻雜類型的第一源極區(qū)105底部的下方；

62、第二部分埋氧層120中設置有第一柵極極板111與第一漂移區(qū)極板112，其中第一柵極極板111位于柵極102正下方、第二柵極極板的正上方，第一漂移區(qū)極板112位于第一柵極極板111右側、第二漂移區(qū)極板116的正上方、第一摻雜類型的漂移區(qū)107內；

63、第二柵極極板114與第一柵極極板111接同一電位，其中第一柵極極板111與柵極102接同一電位，或單獨控制，第一柵極極板111的偏置電壓需保證柵極極板上方的溝道能開啟；

64、第二漂移區(qū)極板116與第一漂移區(qū)極板112接同一電位，其中第一漂移區(qū)極板112電位單獨控制，其偏置電位大于第一柵極極板111電位，小于漏極金屬104電位。

65、本發(fā)明的原理為：

66、如圖3(a)，通過在埋氧層中設計柵極極板，柵極極板與漂移區(qū)極板通過如圖2(b)方式引出，引出到表面，器件俯視圖如圖3(c)所示，位于柵極正下方的柵極極板能與柵極接同一電位也能單獨控制，通過外加電位，柵極極板上方的體區(qū)形成反型層，引入一條新的溝道，新增導電路徑從而增大電流導通能力；位于漂移區(qū)下方的漂移區(qū)極板，電位單獨控制，其偏置電位大于溝道柵極極板電位，小于漏極金屬電位維持體內電勢平衡，漂移區(qū)極板上方的漂移區(qū)表面能吸引更多電子，從而降低比導通電阻。

67、全soi結構由于埋氧層具有較低的導熱能力，如圖4，將埋氧層設置為部分埋氧層，從而減小其自熱效應，同時還能在柵極極板的下方新引入一條溝道，增大其電流導通能力。

68、如圖8(a)設置雙埋氧層結構，柵極極板通過外加偏置電位能使本發(fā)明的soi-ldmos引入三條新溝道，大大增加了其導電路徑，使其電流導通能力也大大提升。

69、本發(fā)明的有益效果為：在soi-ldmos中設置柵極極板與漂移區(qū)極板，能大大地提升器件的電流導通能力，與降低比導通電阻。得到的效果如圖12所示。該技術方案能夠大大降低器件的比導通電阻。