本發(fā)明涉及芯片,尤其涉及一種發(fā)光器件及其制備方法。
背景技術(shù):
1、發(fā)光器件是一種能夠發(fā)射光線的器件,該發(fā)光器件發(fā)射的光線可作為供pd(photo-diode,光電二極管)接收并檢測的光源,也可作為顯示裝置的光源使用,或可作為照明的光源使用。
2、然而,基板的焊盤表面與基板自身表面均會(huì)對(duì)光線造成一定的影響,且由于基板的焊盤表面與基板自身表面對(duì)光線的吸收、反射性能不相同,因此,基板的焊盤表面以及基板自身表面對(duì)發(fā)光器件的發(fā)光性能產(chǎn)生的影響不一致,導(dǎo)致發(fā)光器件的發(fā)光性能難以得到提升。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的一個(gè)目的在于:提供一種發(fā)光器件,能夠避免基板的焊盤表面與基板自身表面對(duì)光線造成影響,便于提升發(fā)光器件的發(fā)光性能。
2、本發(fā)明的另一個(gè)目的在于:提供一種發(fā)光器件的制備方法,能夠制造得到如前述的發(fā)光器件。
3、為達(dá)到此目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
4、第一方面,提供一種發(fā)光器件,包括:
5、基板;
6、發(fā)光組件,所述發(fā)光組件設(shè)置于所述基板且電連接于所述基板的焊盤;以及,
7、底膠層,所述底膠層噴設(shè)于所述基板,所述底膠層與所述發(fā)光組件位于所述基板的同一側(cè),且所述底膠層覆蓋位于所述發(fā)光組件的外周的所述基板的表面。
8、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述發(fā)光器件還包括透光封裝層,所述透光封裝層覆蓋所述發(fā)光組件以及所述底膠層。
9、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述發(fā)光組件包括多個(gè)發(fā)光元件,多個(gè)所述發(fā)光元件間隔設(shè)置于所述基板且電連接于所述基板的焊盤,所述底膠層覆蓋位于所述發(fā)光元件的外周的所述基板的表面;
10、沿垂直于所述基板的板面的方向上,所述底膠層凸出于所述基板的凸出高度為e1,所述發(fā)光元件凸出于所述基板的凸出高度為e2,e1<e2。
11、第二方面,提供一種發(fā)光器件的制備方法,能夠制備得到如前述第一方面所述的發(fā)光器件,所述制備方法包括:
12、步驟s10、提供基板,所述基板的一側(cè)間隔陣列設(shè)置有多個(gè)發(fā)光組件,所述基板的板面具有環(huán)繞各個(gè)所述發(fā)光組件的環(huán)繞區(qū)域;
13、步驟s11、提供噴膠設(shè)備以及底膠,使所述噴膠設(shè)備向所述環(huán)繞區(qū)域噴設(shè)所述底膠;
14、步驟s12、經(jīng)過間隔時(shí)間后進(jìn)行第一次固化,使所述底膠形成底膠層;
15、步驟s20、從任意兩個(gè)相鄰的所述發(fā)光組件之間切割所述基板以及所述底膠層,得到所述發(fā)光器件。
16、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述底膠以質(zhì)量份計(jì)包括:透明膠100份、鈦白粉20份~40份以及抗沉淀粉0.5份~2份,或者,所述底膠以質(zhì)量份計(jì)包括:透明膠100份、黑粉0.15份~10份、鈦白粉0份~25份以及抗沉淀粉0份~3份;和/或,
17、所述底膠的粘度范圍為7000mpa·s~25000mpa·s。
18、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述噴膠設(shè)備向所述環(huán)繞區(qū)域噴設(shè)所述底膠時(shí),
19、所述噴膠設(shè)備的噴嘴的移動(dòng)速度范圍為100mm/s~150mm/s,和/或,沿垂直于所述基板的板面的方向上,所述噴膠設(shè)備的噴嘴與所述基板的板面之間具有間距h,2mm≤h≤4mm。
20、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述間隔時(shí)間為t,0.2h≤t≤2h
21、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述第一次固化的第一固化溫度范圍為100℃~150℃,第一固化時(shí)間范圍為0.5min~30min。
22、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述噴膠設(shè)備包括間隔設(shè)置的多個(gè)噴嘴,在所述步驟s11中,使所述噴膠設(shè)備的多個(gè)噴嘴同時(shí)向所述環(huán)繞區(qū)域噴設(shè)所述底膠。
23、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述環(huán)繞區(qū)域包括第一區(qū)域、第二區(qū)域以及第三區(qū)域,沿第一方向上相鄰的任意兩個(gè)所述發(fā)光組件之間具有所述第一區(qū)域,沿第二方向上相鄰的任意兩個(gè)所述發(fā)光組件之間具有所述第二區(qū)域,第三區(qū)域環(huán)繞所有的所述發(fā)光組件整體的外周;
24、其中,所述第一方向與所述第二方向相垂直,且所述第一方向與所述第二方向均平行于所述基板的板面;
25、所述步驟s11包括:
26、步驟s111a、提供所述噴膠設(shè)備以及所述底膠;
27、步驟s112a、使所述噴膠設(shè)備的噴嘴相對(duì)所述基板沿所述第二方向移動(dòng)并向所述第一區(qū)域噴設(shè)所述底膠,使所述噴膠設(shè)備的噴嘴相對(duì)所述基板沿所述第一方向移動(dòng)并向所述第二區(qū)域噴設(shè)所述底膠;
28、步驟s113a、使所述噴膠設(shè)備的噴嘴環(huán)繞所有的所述發(fā)光組件整體移動(dòng)并向所述第三區(qū)域噴設(shè)所述底膠。
29、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,在所述噴膠設(shè)備的噴嘴向所述第一區(qū)域噴設(shè)所述底膠的步驟中,所述噴膠設(shè)備的噴嘴的噴膠起點(diǎn)位置位于所述第三區(qū)域內(nèi)的臨近于所述第一區(qū)域處;和/或,
30、在所述噴膠設(shè)備的噴嘴向所述第二區(qū)域噴設(shè)所述底膠的步驟中,所述噴膠設(shè)備的噴嘴的噴膠起點(diǎn)位置位于所述第三區(qū)域內(nèi)的臨近于所述第二區(qū)域處。
31、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,在所述步驟s112a中,所述噴膠設(shè)備單位時(shí)間內(nèi)的噴膠流量為第一噴膠流量,在所述步驟s113a中,所述噴膠設(shè)備單位時(shí)間內(nèi)的噴膠流量為第二噴膠流量,所述第二噴膠流量小于所述第一噴膠流量。
32、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,,所述步驟s11包括:
33、步驟s111b、提供所述噴膠設(shè)備以及所述底膠;
34、步驟s112b、使所述噴膠設(shè)備的噴嘴環(huán)繞各所述發(fā)光組件的外周移動(dòng)并向位于各所述發(fā)光組件的外周的所述基板的板面噴設(shè)所述底膠。
35、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,在所述步驟s12之后,所述步驟s20之前,所述制備方法還包括:
36、步驟s13、向所述底膠層以及所述發(fā)光組件的表面覆蓋透明封裝膠;
37、步驟s14、對(duì)所述底膠層以及所述透明封裝膠整體進(jìn)行第二次固化,使所述透明封裝膠形成透光封裝層;
38、此時(shí),所述步驟s20包括:
39、步驟s20a、從任意兩個(gè)相鄰的所述發(fā)光組件之間切割所述基板、所述底膠層以及所述透光封裝層,得到所述發(fā)光器件。
40、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述第二次固化的第二固化溫度范圍為130℃~150℃,第二固化時(shí)間范圍為3h~4h。
41、本發(fā)明的有益效果為:
42、通過在位于發(fā)光組件的外周的基板的表面覆蓋底膠層,使得底膠層能夠遮蓋基板的焊盤的表面以及基板自身的表面,從而避免基板焊盤的表面與基板自身的表面對(duì)發(fā)光組件發(fā)出的光線造成影響??梢岳斫獾?,此時(shí),在發(fā)光組件的靠近基板處,僅有底膠層會(huì)對(duì)發(fā)光組件的發(fā)光性能造成影響,因此,可以通過調(diào)整底膠層對(duì)光線的吸收、反射性能,來較簡便地提升發(fā)光器件的發(fā)光性能。