1.一種垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，相鄰兩vcsel發(fā)光單元的間距，隨著對(duì)應(yīng)的相鄰兩vcsel發(fā)光單元的中心與所述電極打線區(qū)的距離的減小而減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述電極打線區(qū)設(shè)置于所述垂直腔面發(fā)射激光器的邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述電極打線區(qū)呈環(huán)狀設(shè)置于所述垂直腔面發(fā)射激光器的邊緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，沿所述垂直腔面發(fā)射激光器的中心向邊緣的延伸方向，相鄰兩個(gè)vcsel發(fā)光單元的間距逐漸減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，各所述vcsel發(fā)光單元包括：沿第一方向依次層疊設(shè)置的第一型dbr層、有源層、氧化限制層以及第二型dbr層，且所述vcsel發(fā)光單元通過(guò)所述氧化限制層構(gòu)成氧化孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，在所述電極連接層除電極打線區(qū)外的表面還設(shè)有保護(hù)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述通孔還可裸露所述出光孔。
9.一種垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于，相鄰兩vcsel發(fā)光單元的間距不完全相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于，所述電極打線區(qū)設(shè)置于所述垂直腔面發(fā)射激光器的邊緣，且相鄰兩vcsel發(fā)光單元的間距，隨著對(duì)應(yīng)的相鄰兩vcsel發(fā)光單元的中心與所述電極打線區(qū)的距離的減小而減小。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于，所述電極打線區(qū)呈環(huán)狀設(shè)置于所述垂直腔面發(fā)射激光器的邊緣，則沿所述垂直腔面發(fā)射激光器的中心向邊緣的延伸方向，相鄰兩個(gè)vcsel發(fā)光單元的間距逐漸減小。