技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵介質(zhì)層包括鐵電薄膜柵介質(zhì)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的材料包括鈦酸鋇(bt)、鈦酸鉛(pt)、鋯鈦酸鉛(pzt)、鈦酸鍶鋇(bst)以及鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛(pmn-pt)中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括溝槽型柵極結(jié)構(gòu)；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源極包括溝槽型結(jié)構(gòu)；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括平面型柵極結(jié)構(gòu)；

7.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源極包括平面型源極結(jié)構(gòu)；

8.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

9.一種功率模塊，其特征在于，包括基板與至少一個(gè)如權(quán)利要求1-7任一所述的半導(dǎo)體器件，基板用于承載半導(dǎo)體器件。

10.一種功率轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述功率轉(zhuǎn)換電路用于電流轉(zhuǎn)換、電壓轉(zhuǎn)換、功率因數(shù)校正中的一個(gè)或多個(gè)；

11.一種車輛，其特征在于，包括負(fù)載以及如權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)換電路，所述功率轉(zhuǎn)換電路用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電、將交流電轉(zhuǎn)換為交流電、將直流電轉(zhuǎn)換為直流電或者將直流電轉(zhuǎn)換為交流電后，輸入到所述負(fù)載。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體本體，包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；半導(dǎo)體本體包括第一外延層和第二外延層，第一外延層用于支撐第二外延層；第二外延層的導(dǎo)電類型和第一外延層的導(dǎo)電類型相反；半導(dǎo)體本體包括碳化硅材料；或者，半導(dǎo)體本體包括氮化鎵材料；第二外延層包括阱區(qū)和第一區(qū)域，阱區(qū)和第二外延層的導(dǎo)電類型和摻雜濃度相同；柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層、柵極和層間介質(zhì)層；柵介質(zhì)層的介電常數(shù)大于氧化硅的介電常數(shù)，柵介質(zhì)層的介電電容為負(fù)值，柵介質(zhì)層具有自發(fā)極化特性。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案提高了半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度和器件可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：謝柳,史田超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10