本公開(kāi)實(shí)施例涉及光伏領(lǐng)域，特別涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法、光伏組件。

背景技術(shù)：

1、目前，隨著化石能源的逐漸耗盡，太陽(yáng)能電池作為新的能源替代方案，使用越來(lái)越廣泛。太陽(yáng)電池是將太陽(yáng)的光能轉(zhuǎn)換為電能的裝置。太陽(yáng)電池利用光生伏特原理產(chǎn)生載流子，然后使用電極將載流子引出，從而利于將電能有效利用。隨著perc電池(passivatedemitter?rear?cell，發(fā)射極及背面鈍化電池)技術(shù)的成熟與不斷挖潛，逐步逼近其轉(zhuǎn)換效率的理論極限，目前推進(jìn)中的主流技術(shù)有topcon電池(tunnel?oxide?passivated?contactcell，隧穿氧化層鈍化接觸電池)、hit/hjt電池(heterojunction?technology?cell，異質(zhì)結(jié)電池)、ibc電池(interdigitated?back?contact?cell，交叉背電極接觸電池)、太陽(yáng)能薄膜電池和疊層電池等。

2、然而，背接觸(bc，back?contact)技術(shù)中，為形成高效的太陽(yáng)能電池，往往會(huì)盡可能提高與電極接觸的導(dǎo)電層的導(dǎo)電性，甚少綜合考量對(duì)基于太陽(yáng)能電池形成的光伏組件的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)實(shí)施例提供一種太陽(yáng)能電池及其制備方法、光伏組件，至少有利于改善基于太陽(yáng)能電池形成的電池組件的熱斑效應(yīng)。

2、根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例，本公開(kāi)實(shí)施例一方面提供一種太陽(yáng)能電池，包括：基底，基底具有相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面包括沿第一方向交替排布的第一區(qū)和第二區(qū)；第一鈍化結(jié)構(gòu)，位于第一區(qū)上，第一鈍化結(jié)構(gòu)包括沿第二方向上堆疊設(shè)置的第一鈍化層和第一半導(dǎo)體摻雜層；第二鈍化結(jié)構(gòu)，至少位于第二區(qū)上，第二鈍化結(jié)構(gòu)包括沿第二方向上堆疊設(shè)置的第二鈍化層和第二半導(dǎo)體摻雜層，第一半導(dǎo)體摻雜層的摻雜類(lèi)型和第二半導(dǎo)體摻雜層的摻雜類(lèi)型不同；第一表面還包括交界區(qū)，交界區(qū)包括第一區(qū)和第二區(qū)中至少一者的部分，且第一半導(dǎo)體摻雜層的側(cè)壁和第二半導(dǎo)體摻雜層的側(cè)壁在交界區(qū)上相接觸，其中，至少部分交界區(qū)上具有晶化摻雜部，晶化摻雜部為第一半導(dǎo)體摻雜層和第二半導(dǎo)體摻雜層中至少一者的部分，晶化摻雜部具有第一晶化率，未位于交界區(qū)上的第一半導(dǎo)體摻雜層和第二半導(dǎo)體摻雜層具有第二晶化率，第一晶化率大于第二晶化率。

3、在一些實(shí)施例中，交界區(qū)為第一區(qū)的部分，晶化摻雜部為第一半導(dǎo)體摻雜層中位于交界區(qū)上的部分，第一半導(dǎo)體摻雜層中未位于交界區(qū)上的部分為非晶化摻雜部。

4、在一些實(shí)施例中，交界區(qū)為第二區(qū)的部分，晶化摻雜部為第二半導(dǎo)體摻雜層中位于交界區(qū)上的部分，第二半導(dǎo)體摻雜層中未位于交界區(qū)上的部分為非晶化摻雜部。

5、在一些實(shí)施例中，交界區(qū)包括第一區(qū)的部分和第二區(qū)的部分；晶化摻雜部包括第一晶化摻雜部和第二晶化摻雜部，第一晶化摻雜部為第一半導(dǎo)體摻雜層中位于交界區(qū)上的部分，第二晶化摻雜部為第二半導(dǎo)體摻雜層中位于交界區(qū)上的部分；第一半導(dǎo)體摻雜層中未位于交界區(qū)上的部分為第一非晶化摻雜部，第二半導(dǎo)體摻雜層中未位于交界區(qū)上的部分為第二非晶化摻雜部。

6、在一些實(shí)施例中，第一晶化率為10％～40％，第二晶化率為0；和/或，晶化摻雜部中的晶粒尺寸為5nm～30nm。

7、在一些實(shí)施例中，交界區(qū)的面積與第一區(qū)的面積的比值為1％～30％。

8、在一些實(shí)施例中，太陽(yáng)能電池還包括：導(dǎo)電層，至少位于第一鈍化結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離第一表面的部分表面，以及至少位于第二鈍化結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離第一表面的部分表面；第一電極，設(shè)置于位于第一區(qū)上的導(dǎo)電層遠(yuǎn)離第一鈍化結(jié)構(gòu)的一側(cè)；第二電極，設(shè)置于位于第二區(qū)上的導(dǎo)電層遠(yuǎn)離第二鈍化結(jié)構(gòu)的一側(cè)；絕緣層，位于第一鈍化結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離第一表面的部分表面，且第二鈍化結(jié)構(gòu)還位于絕緣層遠(yuǎn)離第一鈍化結(jié)構(gòu)的表面，位于絕緣層遠(yuǎn)離第一鈍化結(jié)構(gòu)的表面的第二鈍化結(jié)構(gòu)與第一電極之間具有間隔。

9、在一些實(shí)施例中，至少部分交界區(qū)上還具有晶化鈍化部，晶化鈍化部為第一鈍化層和第二鈍化層中至少一者的部分，晶化鈍化部具有第三晶化率，未位于交界區(qū)上的第一鈍化層和第二鈍化層具有第四晶化率，第三晶化率大于第四晶化率。

10、根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例，本公開(kāi)實(shí)施例另一方面還提供一種太陽(yáng)能電池的制備方法，包括：提供基底，基底具有相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面包括沿第一方向交替排布的第一區(qū)和第二區(qū)；在第一表面上依次形成初始第一鈍化結(jié)構(gòu)和初始第二鈍化結(jié)構(gòu)，初始第一鈍化結(jié)構(gòu)位于第一區(qū)上，初始第一鈍化結(jié)構(gòu)包括沿第二方向上堆疊設(shè)置的初始第一鈍化層和初始第一半導(dǎo)體摻雜層，初始第二鈍化結(jié)構(gòu)至少位于第二區(qū)上，初始第二鈍化結(jié)構(gòu)包括沿第二方向上堆疊設(shè)置的初始第二鈍化層和初始第二半導(dǎo)體摻雜層，初始第一半導(dǎo)體摻雜層的摻雜類(lèi)型和初始第二半導(dǎo)體摻雜層的摻雜類(lèi)型不同；其中，第一表面還包括交界區(qū)，交界區(qū)包括第一區(qū)和第二區(qū)中至少一者的部分，且初始第一半導(dǎo)體摻雜層的側(cè)壁和初始第二半導(dǎo)體摻雜層的側(cè)壁在交界區(qū)上相接觸；制備方法還包括：對(duì)初始第一半導(dǎo)體摻雜層和初始第二半導(dǎo)體摻雜層的至少一者中位于交界區(qū)上的部分進(jìn)行激光晶化處理，以將初始第一鈍化結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝烩g化結(jié)構(gòu)，將初始第二鈍化結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙g化結(jié)構(gòu)，且在至少部分交界區(qū)上形成晶化摻雜部。

11、根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例，本公開(kāi)實(shí)施例又一方面還提供一種光伏組件，包括：電池串，由多個(gè)如上述任一項(xiàng)的太陽(yáng)能電池連接而成，或者由多個(gè)如上述任一項(xiàng)制備方法形成的太陽(yáng)能電池連接而成；封裝膠膜，用于覆蓋電池串的表面；蓋板，用于覆蓋封裝膠膜背離電池串的表面。

12、本公開(kāi)實(shí)施例提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

13、在基底的第一表面上交替設(shè)置第一鈍化結(jié)構(gòu)和第二鈍化結(jié)構(gòu)，以形成背接觸電池，一方面，有利于后續(xù)基于第一鈍化結(jié)構(gòu)和第二鈍化結(jié)構(gòu)在第一表面上形成不同極性的兩種電極，使得太陽(yáng)能電池的電極均設(shè)置于第一表面，第二表面沒(méi)有電極遮擋，從而有利于提高第二表面對(duì)光線的利用率，以使得太陽(yáng)能電池具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率；另一方面，借助第一鈍化結(jié)構(gòu)和第二鈍化結(jié)構(gòu)對(duì)第一表面的鈍化效果，降低第一表面的界面缺陷和載流子復(fù)合概率，從而有利于進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

14、在此基礎(chǔ)上，在第一表面上定義出第一鈍化結(jié)構(gòu)和第二鈍化結(jié)構(gòu)沿第一方向上相接觸處，即交界區(qū)，使得交界區(qū)包括第一區(qū)和第二區(qū)中至少一者的部分，換言之，部分第一半導(dǎo)體摻雜層和部分第二半導(dǎo)體摻雜層中的至少一者位于交界區(qū)上，并設(shè)計(jì)交界區(qū)上具有晶化摻雜部?；诖?，使得晶化摻雜部為第一半導(dǎo)體摻雜層和第二半導(dǎo)體摻雜層中至少一者的部分。值得注意的是，晶化摻雜部具有第一晶化率，未位于交界區(qū)上的第一半導(dǎo)體摻雜層和第二半導(dǎo)體摻雜層具有第二晶化率，第一晶化率大于第二晶化率。

15、換言之，未位于交界區(qū)上的第一半導(dǎo)體摻雜層和未位于交界區(qū)上的第二半導(dǎo)體摻雜層之間具有晶化摻雜部，相較于未位于交界區(qū)上的第一半導(dǎo)體摻雜層和第二半導(dǎo)體摻雜層，晶化摻雜部的第一晶化率更高，則晶化摻雜部具有更小的方阻且具有更強(qiáng)的橫向?qū)щ娦?，則可以將晶化摻雜部作為未位于交界區(qū)上的第一半導(dǎo)體摻雜層和未位于交界區(qū)上的第二半導(dǎo)體摻雜層之間的局部漏電通道，且基于未位于交界區(qū)上的第一半導(dǎo)體摻雜層和第二半導(dǎo)體摻雜層的第二晶化率更低，則未位于交界區(qū)上的第一半導(dǎo)體摻雜層和第二半導(dǎo)體摻雜層具有更高的方阻，會(huì)阻礙電流在整個(gè)第一半導(dǎo)體摻雜層和整個(gè)第二半導(dǎo)體摻雜層之間的橫向?qū)ǎ员ＷC太陽(yáng)能電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。如此，基于交界區(qū)以及晶化摻雜部的設(shè)計(jì)，使得第一半導(dǎo)體摻雜層和第二半導(dǎo)體摻雜層中的至少一者的局部被設(shè)計(jì)為具有較強(qiáng)的橫向?qū)щ娦?，從而有利于借助基于晶化摻雜部形成的局部漏電通道，改善基于太陽(yáng)能電池形成的電池組件中由于局部遮擋或缺陷導(dǎo)致的熱斑效應(yīng)，以提高光伏組件的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。