1.一種基于離子注入制備鈍化接觸區(qū)的方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述隧穿氧化硅上制備本征多晶硅或本征非晶硅，然后將本征多晶硅或本征非晶硅所處環(huán)境溫度升高至800-900℃，具體包括：通過化學(xué)氣相沉積法在所述隧穿氧化硅上制備本征多晶硅或本征非晶硅；所述化學(xué)氣相沉積為lpcvd時(shí)，沉積溫度是580-680℃；所述化學(xué)氣相沉積為pecvd時(shí)，沉積溫度是400-500℃；將化學(xué)氣相沉積設(shè)備沉積腔中的溫度升溫至800-900℃；升溫速率是5-10℃/分鐘，氣氛為惰性氣體。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子注入的次數(shù)大于等于一次；若大于一次，每一次離子注入能量和劑量不同；所述離子注入的能量是500ev-500kev，劑量是5·1014-5·1016cm-2；離子注入傾角是0度或者是0.1-10度；離子注入過程中硅襯底的溫度是0-100℃。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)于離子注入硼摻雜，所述快速熱處理的峰值溫度是900-1100℃，峰值溫度下的退火時(shí)間是5-150秒，升溫速率是100-250℃/秒，降溫速率是150-200℃/分鐘，氣氛是惰性氣體；
5.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述鈍化接觸區(qū)為局部定域的空穴或電子鈍化接觸區(qū)時(shí)，采用掩膜式離子注入的方式對(duì)充分晶化后的本征多晶硅進(jìn)行局部定域的硼或磷摻雜。
6.一種制備鈍化接觸電池的方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的方法制備所述鈍化接觸電池的鈍化接觸區(qū)。
7.一種鈍化接觸電池，其特征在于，其具有的鈍化接觸區(qū)包括空穴鈍化接觸區(qū)和/或電子鈍化接觸區(qū)；所述鈍化接觸區(qū)采用如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述基于離子注入制備鈍化接觸區(qū)的方法制備。
8.如權(quán)利要求7所述的鈍化接觸區(qū)，其特征在于，所述鈍化接觸區(qū)為空穴鈍化接觸區(qū)時(shí)，摻硼多晶硅外側(cè)表面的硼摻雜濃度不低于1·1020cm-3，在摻硼多晶硅/隧穿氧化硅界面處的硼摻雜濃度不低于5·1019cm-3，且摻硼多晶硅外側(cè)表面的硼摻雜濃度與摻硼多晶硅/隧穿氧化硅界面處的硼摻雜濃度的差值小于摻硼多晶硅外側(cè)表面的硼摻雜濃度的10％；
9.如權(quán)利要求8所述的鈍化接觸區(qū)，其特征在于，所述鈍化接觸區(qū)為空穴鈍化接觸區(qū)時(shí)，對(duì)于體電阻率在0.5-10ω·cm的硅襯底：
10.如權(quán)利要求8所述的鈍化接觸區(qū)，其特征在于，所述鈍化接觸區(qū)為空穴鈍化接觸區(qū)時(shí)，摻硼多晶硅外側(cè)表面的硼摻雜濃度是1·1020-5·1020cm-3，在摻硼多晶硅/隧穿氧化硅界面處的硼摻雜濃度是5·1019-5·1020cm-3；