1.一種鉛鹽紅外傳感陣列結(jié)構(gòu)，從下至上依次包括襯底、由若干探測(cè)單元組成的探測(cè)單元陣列、m列縱向電極、鈍化絕緣層、n行橫向電極，其特征在于：m×n陣列，4≤m≤320，4≤n≤240，探測(cè)單元包括探測(cè)單元鉛鹽敏感元、探測(cè)單元連接電極、探測(cè)單元共用電極以及探測(cè)單元異質(zhì)pn結(jié)，探測(cè)單元連接電極、探測(cè)單元共用電極分別設(shè)置于探測(cè)單元鉛鹽敏感元同一平面兩側(cè)，m列縱向電極與若干探測(cè)單元的探測(cè)單元鉛鹽敏感元、探測(cè)單元連接電極、探測(cè)單元共用電極位于同一平面，所述鈍化絕緣層完整包覆若干探測(cè)單元的探測(cè)單元鉛鹽敏感元、探測(cè)單元連接電極、探測(cè)單元共用電極和m列縱向電極，在探測(cè)單元共用電極、各列縱向電極焊盤(pán)區(qū)位置對(duì)應(yīng)設(shè)有鈍化絕緣層通孔，通孔面積大小占下方電極面積的60％-70％，在所述探測(cè)單元共用電極對(duì)應(yīng)位置的通孔內(nèi)嵌入探測(cè)單元異質(zhì)pn結(jié)，所述鈍化絕緣層與探測(cè)單元異質(zhì)pn結(jié)處于同一平面，在所述若干嵌有探測(cè)單元異質(zhì)pn結(jié)的位置上方設(shè)置n行橫向電極與橫向電極焊盤(pán)區(qū)，橫向電極焊盤(pán)區(qū)設(shè)置于各行橫向電極同一側(cè)，用于進(jìn)行各列探測(cè)單元信號(hào)連通。
2.如權(quán)利要求1所述的一種鉛鹽紅外傳感陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述探測(cè)單元鉛鹽敏感元間隔取決于其尺寸；所述探測(cè)單元鉛鹽敏感元材質(zhì)為硫化鉛或硒化鉛中的一種，厚度為0.4-2um。
3.如權(quán)利要求1所述的一種鉛鹽紅外傳感陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述探測(cè)單元連接電極材質(zhì)為鉻、銀、鈦、鉬、金、銅、鎳中的一種或多種組合，所述探測(cè)單元共用電極材質(zhì)為鉻、銀、鈦、鉬、金、銅、鎳中的一種或多種組合，所述m列縱向電極的材質(zhì)為鉻、銀、鈦、鉬、金、銅、鎳中的一種或多種組合，所述n行橫向電極材質(zhì)為鉑、鎳、金中的一種或多種組合。
4.如權(quán)利要求1所述的一種鉛鹽紅外傳感陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述鈍化絕緣層材質(zhì)為硫化亞砷、碲化鎘、硒化鋅、氟化鎂、氟化鍶、氟化鋇、氟化鋁、氟化鈣、氧化銦、氧化鋁、和氧化硅中的一種或多種組合。
5.如權(quán)利要求1所述的一種鉛鹽紅外傳感陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底材質(zhì)為玻璃、陶瓷、硅、鍺和藍(lán)寶石中的一種。
6.如權(quán)利要求1所述的一種鉛鹽紅外傳感陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：探測(cè)單元異質(zhì)pn結(jié)的n型層材質(zhì)為n-zno、azo、cds、cdse中的一種或多種組合，p型層材質(zhì)為nio、cu2o、p-zno中的一種或多種組合。
7.如權(quán)利要求1所述的一種鉛鹽紅外傳感陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：
8.如權(quán)利要求7所述的一種鉛鹽紅外傳感陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，m列縱向電極、探測(cè)單元連接電極、探測(cè)單元共用電極的制備方法包括光刻、腐蝕、剝離、濺射方法；步驟(3)中，鈍化絕緣層的制備方法包括磁控濺射、原子層沉積制備方法。
9.如權(quán)利要求7所述的一種鉛鹽紅外傳感陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟(4)中，鈍化絕緣層通孔的制備方法包括光刻、腐蝕、剝離方法；步驟(6)中，所述n行橫向電極制備方法包括光刻、腐蝕、剝離、濺射方法。