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      電芯及用電設(shè)備的制作方法

      文檔序號(hào):40386551發(fā)布日期:2024-12-20 12:09閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種電芯,其特征在于,包括外殼和電極組件,所述電極組件收容于所述外殼;

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述第一空箔區(qū)和所述第二空箔區(qū)位于所述第一極片組沿第三方向的一端;

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電芯,其特征在于,所述第一極片具有第一涂覆區(qū),沿所述第二方向,所述第一涂覆區(qū)的一部分位于所述第一缺口和所述第一空箔區(qū)之間;

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電芯,其特征在于,所述第一缺口和所述第一空箔區(qū)分別位于所述第一極片的兩個(gè)角位;

      5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電芯,其特征在于,所述第三極片具有第三涂覆區(qū),沿所述第二方向,所述第三涂覆區(qū)的一部分位于所述第三缺口和所述第三空箔區(qū)之間;

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電芯,其特征在于,所述第三缺口和所述第三空箔區(qū)分別位于所述第三極片的兩個(gè)角位;

      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電芯,其特征在于,0≤d1-(w2-w1)≤2mm。

      8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電芯,其特征在于,沿所述第二方向,所述第二極片的寬度為w1,所述第四極片的寬度為w2,滿足1mm≤w2-w1≤3/4*w2。

      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電芯,其特征在于,1mm≤w2-w1≤1/2*w2。

      10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電芯,其特征在于,所述第三空箔區(qū)位于所述第三極片的一個(gè)角位,所述第三極片包括第三涂覆區(qū),沿所述第二方向,所述第三缺口的兩側(cè)均設(shè)置有所述第三涂覆區(qū);

      11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電芯,其特征在于,所述第一極片組具有沿所述第二方向相對的第一端和第二端,所述第二極片組具有沿所述第二方向相對的第三端和第四端,所述第一端與所述第三端平齊,所述第四端超出所述第二端。

      12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電芯,其特征在于,所述第一空箔區(qū)和所述第二空箔區(qū)位于所述第一極片組沿所述第二方向的一端,所述第二極片組超出所述第一極片組沿所述第二方向的另一端;

      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電芯,其特征在于,所述第三缺口和所述第三空箔區(qū)分別位于所述第三極片的兩個(gè)角位,所述第三極片具有第三涂覆區(qū),沿第三方向,所述第三涂覆區(qū)的一部分位于所述第三缺口和所述第三空箔區(qū)之間;

      14.根據(jù)權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的電芯,其特征在于,所述第一極片為正極極片,所述第二極片為負(fù)極極片;

      15.根據(jù)權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的電芯,其特征在于,所述電芯包括第一電連接件、第二電連接件,所述第一電連接件和所述第二電連接件位于所述電極組件的同一側(cè),所述第一電連接件與所述第一空箔區(qū)和所述第三空箔區(qū)連接,所述第二電連接件與所述第二空箔區(qū)和所述第四空箔區(qū)連接;

      16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電芯,其特征在于,沿所述第一電連接件伸出所述外殼的方向,所述第一密封部背向所述主體部的表面至所述主體部面向所述第一密封部的表面的距離為s,滿足0.2mm≤s≤0.5mm。

      17.一種用電設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至16任一項(xiàng)所述的電芯,所述電芯用于提供電能。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請?zhí)峁┝艘环N電芯及用電設(shè)備,該電芯的電極組件包括第一極片組和第二極片組,第一極片組沿第二方向的長度小于第二極片組沿第二方向的長度;第一極片組包括極性相反的第一極片和第二極片,每個(gè)第一極片的第一空箔區(qū)與第二極片的第二缺口至少部分重疊,每個(gè)第二極片的第二空箔區(qū)與第一極片的第一缺口至少部分重疊;第二極片組包括極性相反的第三極片和第四極片,每個(gè)第三極片的第三空箔區(qū)與第四極片的第四缺口至少部分重疊,每個(gè)第四極片的第四空箔區(qū)與第三極片的第三缺口至少部分重疊;第一極片與第三極片極性相同,第一空箔區(qū)的至少部分與第三空箔區(qū)重疊,第二空箔區(qū)的至少部分與第四空箔區(qū)重疊。能夠提高電芯的能量密度。

      技術(shù)研發(fā)人員:張國文,程一峰,李斯棠
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:寧德新能源科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/19
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