本發(fā)明涉及鋁電解電容器，具體涉及一種鋁電解電容器用高強(qiáng)度燒結(jié)箔的制備方法。

背景技術(shù)：

1、傳統(tǒng)鋁電解電容器用電極箔通過對(duì)鋁光箔進(jìn)行化學(xué)/電化學(xué)腐蝕造孔從而提高比表面積，此方法需要消耗大量酸液，且產(chǎn)生的廢液增加了環(huán)保成本。近年來，出現(xiàn)了通過在鋁基底表面燒結(jié)鋁粉代替電化學(xué)蝕刻獲得高比表面積的方法。

2、專利技術(shù)文獻(xiàn)cn115064387a?公開了一種基于燒結(jié)鋁粉的陽極箔的制備方法包括以下步驟，1）將鋁粉或者鋁合金粉漿料放入到溶劑中分散均勻；2）在溶劑中加入粘結(jié)劑；3）將步驟2）的漿料涂覆在鋁箔基體上；4）燒結(jié)；第一階段，將溫度升到80-150℃，并且保溫20min；第二階段，將溫度緩慢升到400-500℃，保溫1-2h，在第二階段的保溫階段通入還原性氣體；第三階段，將溫度升高到630-659℃，燒結(jié)1-5h形成燒結(jié)箔，在第三階段通入有還原性氣體；5）化成得到陽極箔。在本發(fā)明中在進(jìn)行燒結(jié)的時(shí)候惰性保護(hù)性氣體中加入有還原性氣體，這能夠保證鋁粉或者鋁合金粉在燒結(jié)的時(shí)候不會(huì)被氧化，從而保證燒結(jié)質(zhì)量。

3、雖然粉末燒結(jié)箔可獲得大于腐蝕箔的比表面積，且制備過程不使用各種腐蝕酸，大幅降低了環(huán)保負(fù)荷和經(jīng)濟(jì)成本。然而，目前燒結(jié)箔制備過程常因鋁粉聚集而導(dǎo)致機(jī)械強(qiáng)度差和比表面積低，且燒結(jié)后的碳?xì)埩粲绊懥藷Y(jié)箔的電性能。因而，亟待技術(shù)人員解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種鋁電解電容器用高強(qiáng)度燒結(jié)箔的制備方法，以解決傳統(tǒng)的燒結(jié)箔因鋁粉聚集而導(dǎo)致機(jī)械強(qiáng)度差和比表面積低，且燒結(jié)后的碳?xì)埩粲绊懥藷Y(jié)箔的介電性能的問題。

2、基于上述目的，本發(fā)明提供了一種鋁電解電容器用高強(qiáng)度燒結(jié)箔的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

3、s1：將改性碳量子點(diǎn)粉末、鋁粉、粘結(jié)劑、添加劑和溶劑混合，攪拌均勻后，得到混合漿料；

4、s2：將混合漿料涂覆于鋁箔表面，真空干燥；

5、s3：將步驟s2所得鋁箔進(jìn)行燒結(jié)，得到燒結(jié)箔；

6、s4：將燒結(jié)箔進(jìn)行化成，得到鋁電解電容器用高強(qiáng)度燒結(jié)箔；

7、步驟s1中所述改性碳量子點(diǎn)粉末的制備步驟如下：

8、將碳量子點(diǎn)分散在乙醇中，超聲均勻后，調(diào)節(jié)ph為7-9，隨后加入10-15ml?n-（2-氨基乙基）-3-氨基丙基三甲氧基硅烷，在40-60℃下，反應(yīng)12-20h，離心、洗滌、過濾、干燥得到改性碳量子點(diǎn)粉末；

9、所述碳量子點(diǎn)、n-（2-氨基乙基）-3-氨基丙基三甲氧基硅烷和乙醇的用量比為10g:10-15ml:150-200ml；

10、所述碳量子點(diǎn)的粒徑為1-10nm。

11、優(yōu)選地，步驟s1中所述改性碳量子點(diǎn)粉末和鋁粉的重量比為0.01-0.1:1。

12、優(yōu)選地，步驟s1中所述粘結(jié)劑為環(huán)氧樹脂、聚偏氟乙烯、羧甲基纖維素和丙烯酸樹脂中的一種。

13、優(yōu)選地，步驟s1中所述添加劑為十二烷基苯磺酸鈉、硬脂酸和聚乙烯醇中的一種。

14、優(yōu)選地，步驟s1中所述溶劑為乙醇、乙二醇、n-甲基吡咯烷酮中的一種。

15、優(yōu)選地，步驟s1中所述鋁粉與溶劑的用量比1g:2ml。

16、優(yōu)選地，所述粘結(jié)劑的用量為溶劑質(zhì)量的3%-5%。

17、優(yōu)選地，添加劑的用量為溶劑質(zhì)量的1%-5%。

18、優(yōu)選地，步驟s1中所述鋁粉的純度在99.9%以上，粒徑為10-50μm。

19、優(yōu)選地，步驟s1中所述混合方式為超聲混合、機(jī)械攪拌和研磨中的一種。

20、優(yōu)選地，步驟s2中所述涂覆的方式為刷涂、滾涂和噴涂中的一種。

21、優(yōu)選地，步驟s2中所述鋁箔的厚度為30-80μm。

22、優(yōu)選地，步驟s2中所述真空干燥的溫度為40-200℃，其目的是為了避免溶劑蒸發(fā)過程中粉體的團(tuán)聚。

23、優(yōu)選地，步驟s3中所述燒結(jié)燒結(jié)程序?yàn)樵诘獨(dú)夥諊?，先?00-450℃下保溫1-10h，隨后在500-650℃下保溫1-5?h。

24、優(yōu)選地，步驟s4中所述化成的具體步驟為將燒結(jié)箔水煮后依次進(jìn)行、一級(jí)化成、二級(jí)化成、三級(jí)化成、四級(jí)化成，鈍化、后一化成、熱處理、后二化成、鈍化。

25、優(yōu)選地，所述水煮為將燒結(jié)箔置于90-98℃水中煮5-20min。

26、優(yōu)選地，所述一級(jí)化成的工藝為將鋁箔置于質(zhì)量百分比濃度為1%-20%的硼酸和0.2%-5%的五硼酸銨溶液中，且在80-98℃、電流密度為0.1?a/cm2、電壓為200v條件下進(jìn)行，化成時(shí)間為10-20min。

27、優(yōu)選地，所述二級(jí)化成的工藝為將鋁箔置于質(zhì)量百分比濃度為1%-10%的硼酸和質(zhì)量百分比濃度為為0.2%-2%的五硼酸銨溶液中，且在80-98℃、電流密度為0.1?a/cm2、430v的條件下進(jìn)行二級(jí)化成，化成時(shí)間為10-20min。

28、優(yōu)選地，所述三級(jí)化成的工藝為將鋁箔置于質(zhì)量百分比濃度為2%-10%的硼酸和質(zhì)量百分比濃度為0.1%-1%的五硼酸銨溶液中，且在80-98℃、電流密度為0.1?a/cm2、590v的條件下進(jìn)行三級(jí)化成，化成時(shí)間為8-15?min。

29、優(yōu)選地，所述四級(jí)化成的工藝為將鋁箔置于質(zhì)量百分比濃度為4%-10%的硼酸和質(zhì)量百分比濃度為0.1%-1%的五硼酸銨溶液中，且在80-98℃、電流密度為0.1?a/cm2、620v的條件下進(jìn)行四級(jí)化成，化成時(shí)間為15-30?min。

30、優(yōu)選地，所述鈍化的工藝為將鋁箔將其置于質(zhì)量百分比濃度為3%-6%的磷酸溶液中，溫度控制在50-80℃，沉浸時(shí)長為5-10?min。

31、優(yōu)選地，所述后一化成的工藝為將鋁箔置于質(zhì)量百分比濃度為10%-12%的硼酸和質(zhì)量百分比濃度為0.1%-1%的五硼酸銨溶液中，且在80-98℃、電流密度為0.1?a/cm2、620v的條件下進(jìn)行后一化成，化成時(shí)間為5-8min。

32、優(yōu)選地，所述熱處理的工藝為將鋁箔在400-550℃下，保溫2-5min。

33、優(yōu)選地，所述后二化成的工藝為將鋁箔置于質(zhì)量百分比濃度為4%-9%的硼酸和質(zhì)量百分比濃度為0.1%-1%的五硼酸銨溶液中，且在80-95℃、電流密度為0.1?a/cm2、620v的條件下進(jìn)行后二化成，化成時(shí)間為5-10?min。

34、優(yōu)選地，所述鈍化的工藝為將鋁箔將其置于質(zhì)量百分比濃度為1%-5%的磷酸二氫銨溶液中，在60-80℃下浸漬5-8min。

35、本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的鋁電解電容器用高強(qiáng)度燒結(jié)箔，與傳統(tǒng)電化學(xué)腐蝕工藝相比，無需消耗大量酸液，避免了廢酸的產(chǎn)生，降低了環(huán)保壓力和經(jīng)濟(jì)成本。

36、本發(fā)明的鋁電解電容器用高強(qiáng)度燒結(jié)箔，通過將鋁粉與改性碳量子點(diǎn)混合，將其涂覆于鋁箔表面進(jìn)而得到的燒結(jié)箔，相對(duì)于傳統(tǒng)工藝制備的燒結(jié)箔，其比容以及機(jī)械強(qiáng)度得到了進(jìn)一步提升，剝離面積進(jìn)一步降低，并且，其在保持了較高的比容以及機(jī)械強(qiáng)度的同時(shí)，降低了粘結(jié)劑的使用，從而降低了碳?xì)埩?，提高燒結(jié)箔的介電性能。