在鍵合引線32的端面38上方并間隔開。為暴露端面38，可去除封裝層42位于端面38上方的部分，暴露的新表面44基本與端面38平齊，如圖7所示。在另一替代實施例中，封裝層42可形成為，表面44已基本與端面38平齊，或表面44低于端面38。如果需要去除封裝層42的一部分時，可通過研磨、干法蝕刻、激光燒蝕、濕法蝕刻、磨光或類似方法來完成。如果需要時，鍵合引線32的末端36的一部分也可在同一步驟中或另一步驟中去除，以獲得基本平坦且與表面44基本平齊的端面38。在特定示例中，封裝劑可涂布在微電子元件22、鍵合引線34及可圖案化的導(dǎo)電元件28上，而并不使用模具，多余的封裝劑可在涂布后去除，以暴露鍵合引線的端面，如通過拋光或上述方法中其他的一種或多種方法。
[0066]在介電層42形成后，可通過化學(xué)或機械蝕刻(如激光蝕刻或類似方法)使導(dǎo)電材料層28 '圖案化，以制成導(dǎo)電元件28和/或跡線31，所需的導(dǎo)電元件28或跡線31通過去除部分導(dǎo)電材料、并在所需位置留下部分導(dǎo)電材料而形成。這樣做可以使鍵合引線32與微電子元件22的觸點24之間生成選擇性的互連，或形成偏離相應(yīng)鍵合引線32的導(dǎo)電元件28，鍵合引線與導(dǎo)電元件通過跡線31連接。在一些實施例中，可形成導(dǎo)電通路25，以使跡線31或墊形式的導(dǎo)電特征28與微電子觸點24連接。
[0067]如圖10所示，然后可減薄封裝10，以使表面44與鍵合引線32的端面38平面化。這可包括，在表面44上暴露微電子元件22的表面，其還可包括減薄微電子元件自身的厚度。附加地或替代地，導(dǎo)電特征28和/或跡線31可形成在表面44上方，如上所述。這可通過在表面44上方沉積或接合導(dǎo)電層、然后圖案化該層以形成該導(dǎo)電元件28和跡線31而完成。
[0068]圖15和圖16示出的微電子封裝110與圖9所示的結(jié)構(gòu)類似，只是微電子元件110為“面向上”布置。在這種布置中，微電子觸點124設(shè)置為朝向封裝層142的表面144。此夕卜，通過暴露在表面144上的導(dǎo)電特征128和跡線131，微電子元件122可與鍵合引線132的圖案連接。如圖15和圖16所示，通過從表面144延伸至觸點124的金屬通路125，這些跡線131和導(dǎo)電元件128可與微電子觸點124連接。
[0069]如圖15所示，通過表面144上暴露的跡線131和導(dǎo)電元件128而實現(xiàn)的布線，可為封裝110內(nèi)僅有的布線，研磨表面45以去除導(dǎo)電材料層128 '(圖14)，還可進一步去除封裝劑材料、基底134及全部或部分的附接層120。替代地，如圖16所示，導(dǎo)電布線元件還可包括在表面145上陣列內(nèi)的用于某種用途或再分布的可潤濕觸點。在其他示例中，通過表面144上的布線，指定的鍵合引線可與微電子元件122連接，通過表面145上與該指定的鍵合引線連接的布線，該指定的鍵合引線也可與其他鍵合引線連接。
[0070]圖13和圖14示出了在處理步驟中的微電子封裝110，可生成圖15和圖16中已完成封裝I1中的一個。特別地，圖13和圖14所示的封裝110具有面向上結(jié)合在導(dǎo)電材料層128'上的微電子元件122。類似地，鍵合引線132已與導(dǎo)電材料層28 '的表面30 '接合，并根據(jù)任一上述過程形成。此外，根據(jù)上述的任意變例過程，已在表面130 '的暴露部分上、鍵合引線132上和微電子元件122上沉積封裝層142。然后以導(dǎo)電元件128和跡線131形式的布線電路，可在封裝層142的表面144上方形成，以使鍵合引線132與微電子元件122連接。
[0071]在此時，可通過研磨、拋光、磨光或如上所述的其他工藝進一步處理封裝110，以去除材料生成圖15所示的封裝110。替代地，可通過圖案化導(dǎo)電材料層128而形成附加布線，以在所需結(jié)構(gòu)中形成導(dǎo)電元件128和跡線131，如參照圖8和圖9在上文所述。
[0072]圖17至圖21示出封裝的各種布置，與上述的封裝具有類似的總體結(jié)構(gòu)，只是利用了多個微電子元件。在一個示例中，如圖17和圖18示出的微電子封裝210，具有嵌入封裝層242內(nèi)且面向下布置的微電子元件222A、及面向上布置的另一微電子元件222B。這種封裝210可利用的導(dǎo)電布線電路，為以在封裝層242的兩表面244及245兩者上方互連的導(dǎo)電元件228和跡線231形式。附加地，指定的鍵合引線232可用于通過布線電路使微電子元件222k與微電子元件222B電連接，布線電路與該指定鍵合引線在每個端面35和38上連接，并分別與每個微電子元件222A和222B上的至少一個電觸點224連接。這種封裝210可通過與參照圖1至圖16在上文所述類似的方法制成。
[0073]圖19和圖20示出的微電子封裝310的布置，與圖17和圖18中所示類似，只是具有面向上布置并結(jié)合在微電子元件322B的表面326上方的附加微電子元件322C。為方便微電子元件322B與表面344上方的導(dǎo)電布線電路的連接，微電子元件322C可比微電子元件322B小，或可相對偏離，使得微電子元件322B的觸點324不被微電子元件322C覆蓋。這種連接可通過與元件觸點324連接的金屬通路325，或與微電子元件322B的觸點324接合且未被表面344上的封裝層342覆蓋的附加鍵合引線364來實現(xiàn)。如上所述，電子元件322A、322B、322C中任意兩個之間的布線可通過指定鍵合引線332及與其連接的適當布置的布線電路而實現(xiàn)。
[0074]在圖21所示的另一示例中，微電子封裝410可與圖17和圖18中所示類似，只是具有附加鍵合引線466，在微電子元件422B (朝向封裝層442的表面444設(shè)置)的一個或多個觸點424與封裝層442的表面445上方的部分布線電路之間連接。在所示的示例中，該鍵合引線466可用于實現(xiàn)微電子元件422B與微電子元件422A之間的連接，微電子元件422A具有朝向封裝層442的表面445設(shè)置的觸點424。如圖所示，鍵合引線466可與跡線431 (或?qū)щ娫?，如果需?接合，跡線進一步與金屬通路425連接，而金屬通路與微電子元件422A的元件觸點424電連接。
[0075]如上所述的結(jié)構(gòu)可在不同電子系統(tǒng)中利用。例如，根據(jù)本發(fā)明另一實施例的系統(tǒng)611，包括與其他電子兀器件613和615聯(lián)接的、如上所述的微電子封裝610。在所描述的示例中，元器件613為半導(dǎo)體芯片而615為顯示屏，但任意其他元器件都可使用。當然，盡管為了圖示清楚起見，圖24中只示出了兩個附加元器件，系統(tǒng)可包括任意數(shù)量的這種元器件。如上所述，微電子封裝610可為如，與圖9相關(guān)連在上文所述的微電子封裝，或參照圖23在上文所述的包含多個微電子封裝的結(jié)構(gòu)。封裝610可進一步包括圖13至圖22所描述的任意一個實施例。在另一變例中，可提供多種變化，且可采用任意數(shù)量的這種結(jié)構(gòu)。
[0076]微電子封裝610和元器件613、615，被安裝在圖中以虛線示意性地描述的共同的外殼619內(nèi)，且當需要時可彼此之間電互連，以形成所需電路。在所示的示例性系統(tǒng)中，系統(tǒng)包括如柔性印刷電路板等的電路板617，電路板包括大量的使元器件之間彼此電互連的導(dǎo)電體621，但在圖24中只示出了一個。然而，這僅是為了示例的目的，用于形成電連接的任意適當結(jié)構(gòu)都可使用。
[0077]圖示的外殼619為便攜式類型的外殼，例如用于移動電話或個人數(shù)字助理，顯示屏615暴露在外殼表面。其中微電子封裝610包括如成像芯片等的光敏元件，還可配置鏡頭623或其他光學(xué)器件，以提供光至結(jié)構(gòu)的路線。同樣，圖24內(nèi)所示的簡化系統(tǒng)只是示例，其他系統(tǒng)，包括一般視為固定結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，如臺式計算機、路由器及類似的結(jié)構(gòu)，都可應(yīng)用上述的結(jié)構(gòu)而制成。
[0078]盡管本發(fā)明參照特定實施例進行描述，可以理解的是，這些實施例只是說明本發(fā)明的原理和應(yīng)用。因此，應(yīng)理解為，在不偏離由附加的權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明實質(zhì)和范圍的情況下，說明的實施例可做出許多修改及可設(shè)計出其他布置。
【主權(quán)項】
1.用于制造微電子單元的方法，包括如下步驟: 在第一表面上形成復(fù)數(shù)條鍵合引線，所述第一表面為包含可圖案化的金屬元件的結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電結(jié)合表面，所述鍵合引線具有與所述第一表面接合的基底和遠離所述基底且遠離所述第一表面的端面，所述鍵合引線進一步具有在所述基底與所述端面之間延伸的邊緣表面； 在所述導(dǎo)電層的第一表面的至少一部分上及所述鍵合引線的一部分上形成介電封裝層，使得所述鍵合引線的未被封裝的部分由所述端面或未被封裝層覆蓋的所述邊緣表面的部分中的至少一個來限定；及 選擇性地圖案化所述金屬元件，以形成通過至少部分的所述封裝層而相互之間絕緣的第一導(dǎo)電元件，其中至少一些鍵合引線位于所述第一導(dǎo)電元件的頂上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在進行去除部分的所述導(dǎo)電層的步驟時，微電子元件包含在所述結(jié)構(gòu)內(nèi)并與所述導(dǎo)電層電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成介電封裝層的步驟進行時，所述微電子元件已與所述導(dǎo)電層電連接，使得所述封裝層至少部分地覆蓋其至少一個表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中至少一些所述第一導(dǎo)電元件在相對應(yīng)的所述鍵合引線與所述微電子元件之間電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括在所述封裝層的第二表面上方形成再分布層的步驟，所述再分布層包括沿至少一個橫向方向偏離所述鍵合引線的未暴露部分的導(dǎo)電觸點。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中至少一些所述鍵合引線形成為，使得其端面沿一個或多個橫向