陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件中，其結(jié)構(gòu)由下到上依次設(shè)置有基板、陽極、有機(jī)發(fā)光材料層和陰極。其中，有機(jī)發(fā)光材料層的折射率通常為1.7-2.0、陽極的折射率通常為1.8-1.9、基板的折射率通常約為1.5-1.5-1.7之間，由于捕獲的光束在有機(jī)發(fā)光材料層/陽極、陽極/基板間、以及基板/空氣間的折射率差異產(chǎn)生了反射及全反射現(xiàn)象，使得光束不得不被局限在陽極或基板內(nèi)無法放射出來而造成發(fā)光的損失，從而影響外部量子的效率非常低，僅為20%。
[0003]由于陽極/基板間的折射率差異相對較大，所以對于光的提取效率也影響較大，使得器件的整體出光效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題為:一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中出光效率低的技術(shù)問題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明的第一方面提供了一種陣列基板的制作方法，包括在基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管陽極的步驟，其特征在于，在形成所述有機(jī)發(fā)光二極管陽極的步驟之前，所述方法還包括:至少在陽極與基板之間形成微透鏡層，所述微透鏡層的材料為氮氧化鋅。
[0007]可選的，形成的所述微透鏡層對應(yīng)覆蓋整個基板表面。
[0008]可選的，所述在形成有機(jī)發(fā)光二極管的陽極之前形成微透鏡層，包括:
[0009]通過成膜工藝在基板上形成氮氧化鋅薄膜后進(jìn)行退火工藝，然后利用酸或堿對氮氧化鋅薄膜進(jìn)行處理，使所述氮氧化鋅薄膜表面形成具有球形或半球形的凸起，多個所述凸起構(gòu)成所述微透鏡層?？蛇x的，所述退火工藝的退火溫度范圍為350?500攝氏度，退火時間范圍為10分鐘?3小時。
[0010]可選的，所述利用酸或堿對氮氧化鋅薄膜進(jìn)行處理，所述堿為質(zhì)量濃度0.1%?5%氫氧化鈉的水溶液、0.1%?5%氫氧化鉀的水溶液或0.1%?5%碳酸鈉的水溶液；所述酸為質(zhì)量濃度0.1%?5%鹽酸、質(zhì)量濃度0.1%?5%醋酸、質(zhì)量濃度0.1%?5%草酸或質(zhì)量濃度0.1%?5%硝酸。
[0011]可選的，所述微透鏡層的厚度范圍為40?150nm。
[0012]可選的，在形成所述陽極之前所述方法還包括形成薄膜晶體管的步驟，所述陽極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0013]可選的，所述方法還包括:在所述薄膜晶體管表面形成鈍化層；
[0014]在所述鈍化層上形成所述微透鏡層，對所述鈍化層與所述微透鏡層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成暴露所述薄膜晶體管漏極的過孔；
[0015]在所述微透鏡層上形成所述陽極，所述陽極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接；
[0016]或者所述方法還包括:
[0017]在所述薄膜晶體管表面形成鈍化層，在鈍化層上形成平坦層；
[0018]在所述平坦層上形成所述微透鏡層，對所述鈍化層、平坦層和所述微透鏡層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成暴露所述薄膜晶體管漏極的過孔；
[0019]在所述微透鏡層上形成所述陽極，所述陽極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0020]可選的，所述薄膜晶體管還包括柵極絕緣層，所述微透鏡層直接形成在所述柵極絕緣層之上；或者，
[0021]所述微透鏡層直接形成在所述基板之上；或者，
[0022]所述陣列基板還包括彩色樹脂層，所述微透鏡層直接形成在所述彩色樹脂層之上。
[0023]可選的，所述陽極材料為氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化銦錫鋅、氧化銦鎵鋅中的一種或其組合；所述基板材料為玻璃或者塑料。
[0024]可選的，所述微透鏡層為多個凸透鏡。
[0025]本發(fā)明的第二方面提供了一種陣列基板，
[0026]所述陣列基板包括有機(jī)發(fā)光二極管陽極以及至少在所述陽極與基板之間設(shè)置的微透鏡層，所述微透鏡層的材料為氮氧化鋅。
[0027]可選的，形成的所述微透鏡層對應(yīng)覆蓋整個基板表面。
[0028]可選的，所述陽極材料為氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化銦錫鋅、氧化銦鎵鋅中的一種或其組合，所述基板材料為玻璃或者塑料。
[0029]可選的，所述微透鏡層為多個凸透鏡。
[0030]可選的，所述氮氧化鋅表面具有球形或半球形的凸起，所述微透鏡層的厚度范圍為 40 ?150nm。
[0031]可選的，所述陣列基板還包括薄膜晶體管，所述陽極所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0032]可選的，所述陣列基板還包括位于薄膜晶體管之上的鈍化層，所述微透鏡層位于所述鈍化層與所述陽極之間，所述鈍化層與所述微透鏡層具有暴露所述薄膜晶體管漏極的過孔，所述陽極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接；或者
[0033]所述陣列基板還包括位于薄膜晶體管之上的鈍化層以及位于鈍化層上的平坦層，所述微透鏡層位于所述平坦化層和所述陽極之間，所述鈍化層、所述平坦層與所述微透鏡層具有暴露所述薄膜晶體管漏極的過孔，所述陽極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0034]可選的，所述薄膜晶體管還包括柵極絕緣層，所述微透鏡層直接形成在所述柵極絕緣層之上；或者，
[0035]所述微透鏡層直接形成在所述基板之上；或者，
[0036]所述陣列基板還包括彩色樹脂層，所述微透鏡層直接形成在所述彩色樹脂層之上。
[0037]本發(fā)明的第三方面提供了一種顯示面板，包括:以上所述的陣列基板。
[0038]本發(fā)明的第三方面提供了一種顯示裝置，包括:以上所述的顯示面板。
[0039]本發(fā)明所提供的陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置中，在在形成所述有機(jī)發(fā)光二極管陽極的步驟之前，所述方法還包括:至少在陽極與基板之間形成微透鏡層，所述微透鏡層的材料為氮氧化鋅。微透鏡層可對從陽極射出的光線進(jìn)行折射，使得從陽極射出的四面八方的光匯聚，經(jīng)過微透鏡層匯聚后的光其相對于基板的入射角將變小。相比于不設(shè)置微透鏡層的陣列基板，本發(fā)明實施例提供的方法制作的陣列基板更不易發(fā)生全反射，因而具有更尚的出光效率，有利于實現(xiàn)低功耗顯不。
【附圖說明】
[0040]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0041]圖1?4為本發(fā)明實施例所提供的陣列基板及其方法的的示意圖。
【具體實施方式】
[0042]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，均屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0043]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，現(xiàn)對實施例中部分描述作如下規(guī)定:
[0044]第一:為更好的描述本發(fā)明實施例中陣列基板中各結(jié)構(gòu)的位置關(guān)系，對實施方式中所用描述“上”、“下”、“在…之上”、“在…之下”做如下規(guī)定:對于所述陣列基板的結(jié)構(gòu)，以靠近或面對基板的方向為“下”，以遠(yuǎn)離基板方向為上。
[0045]第二:本發(fā)明陣列基板及其制備方法的實施例的描述中，“電連接”是一種功能性的描述，應(yīng)該理解的是，這樣的描述涵蓋了所述結(jié)構(gòu)間的直接接觸或通過其他的一個或多個中間導(dǎo)電結(jié)構(gòu)間接電性連接的情形。本實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括在基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管陽極的步驟，其特征在于，在形成有機(jī)發(fā)光二極管的陽極之前還包括:至少在陽極與基板之間形成微透鏡層，所述微透鏡層的材料為氮氧化鋅。
[0046]如圖1所示，陣列基板100的制作方法為在形成有機(jī)發(fā)光二極管陽極1021之前，至少在陽極1021與基板101之間形成微透鏡層103，所述微透鏡層103的材料為氮氧化鋅。
[0047]上述陣列基板的制作方法中，通過在有機(jī)發(fā)光二極管陽極1021和基板101之間形成微透鏡層103，微透鏡層103可對從陽極1021射出的光線進(jìn)行折射，如圖2所示，使得從陽極射出的四面八方的光匯聚，經(jīng)過微透鏡層匯聚后的光，其相對于基板101的入射角將變小。相比于不設(shè)置微透鏡層的陣列基板，本發(fā)明實施例提供制備方法制備的陣列基板更不易發(fā)生全反射，因而具有更高的出光效率，有利于實現(xiàn)低功耗顯示。并且，本發(fā)明實施例中，所述微透鏡層的材料為氮氧化鋅，氮氧化鋅材料透明，不影響陣列基板的透過率；氮氧化鋅折射率在1.9-2之間，有機(jī)發(fā)光二極管的陽極ITO折射率為1.8，基板的折射率為1.5-1.7之間，將氮氧化鋅設(shè)置于陽極1021和基板101之間，上述折射率的匹配使其匯聚效果更加突出；且申請人通過實驗發(fā)現(xiàn)，氮氧化鋅形成微透鏡層的工藝簡單易行，無需復(fù)雜的構(gòu)圖工藝即可形成微透鏡層，制程簡單，成本低，有利于實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。
[0048]可以理解的是，本發(fā)明解決的是陽極1021與基板101之間的出光問題，即傳統(tǒng)底發(fā)射結(jié)構(gòu)的出光問題，因此本發(fā)明實施例所述在所述的陽極1021與基底101的之間形成微透鏡層103可以理解為在陽極和基板之間且至少在對應(yīng)陽極在基板上的投影區(qū)域內(nèi)形成微透鏡層103。<