金屬祀反應(yīng)性?shī)櫳鋀形成晶體AZ0,晶體AZ0可 容易地粗趟化、清潔和移除（形成圖案）。晶體AZ0的晶粒結(jié)構(gòu)可提供適當(dāng)?shù)谋砻娲痔硕取?此外，AZ0易于通過酸性或堿性溶液粗趟化或移除。具體來說，沉積后粗趟化可通過酸蝕刻 之后堿清潔或也清潔和移除有機(jī)物的堿蝕刻來實(shí)現(xiàn)。蝕刻在室溫下用PH值為2的HC1溶 液來實(shí)現(xiàn)，由此用5砂的蝕刻時(shí)間將表面粗趟度從2. 9nmRa增加到9. OnmRa。 陽(yáng)19引 初始鋪合工巧108
[0199] 為了準(zhǔn)備其上具有釋放層的板（薄板和/或載體）的初始鍵合，可使用預(yù)熱步驟。 預(yù)熱步驟的一個(gè)目標(biāo)是清潔和/或形成釋放層之后驅(qū)除任何殘留的揮發(fā)物。預(yù)熱步驟有利 地在隨后在鍵合載體/薄板制品的裝置加工期間在接近或高于預(yù)期溫度的溫度下加熱板。 如果預(yù)熱期間使用的溫度小于預(yù)期裝置加工溫度，則在裝置加工期間可驅(qū)除附加揮發(fā)物， 使氣體累積在非鍵合區(qū)域，在某些情況下該可造成薄板從載體釋放或薄板斷裂。即使沒有 薄板的分離或斷裂，該些氣體也可能造成薄板隆起，該會(huì)使得其不適于在例如需要一定板 平坦度的設(shè)備和方法中進(jìn)行處理。
[0200] 加熱步驟可用于最小化或防止吸收的水在鍵合之前即刻形成在鍵合表面上，該大 大改進(jìn)真空和高溫下的性能并允許在載體與薄玻璃之間形成強(qiáng)烈鍵合。
[0201] 在鍵合工藝期間引起的諸如空氣、水或揮發(fā)物的捕集氣體在用戶處理期間會(huì)由于 升高的溫度（15(rc -60(TC )或真空環(huán)境而膨脹，該會(huì)導(dǎo)致薄玻璃分離、斷裂或W影響或干 涉用戶處理或處理設(shè)備的方式隆起。但是，對(duì)于鍵合玻璃表面需要輕基封端的表面W實(shí)現(xiàn) 薄玻璃與載體之間的鍵合。有從非鍵合（粗趟）區(qū)域移除物理吸附和化學(xué)吸附水而不移除 鍵合區(qū)域所需娃焼醇封端基團(tuán)之間的微妙平衡W保持薄玻璃與載體之間的鍵合。
[0202] 該平衡可通過W下鍵合表面準(zhǔn)備來實(shí)現(xiàn)。載體和薄玻璃首先在常規(guī)清潔線用堿性 洗涂劑和超聲攬拌清潔，并進(jìn)行DI水沖洗。接著是化等離子清潔，且在75C稀釋SCI浴 (40 ;1 ;2 DI:NH40H:H202或40 ;1 ;2 DI JTB100出2〇2)中進(jìn)行10分鐘。根據(jù)非鍵合表面的 性質(zhì)，載體和薄玻璃經(jīng)受15CTC 1分鐘的熱板烘烤W(wǎng)移除物理吸附的水，或經(jīng)受45CTC 1小 時(shí)的真空退火W移除化學(xué)吸附的晶片。在移除游離水之后，薄玻璃和載體很快接觸W通過 范德瓦爾斯力預(yù)鍵合，并在TM5CTC下進(jìn)行熱處理W形成共價(jià)鍵。
[0203] 在SCI清潔過程之后，人們預(yù)期玻璃表面飽含輕基（?4. 60H/nm2,該應(yīng)在冷凝后 形成2. 30H/nm2)，覆蓋有緊密結(jié)合的氨結(jié)合水的單層（?150H/nm2)，W及更松散結(jié)合游離 水（?2. 5單層）。在低至25C下在真空中失去游離水。據(jù)報(bào)告在真空下加熱到19(TC移 除氨結(jié)合水的單層。另外加熱到40(TC和W上移除除單娃焼醇基團(tuán)的所有物質(zhì)，但該降低表 面輕基化的程度。需要超過lOOOC的溫度來移除所有的輕基基團(tuán)，但根據(jù)本發(fā)明，該些對(duì)于 實(shí)現(xiàn)在載體上的薄板的合適性能并非必需。
[0204] 通過諸如氧化鉛慘雜的氧化鋒（AZ0)沉積的添加劑過程、或如反應(yīng)離子蝕刻的減 除過程的非鍵合區(qū)域的形成，或蝕刻膏形成增加的表面粗趟度，并可造成可增加吸收在表 面上水和其它氣體量增加的化學(xué)變化。具體來說，用含有N&OH和&化的SCI的AZ0的清 潔引起反應(yīng)形成的化(0H)2。該反應(yīng)大大增加表面粗趟度并形成白色朦賊表面。在加熱時(shí)， Zn(0H)2僅在125C下開始分解形成的ZnO和水。氨氧化鋒也從空氣中吸收二氧化碳W形 成穩(wěn)定到30(TC的碳酸鋒。
[0205] 該游離水、氨結(jié)合的水、和娃焼醇類對(duì)薄玻璃在由強(qiáng)結(jié)合周界和非鍵合中也組成 的載體上的相容性的影響可通過估算每個(gè)類中水的量并計(jì)算LTPS工藝典型的各種PVD、 CVD和慘雜劑活化步驟下通過理想氣體定律膨脹時(shí)施加的壓力來描述。
[0206] (表 1)
[0207]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種從通過鍵合區(qū)域鍵合到載體的薄板移除薄板的所需部分的方法，所述鍵合區(qū)域 圍繞非鍵合區(qū)域，所述薄板具有厚度，所述方法包括： 形成周界通氣孔，所述周界通氣孔限定所需部分的周界，其中所述周界通氣孔設(shè)置在 所述非鍵合區(qū)域內(nèi)且深度>所述薄板厚度的50%。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括；形成兩個(gè)釋放通氣孔，所述兩個(gè)釋 放通氣孔在所述非鍵合區(qū)域既不彼此平行也不共線。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括： 形成兩個(gè)釋放通氣孔，所述兩個(gè)釋放通氣孔彼此平行或共線，其中每個(gè)所述釋放通氣 孔在所述鍵合區(qū)域和非鍵合區(qū)域中延伸，W及 將所述釋放通氣孔蔓延穿過所述薄板和所述載體兩者，從而移除所述薄板和載體的允 許所需部分滑離所述載體的部分。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述釋放通氣孔在所述周界通氣孔的 500微米內(nèi)但不與所述周界通氣孔接觸。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括；使用激光形成通氣孔 中的至少一個(gè)。
6. -種形成基于薄板裝置的方法，包括： 通過圍繞非鍵合區(qū)域的鍵合區(qū)域?qū)⒈“甯竭B到載體； 處理所述薄板W在所述非鍵合區(qū)域上形成裝置；W及 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法移除所述薄板的所需部分。
7. -種制品，包括： 載體； 薄板； 鍵合區(qū)域，所述鍵合區(qū)域圍繞所述薄板的周界形成，將所述薄板保持到所述載體； 釋放層，所述釋放層設(shè)置成由所述鍵合區(qū)域圍繞，其中所述釋放層由在第一預(yù)定溫度 下未鍵合到所述薄板但在第二預(yù)定溫度下鍵合到所述薄板的材料制成，其中所述第二預(yù)定 溫度高于所述第一預(yù)定溫度。
8. 如權(quán)利要求7所述的制品，其特征在于，所述釋放層包括所述載體的表面上具有100 至500nm厚厚度的娃膜，其中所述娃膜的背向所述載體的表面使其表面脫氨。
9. 如權(quán)利要求8所述的制品，其特征在于，所述釋放層還包括所述薄板的面向所述載 體的表面上的金屬膜，其中所述金屬膜具有100至500皿的厚度。
10. 如權(quán)利要求9所述的制品，其特征在于，所述金屬選自將在>60(TC溫度下與娃形 成娃化物的族，且使得其由于姍射晶粒尺寸具有Ra > 2nm的表面粗趟度。
11. 如權(quán)利要求9或10所述的制品，其特征在于，所述金屬選自鉛、鋼和鶴。
12. 如權(quán)利要求7-11中任一項(xiàng)所述的制品，其特征在于，所述薄板是厚度《300微米的 玻璃。
13. 如權(quán)利要求7-12中任一項(xiàng)所述的制品，其特征在于，所述載體是厚度> 50微米的 玻璃。
14. 如權(quán)利要求7-13中任一項(xiàng)所述的制品，其特征在于，所述薄板和所述載體的組合 厚度為125至700微米。
15. -種從根據(jù)權(quán)利要求7-14中任一項(xiàng)所述的制品形成多個(gè)所需部分的方法，包括： 將所述釋放層局部加熱到>所述第二預(yù)定溫度的溫度W形成多個(gè)鍵合輪廓線。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，還包括；使用不使所述釋放層經(jīng)受高于所 述第一預(yù)定溫度的溫度的工藝在所述薄板上形成裝置。
17. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，還包括；根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的方 法移除所需部分。
18. -種在薄板上形成裝置的方法，包括： 將所述裝置的至少一部分加工到在制品的薄板上，其中所述制品包括厚度《300微米 并鍵合到厚度> 100微米的載體的薄板，且還有所述鍵合包括具有一鍵合強(qiáng)度的多個(gè)第一 區(qū)域和具有顯著高于所述第一鍵合強(qiáng)度的第二鍵合強(qiáng)度的第二區(qū)域； 將所述制品的至少所述載體切割，從而形成第一制品部分和第二制品部分，其中所述 第一制品部分包括所述多個(gè)第一區(qū)域中的一個(gè)和所述第二區(qū)域的至少一部分； 將所述裝置的附加部分加工到所述第一制品部分上。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述切割沿所述第二區(qū)域內(nèi)的線進(jìn)行。
20. 如權(quán)利要求18或權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，執(zhí)行所述切割使得所述第 一制品部分包括所述第二區(qū)域的圍繞其周界的至少一部分。
21. 如權(quán)利要求18-20中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括；從如權(quán)利要求1-6 中任一項(xiàng)所述的所述第一制品部分移除所述薄板的至少一部分。
22. -種切割設(shè)備，包括： 頭部，所述頭部具有多個(gè)孔； 激光源，所述激光源可選地聯(lián)接到所述多個(gè)孔中的第一孔從而將激光束輸送通過所述 第一孔；W及 冷卻流體源，所述冷卻流體源與所述多個(gè)孔中的至少第二孔和至少第H孔流體連通， 其中從所述第一孔延伸到所述第二孔的第一線相對(duì)于從所述第一孔延伸到所述第H孔的 第二線W第一角度設(shè)置。
23. 如權(quán)利要求22所述的切割設(shè)備，其特征在于，第一角度為90度，其中冷卻流體源也 與所述多個(gè)孔中的第四孔和所述多個(gè)孔中的第五孔流體連通，且此外從所述第一孔延伸到 所述第四孔的第H線與所述第一線基本上共線，且從所述第一孔延伸到所述第五孔的第四 線與所述第二線基本上共線。
24. 如權(quán)利要求23所述的切割設(shè)備，其特征在于，所述第一角度是不同于90度的角度 或其倍數(shù)。
25. -種切割設(shè)備，包括： 頭部，所述頭部具有多個(gè)孔； 激光源，所述激光源可選地聯(lián)接到所述多個(gè)孔中的第一孔從而將激光束輸送通過所述 第一孔；W及 冷卻流體源，所述冷卻流體源與所述多個(gè)孔中的至少第二孔流體連通， 其中所述頭部是可轉(zhuǎn)動(dòng)的。
26. 如權(quán)利要求22-25中任一項(xiàng)所述的切割設(shè)備，其特征在于，所述冷卻流體源是壓縮 空氣源。
27. 如權(quán)利要求22-26中任一項(xiàng)所述的切割設(shè)備，其特征在于，所述孔具有《1mm的直 徑。
28. -種切割方法，包括： 提供如權(quán)利要求22-24、26、27中任一項(xiàng)所述的切割設(shè)備； 將激光束輸送通過所述第一孔，并在沿所述第一線沿第一方向移動(dòng)所述頭部的同時(shí)將 冷卻流體輸送通過所述第二孔； 切斷冷卻流體通過所述第二孔的輸送； 在沿所述第二線沿第二方向移動(dòng)所述頭部的同時(shí)將流體輸送通過所述第H孔； 切斷冷卻流體通過所述第H孔的輸送。
29. -種切割方法，包括： 提供如權(quán)利要求25所述的切割設(shè)備； 將激光束輸送通過所述第一孔，并在沿第一方向移動(dòng)所述頭部的同時(shí)將冷卻流體輸送 通過所述第二孔； 轉(zhuǎn)動(dòng)所述頭部并W相對(duì)于所述第一方向成非零角度的第二方向移動(dòng)所述頭部。
【專利摘要】一種從通過鍵合區(qū)域(40)鍵合到載體(10)的薄板移除薄板(20)的所需部分的方法，所述鍵合區(qū)域(40)圍繞非鍵合區(qū)域(50)，所述方法包括：形成周界通氣孔(60)，所述周界通氣孔限定所需部分(56)的周界，其中所述周界通氣孔設(shè)置在所述非鍵合區(qū)域內(nèi)且深度≥所述薄板厚度(22)的50％。在移除所需部分之前，可將裝置加工到薄板上。在某些工藝中，切割載體，從而其可以更小尺寸加工，仍保持氣密密封邊緣。切割后，可將裝置的附加部分加工到薄板上，并通過從載體移除薄板的所需部分而移除所需部分。
【IPC分類】H01L21-50
【公開號(hào)】CN104541365
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380017841
【發(fā)明人】A·A·阿布拉莫夫, R·A·貝爾曼, D·C·布克賓德, 莊大可, J·J·多梅, D·G·阿尼克斯, L·加斯基爾, K·C·康, M·W·凱默爾, 郭冠廷, 林仁杰, R·G·曼利, J·C·托馬斯, 曾珮璉, J-Z·J·張
【申請(qǐng)人】康寧股份有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2013年2月7日
【公告號(hào)】WO2013119737A2, WO2013119737A3