0054]除了探測(cè)器2，在開(kāi)口 31如圖1A中所示也可以布置另外的探測(cè)器21。該另外的探測(cè)器例如可以被構(gòu)造為環(huán)境光傳感器。探測(cè)器和另外的探測(cè)器可以被構(gòu)造為單獨(dú)的器件或者集成在一個(gè)器件中。
[0055]在框架3的輻射透射側(cè)300上可以構(gòu)造蓋8。該蓋例如可以被實(shí)施為剛性板或者柔性膜，例如自粘合膜。該蓋可以用于保護(hù)探測(cè)器2和發(fā)射器25?？梢苑艞壠骷母郊臃庋b。也就是說(shuō)，發(fā)射器和探測(cè)器以及必要時(shí)連接導(dǎo)線51可以是沒(méi)有鄰接的澆注材料的。
[0056]在橫向方向上，連接載體5、框架3和必要時(shí)蓋8彼此平齊地結(jié)束。這種光電子裝置I可以以復(fù)合體制造并且接著通過(guò)分割來(lái)分離。因此，制造是特別成本低廉的。
[0057]光電子裝置I被構(gòu)造為可表面安裝的。為了外部電接觸，光電子裝置I在連接載體5的背離框架3的一側(cè)上具有電接觸部(沒(méi)有明確示出)，通過(guò)這些電接觸部發(fā)射器25、探測(cè)器2以及必要時(shí)另外的探測(cè)器21可被電接觸。
[0058]當(dāng)然，光電子裝置I也可以與所描述的實(shí)施例不同地具有僅僅一個(gè)探測(cè)器2或者多個(gè)探測(cè)器而沒(méi)有發(fā)射器25。開(kāi)口 31的帶有第一部分區(qū)域41和第二部分區(qū)域42的側(cè)面4的所描述構(gòu)型一般地適于以下探測(cè)器，在其中由不同方向和/或以不同角度投射到該裝置上的輻射應(yīng)當(dāng)以不同強(qiáng)度的權(quán)重對(duì)探測(cè)器的信號(hào)作出貢獻(xiàn)。待探測(cè)的輻射例如可以處于可見(jiàn)、紫外或紅外頻譜范圍中。
[0059]光電子裝置的第二實(shí)施例以透視圖在圖2中示出。該第二實(shí)施例基本上相應(yīng)于結(jié)合圖1A至IE所描述的第一實(shí)施例。
[0060]與此不同，框架3的輻射透射側(cè)300在開(kāi)口 31和另外的開(kāi)口 32之間具有中間區(qū)域39。該中間區(qū)域被構(gòu)造為，使得例如在輻射窗口 7上反射的、投射到中間區(qū)域39上的散射輻射不能投射到探測(cè)器上或者至少僅僅強(qiáng)烈地被減少的部分投射到探測(cè)器上。
[0061 ] 在所示的實(shí)施例中，該中間區(qū)域具有脊390，所述脊平行于或者基本平行于發(fā)射器25和探測(cè)器2之間的連接線(也即與該連接線最多偏差10° )地延伸。在脊的至少一個(gè)側(cè)上(在所示實(shí)施例中在脊的兩側(cè)上)構(gòu)造有傾斜區(qū)域391?？蚣?的厚度因此隨著與脊的距離增加而減小。通過(guò)傾斜區(qū)域391，投射到該區(qū)域上的輻射從通過(guò)發(fā)射器25和探測(cè)器2之間的連接線和豎直方向張開(kāi)的平面偏轉(zhuǎn)離開(kāi)。由此，可以很大程度上減少在接近傳感器中的不希望的散射輻射部分。
[0062]在圖3中示出了用于模擬在發(fā)射器和探測(cè)器之間串?dāng)_的結(jié)果。這些模擬以任意單位示出了探測(cè)器信號(hào)S，該探測(cè)器信號(hào)S作為在光電子裝置的輻射入射側(cè)和反射率為10%的反射鏡之間的空隙取決于該空隙大小d的函數(shù)。大小d以關(guān)于發(fā)射器和探測(cè)器之間的距離的百分比來(lái)加以說(shuō)明。
[0063]曲線91涉及帶有如上所述實(shí)施的第一部分區(qū)域41的裝置，曲線92涉及不帶這種部分區(qū)域的參考裝置。箭頭93示出了如下區(qū)域:在其中實(shí)際上沒(méi)有串?dāng)_發(fā)生。這里，信號(hào)部分源自多重反射。針對(duì)更大的距離，該信號(hào)增大。模擬表明:這兩個(gè)裝置表現(xiàn)出類似的特性。也就是說(shuō)，借助第一部分區(qū)域和第二部分區(qū)域的所描述的構(gòu)型可以實(shí)現(xiàn):顯著地提高探測(cè)器信號(hào)，然而這并不導(dǎo)致由串?dāng)_引起的不希望的信號(hào)部分的顯著上升。
[0064]本專利申請(qǐng)請(qǐng)求德國(guó)專利申請(qǐng)10 2012 107 794.0的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用被結(jié)合于此。
[0065]本發(fā)明不通過(guò)借助實(shí)施例的描述而被局限于此。相反，本發(fā)明包括任何新特征以及特征的每種組合，這尤其是包含在專利權(quán)利要求中的特征的每種組合，即使該特征或特征組合本身沒(méi)有明確地在專利權(quán)利要求或?qū)嵤├斜徽f(shuō)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.光電子裝置(I)，具有被設(shè)置用于接收輻射的探測(cè)器和框架(3 )，其中 -在該框架中構(gòu)造有開(kāi)口( 30 )，所述探測(cè)器布置在該開(kāi)口中； -該框架在豎直方向上在輻射透射側(cè)(300)和背側(cè)(301)之間伸展； -所述開(kāi)口具有傾斜于豎直方向延伸的側(cè)面(4); -該傾斜延伸的側(cè)面在輻射透射側(cè)的俯視圖中具有第一部分區(qū)域(41)和第二部分區(qū)域(42)； -第一部分區(qū)域被構(gòu)造為用于待由所述探測(cè)器接收的輻射的反射器；以及 -第二部分區(qū)域?qū)⒀刂Q直方向投射到第二部分區(qū)域的輻射偏轉(zhuǎn)離開(kāi)所述探測(cè)器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一部分區(qū)域至少局部拋物面地成形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中，所述第二部分區(qū)域在所述輻射透射側(cè)和下邊緣(421)之間伸展，其中所述下邊緣在豎直方向上與所述背側(cè)隔有距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述開(kāi)口在所述下邊緣和所述背側(cè)之間具有側(cè)凹區(qū)域(422)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中，在所述輻射透射側(cè)的俯視圖中延伸穿過(guò)所述探測(cè)器的中心線(30)將第一部分區(qū)域與第二部分區(qū)域分開(kāi)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中，所述開(kāi)口在所述輻射透射側(cè)上比在所述背側(cè)上具有更小的橫截面。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中，該裝置具有連接載體(5)，該連接載體與所述框架的背側(cè)連接并且安裝在所述探測(cè)器上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中，在橫向方向上，所述框架至少局部地與所述連接載體平齊地結(jié)束。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的裝置，其中，所述連接載體是電路板。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中，該裝置具有被設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的發(fā)射器(25)，該發(fā)射器布置在所述框架的另外的開(kāi)口( 32)中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，所述另外的開(kāi)口的側(cè)面(45)至少局部地拋物面地成形。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的裝置，其中，在該裝置的俯視圖中第一部分區(qū)域比第二部分區(qū)域更加接近所述發(fā)射器。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12之一所述的裝置，其中，該裝置被構(gòu)造為接近傳感器。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中，所述框架被構(gòu)造為塑料成形體。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的裝置，其中， -在輻射透射側(cè)的俯視圖中延伸穿過(guò)所述探測(cè)器的中心線(30)將第一部分區(qū)域(41)與第二部分區(qū)域(42)分開(kāi)； -該裝置具有被設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的發(fā)射器(25)，該發(fā)射器布置在所述框架的另外的開(kāi)口(32)中；以及 -第一部分區(qū)域布置在所述中心線的朝向所述發(fā)射器的一側(cè)上。
【專利摘要】說(shuō)明了一種光電子裝置（1），具有被設(shè)置用于接收輻射的探測(cè)器（2），該探測(cè)器安裝在連接載體（5）上并且布置在框架（3）的開(kāi)口（31）中。所述開(kāi)口具有傾斜延伸的側(cè)面（4），該側(cè)面具有第一部分區(qū)域（41）和第二部分區(qū)域（42）。第一部分區(qū)域（41）被構(gòu)造為用于待由探測(cè)器接收的輻射（72）的反射器并且將該輻射偏轉(zhuǎn)到探測(cè)器上。第二部分區(qū)域（42）將投射到第二部分區(qū)域的輻射（73）偏轉(zhuǎn)離開(kāi)探測(cè)器。從不同方向和/或以不同角度投射到所述裝置的輻射（72,73）于是以不同強(qiáng)度的權(quán)重對(duì)探測(cè)器的信號(hào)做出貢獻(xiàn)。光電子裝置（1）可以構(gòu)造為接近傳感器，其中通過(guò)第二部分區(qū)域（42）避免在位于接近傳感器和目標(biāo)對(duì)象（71）之間的輻射窗口上反射的散射輻射（73）被偏轉(zhuǎn)到探測(cè)器上。
【IPC分類】G01S7-481, H01L31-0203, H01L31-167, H03K17-94, G01S17-02, H01L31-0232
【公開(kāi)號(hào)】CN104541380
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380044350
【發(fā)明人】哈爾布里特 H.
【申請(qǐng)人】奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
【公開(kāi)日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2013年8月22日
【公告號(hào)】DE102012107794A1, WO2014029839A2, WO2014029839A3