100 —起執(zhí)行。對(duì)于封裝工序，如圖4所示電子芯片100翻轉(zhuǎn)180°，也即與圖3的設(shè)置相比而上下倒置。盡管圖4中未示出，但是可以在封裝結(jié)構(gòu)402的底部部分中形成鉆孔以能夠電訪問其上和/或其中形成了集成電路元件的附加本體300。例如，印刷電路板連接可以由這些鉆孔形成。
[0066]為了獲得如圖5所示的結(jié)構(gòu)，如圖4所示結(jié)構(gòu)經(jīng)受選擇性的背面刻蝕工序，由此通過選擇性刻蝕工序完全移除了(單晶硅材料的)第二本體204的材料。在該刻蝕工序期間，封裝結(jié)構(gòu)400用作刻蝕掩模，并且因此基本上防止被移除。
[0067]如圖5所見，分隔結(jié)構(gòu)200在等離子背面刻蝕工序期間用作刻蝕停止層或減薄停止層。因此，一旦到達(dá)埋設(shè)氧化物材料，則停止刻蝕工序。這允許非常有效地減薄電子芯片100，因?yàn)榈诙倔w204的厚度遠(yuǎn)大于第一本體202的厚度。第二本體204的厚度可以是數(shù)百微米或更多。因?yàn)榉指艚Y(jié)構(gòu)200提供了良好限定的減薄停止層，所以在背面刻蝕之后保留的厚度的精確度非常聞。
[0068]可選地，可以隨后進(jìn)一步以如圖6所示方式處理倒置嵌入在封裝結(jié)構(gòu)400中的減薄的電子芯片100以選擇性地移除分隔結(jié)構(gòu)200。這通過進(jìn)一步背面刻蝕來執(zhí)行，用于移除分隔結(jié)構(gòu)200的氧化硅材料而同時(shí)防止封裝結(jié)構(gòu)400 (再次用作刻蝕掩模)和第一本體202的材料(此處用作刻蝕停止層)被移除。
[0069]通過所述工藝流程，形成了如圖5或圖6所示的減薄的經(jīng)封裝的芯片結(jié)構(gòu)500，使得嵌入在未減薄的封裝結(jié)構(gòu)400內(nèi)的減薄的電子芯片100也用作永久載體以用于機(jī)械支撐減薄的電子芯片100。單獨(dú)處理減薄的電子芯片100(也即從封裝體分離)因此并非是必須的。此外，在制造期間(以及也在可能的后期處理期間)使用臨時(shí)載體也是不必要的。如圖5和圖6可見，減薄的經(jīng)封裝的芯片結(jié)構(gòu)500也提供了對(duì)減薄的電子芯片100的機(jī)械底部保護(hù)，因?yàn)榉庋b結(jié)構(gòu)400不僅橫向地而且也從底部側(cè)以杯狀形式封裝了減薄的電子芯片100。
[0070]在制造了減薄的經(jīng)封裝的芯片結(jié)構(gòu)500之后，可以后期處理后者，例如通過在單晶硅材料的暴露的第一本體202上和/或中形成電接觸(諸如過孔、摻雜區(qū)域、接觸焊盤)。也可以在杯狀模具結(jié)構(gòu)400的底部部分中形成通孔以便于從底側(cè)接觸附加本體300?？梢杂衫缂す鈭?zhí)行這種通孔的形成。此外也可以在安裝基底(例如印刷電路板)上安裝減薄的經(jīng)封裝的芯片結(jié)構(gòu)500。因此，可以使用晶片級(jí)工藝和/或芯片級(jí)工藝而完成對(duì)減薄的經(jīng)封裝的芯片結(jié)構(gòu)500的制造。
[0071]圖7至圖9示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的在執(zhí)行形成減薄的經(jīng)封裝的芯片結(jié)構(gòu)500(與圖8和圖9相比)的方法期間所獲得的結(jié)構(gòu)，從執(zhí)行參照?qǐng)D3如上所述工序之后獲得的分割的電子芯片100開始。
[0072]如從圖7可見，封裝結(jié)構(gòu)400的形成不同于圖3至圖6之處在于，封裝結(jié)構(gòu)400僅橫向地圍繞電子芯片100而沒有封閉電子芯片100的底部。在繼續(xù)根據(jù)圖8的工藝之前，可以形成重分布層910(例如由其中具有集成導(dǎo)電連接部分914的一個(gè)或多個(gè)介電層912所構(gòu)成)。
[0073]為了獲得如圖8所示的減薄的經(jīng)封裝的芯片結(jié)構(gòu)500，通過背面刻蝕移除第二本體204，其中氧化硅材料的分隔結(jié)構(gòu)200再次用作減薄停止層?？梢匀鐖D8所示使用減薄的經(jīng)封裝的芯片結(jié)構(gòu)500，或者可以通過另一選擇性刻蝕工序來移除分隔結(jié)構(gòu)200而進(jìn)一步處理，這并未影響封裝結(jié)構(gòu)400以及第一本體202的單晶硅材料，參見圖9。
[0074]在已經(jīng)完成該工序之后，可以在其集成導(dǎo)電連接部分914處將重分布層910連接至在底表面處的焊球916等等。如果需要或者希望的話，也可以在圖9所示減薄的電子芯片100的頂表面900上形成導(dǎo)電接觸(未示出)。重分布層910形成在減薄的電子芯片100的底表面上。然而應(yīng)該注意的是，其它電接觸結(jié)構(gòu)也是可以的。
[0075]在以下，參照?qǐng)D10至圖17，將解釋根據(jù)示例性實(shí)施例的形成多個(gè)減薄的經(jīng)封裝的半導(dǎo)體器件或經(jīng)封裝的芯片結(jié)構(gòu)500的方法。
[0076]圖10示出了用作用于開始工藝的襯底的標(biāo)準(zhǔn)單晶硅晶片100。
[0077]為了獲得如圖11所示結(jié)構(gòu)，氧粒子(或氮粒子)注入晶片1000中以由此在晶片1000內(nèi)形成埋設(shè)的富氧區(qū)域，其在退火之后導(dǎo)致形成了分隔主體結(jié)構(gòu)1100。分隔主體結(jié)構(gòu)1100在晶片級(jí)形成，并且將晶片1000劃分為在分隔主體結(jié)構(gòu)1100之上的第一晶片本體1102以及在主體分隔結(jié)構(gòu)1100之下的第二晶片本體1104。
[0078]為了獲得如圖12所示的結(jié)構(gòu)，單晶硅的附加本體300外延生長(zhǎng)在第一晶片本體1102上，以獲得用于在分隔主體結(jié)構(gòu)1100之上形成集成電路部件的較厚層。因?yàn)閰⒄請(qǐng)D11所述的注入工序并未嚴(yán)重干擾第一晶片本體1102的結(jié)晶性，所以這種外延生長(zhǎng)是可能的。
[0079]為了獲得如圖13所示的結(jié)構(gòu)，集成電路元件1300通過執(zhí)行半導(dǎo)體工藝而形成在附加本體300中。這些集成電路元件1300可以包括諸如場(chǎng)效應(yīng)晶體管或雙極型晶體管之類的晶體管，二極管，傳感器，致動(dòng)器，MEMS部件等等。應(yīng)該注意的是，在所示實(shí)施例中，仍然在晶片級(jí)執(zhí)行集成電路元件1300的形成。
[0080]如圖14可見，圖13的經(jīng)處理的晶片1000隨后分割為各個(gè)電子芯片100、1400。電子芯片100、1400的每一個(gè)包括集成電路元件1300、第一晶片本體1102的一部分、分隔主體結(jié)構(gòu)1100的一部分(標(biāo)注作為相應(yīng)電子芯片100、1400的分隔結(jié)構(gòu)200)和第二晶片本體1104的一部分的至少一個(gè)。可以通過鋸切、刻蝕等等執(zhí)行由虛線如圖14示意性示出的分割劃片。
[0081]個(gè)體電子芯片100、1400隨后通過二次模塑而倒置在共用的封裝結(jié)構(gòu)400中，如圖15所示，以由此制造人造晶片1502。電子芯片100、1400的取向與圖14相比已經(jīng)翻轉(zhuǎn)了180。。
[0082]為了獲得如圖16所示的結(jié)構(gòu)，人造晶片1502隨后經(jīng)歷背面刻蝕工序以由此使用相應(yīng)分隔結(jié)構(gòu)200作為相應(yīng)刻蝕停止層而同時(shí)從每一個(gè)芯片100、1400移除第二本體1104。在該刻蝕工序期間，僅侵蝕了單晶硅材料，而并未侵蝕分隔結(jié)構(gòu)200的氧化硅材料也并未侵蝕封裝結(jié)構(gòu)400。
[0083]如圖17可見，人造芯片1502隨后分割為多個(gè)個(gè)體減薄的經(jīng)封裝的電子芯片500。
[0084]因此，再次參照?qǐng)D10至圖17，在晶片級(jí)執(zhí)行分隔主體結(jié)構(gòu)1100和集成電路元件300的形成，也即使用純半導(dǎo)體晶片1000。在將該晶片1000分割為個(gè)體電子芯片100、1400之后并且將個(gè)體電子芯片100、1400倒置嵌入在共用封裝結(jié)構(gòu)400中以形成人造晶片1502之后，使用由作為減薄停止層的分隔主體結(jié)構(gòu)1100所構(gòu)成的分隔結(jié)構(gòu)200在封裝體中執(zhí)行對(duì)電子芯片100、1400的減薄。在沒有封裝的情況下處理敏感的減薄的電子芯片100、1400不是必須的。在減薄之后，可以分割人造晶片1502以由此形成減薄的經(jīng)封裝的電子芯片500。如果需要的話，可以從頂側(cè)和/或底側(cè)接觸這些，如上所述。
[0085]圖18示出了根據(jù)示例性實(shí)施例制造的芯片裝置1800，其中在不同高度水平處具有分隔結(jié)構(gòu)200的多個(gè)電子芯片100被封裝在同一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)400內(nèi)。
[0086]圖19示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的電子設(shè)施1800，其中在封裝結(jié)構(gòu)400中可減薄的電子芯片100被部分嵌入在封裝結(jié)構(gòu)400內(nèi)，以及另一邏輯芯片1900被完全封裝在封裝結(jié)構(gòu)400內(nèi)ο
[0087]因?yàn)榱硪贿壿嬓酒?900從所有側(cè)完全封裝在封裝結(jié)構(gòu)400中，所以其并未受到對(duì)電子芯片100減薄的影響。
[0088]圖20至圖22示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的在執(zhí)行形成減薄的經(jīng)封裝的電子芯片500的方法期間所獲得的不同結(jié)構(gòu)。
[0089]參照?qǐng)D10至圖13，執(zhí)行對(duì)應(yīng)的工藝以獲得如圖13所示結(jié)構(gòu)作為根據(jù)圖20至圖22用于進(jìn)一步處理的起始點(diǎn)。因此，在晶片級(jí)處理具有從第二晶片本體1104分隔了第一晶片本體1102(具有其中形成了集成電路元件1300的外延生長(zhǎng)的附加本體300)的埋設(shè)分隔主體層1100的晶片1000。
[0090]為了獲得如圖20所示結(jié)構(gòu)，根據(jù)圖13的晶片1000部分地被封裝在封裝結(jié)構(gòu)400中，以使得第二晶片本體1104暴露于環(huán)境，并且第一晶片本體1102(具有其中形成了集成電路元件130