28]在步驟S105中，如圖10所示，移除柵極層25，形成柵底腳，同時形成柵極25a。在該步驟中，所使用的反應(yīng)氣體可以是氯氣(Cl2)和O2的混合氣體。
[0029]在步驟S106中，如圖11所示，移除光致抗蝕劑PR之后，利用柵極25a和柵底腳24a為掩模進行重摻雜工藝，形成源/漏極和輕摻雜漏極。具體而言，可以進行重摻雜工藝，使得未被柵底腳24a覆蓋的源/漏極形成部23c被重摻雜，從而形成源/漏極；而LLD形成部23b由于柵底腳24a的遮蔽作用而形成輕摻雜區(qū)。
[0030]在經(jīng)過步驟S106之后還可以形成與源/漏極接觸的接觸線以及絕緣層等，這些部件的形成可以采用本申請中公知的技術(shù)，此處不再贅述。
[0031]在本申請?zhí)峁┑腖TPS TFT制造方法中，還可以包括:對所形成的薄膜晶體管的柵底腳的傾斜角度進行分析(例如，可以通過掃描電子顯微鏡(Scanning ElectronMicroscope, SEM)分析方法進行分析);確定柵底腳傾斜角度對應(yīng)的反應(yīng)離子蝕刻功率和等離子體蝕刻功率(具體地，可以確定優(yōu)選的柵底腳傾斜角度對應(yīng)的反應(yīng)離子蝕刻功率和等離子體蝕刻功率);由柵底腳傾斜角度對應(yīng)的反應(yīng)離子蝕刻功率和等離子體蝕刻功率來進行反應(yīng)離子蝕刻和等離子體蝕刻。
[0032]在具有LDD結(jié)構(gòu)的TFT中，柵底腳傾斜角度越小，即柵底腳越平緩，則形成的LDD的電氣性能越好。反之，柵底腳傾斜角度越大，即柵底腳越陡，則形成的LDD的電氣性能越差。
[0033]在LTPS TFT形成過程中，實時監(jiān)測柵底腳的傾斜角度有些困難，因而可以在形成TFT之后，利用SEM方法對所形成的柵底腳的傾斜角度進行分析，進而確定出優(yōu)選的柵底腳傾斜角度對應(yīng)的反應(yīng)離子蝕刻功率和等離子體蝕刻功率。
[0034]具體而言，如果用于RIE的功率較大，即在RIE和PE同時蝕刻的步驟中偏重RIE，則柵底腳的傾斜角度大，即柵底腳比較陡；如果用于PE的功率較大，即在RIE和PE同時蝕亥Ij的步驟中偏重PE，則柵底腳的傾斜角度小，即柵底腳平緩。
[0035]因而，例如，如果通過SEM方法分析確定所形成的柵底腳傾斜角度與優(yōu)選的柵底腳傾斜角度相比較大，則可以在后續(xù)的制造過程中，調(diào)高用于PE的功率，而調(diào)低用于RIE的功率，使得后續(xù)形成的柵底腳變緩。
[0036]在本申請?zhí)峁┑腖TPS TFT制造方法中，在蝕刻柵極層和SiNx的步驟中，進行RE和RIE兩種蝕刻(例如，可以在能夠進行RE和RIE這兩種蝕刻的機臺中進行蝕刻)，并且可以減小用于RIE的功率，也就是說，減小在該蝕刻步驟中RIE所占的比重，從而減小了物理蝕刻的作用，避免了在蝕刻SiNx和柵極層的過程中造成的S1x損失。這樣，避免了由于S1d^失造成的閾值偏移、漏電流路徑減小以及漏電流變大等缺陷，提高了 LTPS元件的可靠性。
[0037]而且，在本申請?zhí)峁┑腖TPS-TFT制造方法中，通過SEM分析方法分析柵底腳的傾斜角度來確定PE和RIE的功率，通過增大用于PE的功率來減小柵底腳的傾斜角度，即使得柵底腳平緩，從而獲得電氣性能優(yōu)良的LDD。
[0038]可見，采用本申請?zhí)峁┑腖TPS-TFT制造方法，既能夠獲得滿足要求的SiNx底腳，使得LDD發(fā)揮其最大性能,又能夠避免S1x損失進而避免由于S1x損失帶來的一系列問題。
[0039]在本申請圖6到圖10中主要是以P溝道TFT為例進行說明，然而，該TFT也可以是N溝道TFT，具體的制造工藝與P溝道TFT的類似，此處不再贅述。
[0040]雖然已參照幾個典型實施例描述了本申請，但應(yīng)當理解，所用的術(shù)語是說明和示例性、而非限制性的術(shù)語。由于本申請能夠以多種形式具體實施而不脫離發(fā)明的精神或?qū)嵸|(zhì)，所以應(yīng)當理解，上述實施例不限于任何前述的細節(jié)，而應(yīng)在隨附權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)廣泛地解釋，因此落入權(quán)利要求或其等效范圍內(nèi)的全部變化和改型都應(yīng)為隨附權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，包括: 在基板上形成多晶硅層； 在所述多晶硅層上依序形成具有氧化硅和氮化硅層疊結(jié)構(gòu)的柵絕緣層以及柵極層； 在所述柵極層上形成圖案化光致抗蝕劑； 對于所述基板進行等離子體蝕刻和反應(yīng)離子蝕刻，以去除未被所述光致抗蝕劑覆蓋的氮化娃和柵極層； 移除所述柵極層，以形成柵底腳和柵極； 移除所述光致抗蝕劑，利用所述柵極和所述柵底腳為掩模進行重摻雜工藝，形成源/漏極和輕摻雜漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其中，在對于所述基板進行等離子體蝕刻和反應(yīng)離子蝕刻的過程中，使用氟化硫和氧氣的混合氣體作為反應(yīng)氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其中，所述氟化硫和氧氣的比例由蝕刻率和薄膜晶體管的良率來確定。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其中，在對于所述基板進行蝕刻的過程中，所使用的溫度小于60攝氏度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其中，在對于所述基板進行蝕刻的過程中，所使用的溫度是25攝氏度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，還包括: 對所形成的薄膜晶體管的柵底腳的傾斜角度進行分析； 確定柵底腳傾斜角度對應(yīng)的反應(yīng)離子蝕刻功率和等離子體蝕刻功率； 由柵底腳傾斜角度對應(yīng)的反應(yīng)離子蝕刻功率和等離子體蝕刻功率來進行反應(yīng)離子蝕刻和等離子體蝕刻。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，包括：在基板上形成多晶硅層；在多晶硅層上依序形成具有氧化硅和氮化硅層疊結(jié)構(gòu)的柵絕緣層以及柵極層；在柵極層上形成圖案化光致抗蝕劑；對基板進行等離子體蝕刻和反應(yīng)離子蝕刻，以去除未被光致抗蝕劑覆蓋的氮化硅和柵極層；移除柵極層，以形成柵底腳和柵極；移除光致抗蝕劑，利用柵極和柵底腳為掩模進行重摻雜工藝，形成源/漏極和輕摻雜漏極。采用本申請?zhí)峁┑姆椒?，可以減小蝕刻柵極層和氮化硅層時氧化硅的損失。
【IPC分類】H01L21-336, H01L21-28
【公開號】CN104576387
【申請?zhí)枴緾N201310479753
【發(fā)明人】顏圣佑, 黃家琦, 李原欣, 王承賢
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月14日...