層，所述阻隔單元和所述 平坦化單元均呈周期排布，所述平坦化單元設(shè)置在相鄰所述阻隔單元的間隙中并延伸至所 述阻隔單元上，這樣能夠保證相鄰阻隔單元層能相互覆蓋組成單元之間的縫隙位置，有效 阻擋水氧的橫向穿透，有效保障了器件的性能和使用壽命。而且所述柔性聚合物基板能在 大于所述平坦化單元的尺度范圍內(nèi)任意尺寸裁切，簡化了柔性光電器件的工藝步驟，降低 了生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0034] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合 附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0035] 圖1是本發(fā)明中玻璃載板分區(qū)示意圖；
[0036] 圖2A是本發(fā)明玻璃載板中所述高粗糙區(qū)域微觀示意圖；
[0037] 圖2B是本發(fā)明玻璃載板中所述高粗糙區(qū)域與所述柔性聚合物基板貼合后的截面 圖；
[0038] 圖3A是本發(fā)明玻璃載板中所述低粗糙區(qū)域微觀示意圖；
[0039] 圖3B是本發(fā)明玻璃載板中所述低粗糙區(qū)域與所述柔性聚合物基板貼合后的截面 圖；
[0040] 圖4是實(shí)施例1中所述光電器件的截面圖；
[0041] 圖5A是本發(fā)明中所述柔性聚合物基板與之所承載的所述光電器件從所述高粗糙 區(qū)域剝離后所述玻璃基板的示意圖；
[0042] 圖5B是圖5A中沿A-A'線的截面圖；
[0043] 圖6是本發(fā)明中在光電器件剝離后在殘留的所述柔性聚合物基板上設(shè)置掩膜層 的截面示意圖；
[0044] 圖7是本發(fā)明中對所述柔性聚合物基板進(jìn)行灰化工藝后的截面示意圖；
[0045] 圖8是本發(fā)明中所述低粗糙區(qū)域所述柔性聚合物基板剝離的機(jī)理圖。
[0046] 圖中附圖標(biāo)記表示為：1-玻璃載板、11-高粗糙區(qū)域、12-低粗糙區(qū)域、2-柔性聚 合物基板、3-緩沖層、41-柵極絕緣層、42-半導(dǎo)體溝道層、43-層間介質(zhì)層、44-柵極、45-源 極、46-漏極、5-平坦化層、6-陽極、7-有機(jī)功能層、8-陰極、9-封裝層、10-掩膜層、13-貫 通通道。
【具體實(shí)施方式】
[0047] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí) 施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。然而，本發(fā)明可以多種不同的方式來實(shí)現(xiàn)而不局限于在此描 述的實(shí)施例。相反地，下述所提供的實(shí)施例，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，使得本發(fā)明充分公 開并且完全覆蓋本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清楚起見，夸大了各層或區(qū)域的尺寸和相對尺 寸。
[0048] 除非另有限定，在此所采用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科技術(shù)語）具有與本領(lǐng)域所屬 技術(shù)人員通常所理解的相同意思。
[0049] 實(shí)施例1
[0050] 本實(shí)施例提供一種柔性光電器件的制備方法，具體包括如下步驟：
[0051] S1、如圖1所示，在玻璃載板1劃分4個器件制備單元區(qū)域，所述器件制備單元區(qū) 域由用于器件制備的高粗糙區(qū)域11和用于柔性基板粘附的低粗糙區(qū)域12組成，所述低粗 糙區(qū)域12環(huán)繞所述高粗糙區(qū)域。
[0052] 所述高粗糙區(qū)域11和所述低粗糙區(qū)域12通過酸法刻蝕工藝制備，所述粗糙區(qū)域 的粗糙度為Ra〈〇.1，本實(shí)施例優(yōu)選為〇. 05,所述低粗糙區(qū)域的厚度為0.1Um;所述高粗糙 區(qū)域的粗糙度為〇. 3〈Ra〈0. 5,本實(shí)施例優(yōu)選為0. 4,所述高粗糙區(qū)域的厚度為0. 5ym。作為 本發(fā)明的其他實(shí)施例，還可以通過堿法刻蝕等其他玻璃刻蝕工藝對所述高粗糙區(qū)域11和 所述低粗糙區(qū)域12進(jìn)行粗糙處理，均可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0053]S2、在所述器件制備單元區(qū)域上直接設(shè)置柔性聚合物基板2,再置于腔室內(nèi)進(jìn)行高 溫、高壓處理；所述柔性聚合物基板2可以直接放置或通過旋轉(zhuǎn)涂布、化學(xué)氣相沉積、真空 蒸鍍等聚合物成膜方法設(shè)置在所述玻璃載板1上，本實(shí)施例優(yōu)選所述柔性聚合物基板2可 以直接放置所述玻璃載板1上，所述柔性聚合物基板2選自但不限于聚乙烯（PE)、聚丙烯 (PP)、聚苯乙烯（PS)、聚礬醚（PES)、聚對萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚酰亞胺（PI)、聚對苯 二甲酸乙二醇酯（PET)等，本實(shí)施例優(yōu)選PI基板。先對覆蓋有所述柔性聚合物基板2的 所述玻璃載板1置于腔室內(nèi)進(jìn)行抽真空處理，真空度為〇.OOlPa，使得所述柔性聚合物基 板2與所述玻璃載板1緊密貼合，然后再進(jìn)行高溫、高壓處理，腔室內(nèi)溫度為220°C，壓力為 0. 4MPa，處理時(shí)間為60分鐘。
[0054] 作為本發(fā)明的其他實(shí)施例，所述腔室內(nèi)溫度為200?250°C，壓力為0? 3? 0. 5MPa，處理時(shí)間為30?90分鐘均能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0055] 作為本發(fā)明的其他實(shí)施例，對覆蓋有所述柔性聚合物基板2的所述玻璃載板1置 于腔室內(nèi)進(jìn)行抽真空處理時(shí)，真空度為1〇_ 4?l〇_2Pa，均能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明 的保護(hù)范圍。
[0056] 在所述器件制備單元區(qū)域上直接設(shè)置柔性聚合物基板2,再置于腔室內(nèi)進(jìn)行高溫、 高壓處理；高溫、高壓條件下，柔性聚合物基板2中聚合物分子能量加大，運(yùn)動速度加快，逐 漸掙脫聚合物分子間氫鍵的束縛，使得氫鍵斷開；而所述玻璃載板1的表面具有大量的一 Si-0H，根據(jù)勒沙特列原理，高溫、高壓條件下，聚合物分子逐漸與玻璃表面的一0H形成氫 鍵，使得柔性聚合物基板2緊密貼合與玻璃載板1表面。
[0057] 如圖3A與圖3B所示，通過酸法刻蝕工藝在所述器件制備單元區(qū)域中制成所述低 粗糙區(qū)域12,所述低粗糙區(qū)域12表面的一0H數(shù)量相對較多，柔性聚合物基板2在所述玻 璃載板1的附著力較大。如圖2A與圖2B所示，由于所述高粗糙區(qū)域11的頂端接觸效應(yīng)， 使得該區(qū)域柔性聚合物基板2與玻璃載板1之間接觸面積減少，從而降低了該區(qū)域柔性聚 合物基板2與玻璃載板1之間氫鍵的數(shù)量，在不影響光電器件制備的情況下盡量減少柔性 聚合物基板2在所述玻璃載板1上的附著力，在器件的裁切工藝后，隨著裁切邊緣空氣的滲 入，可輕易將該區(qū)域的所述柔性聚合物基板2與之所承載的光電器件從玻璃載板1上剝離 出來。
[0058] 在柔性聚合物基板2的固定過程中未使用粘合劑、也未設(shè)置犧牲層，工藝步驟更 加簡單，也不會出現(xiàn)膠體污染等問題，工藝成本低；而且，所述低粗糙區(qū)域12的粗糙度小 于0. 1，表面粗糙度低，平面較光滑，所述高粗糙區(qū)域11的粗糙度（Ra)為0. 4,厚度僅為 〇. 5ym，使得所述柔性聚合物基板2表面平整度高，有利于后續(xù)光電器件的制備過程。
[0059] S3、在所述柔性聚合物基板2表面的所述高粗糙區(qū)域11進(jìn)行光電器件的制備與封 裝；本實(shí)施例中光電器件為主動型0LED器件，作為本發(fā)明的其他實(shí)施例，所述光電器件還 可以為0?￥、(7^1\051兒0)(液晶顯示器)、1^0(發(fā)光二極管)、？0?(等離子顯示裝置)、1^〇 (發(fā)光電化學(xué)池）等，均能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0060] 本實(shí)施例中所述主動型0LED器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖4所示，結(jié)構(gòu)與制備工藝同現(xiàn) 有技術(shù)，包括依次設(shè)置在柔性基板2上的緩沖層3,TFT(薄膜場效應(yīng)管）中的半導(dǎo)體溝道層 42、柵極絕緣層41、柵極44,設(shè)置在柵極44上的層間介質(zhì)層43,設(shè)置在層間介質(zhì)層43上的 源極45和漏極46 ;TFT上設(shè)置平坦化層5,用于器件結(jié)構(gòu)的平坦化，便于有機(jī)發(fā)光二極管的 制備，所述有機(jī)發(fā)光二極管有包括陽極6、有機(jī)功能層7、陰極8 ;其中有機(jī)功能層7包括有 機(jī)發(fā)光層，以及空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等結(jié)構(gòu)中的一種 或多種的組合。待有機(jī)發(fā)光二極管制作完畢后可在所述主動型0LED器件上方設(shè)置柔性封 裝層9進(jìn)行封裝。
[0061] 作為本發(fā)明的其他實(shí)施例，步驟S3所述光電器件的制備步驟之前，還包括在所述 柔性聚合物基板2上制備包括至少2層阻隔單元層和至少1層平坦化單元層交替設(shè)置的水 氧阻隔層，所述阻隔單元層包括呈陣列分布的若干阻隔單元，所述平坦化單元層包括呈陣 列分布的若干平坦化單元，所述平坦化單元設(shè)置在相鄰所述阻隔單元的間隙中并延伸至所 述阻隔單元上。這樣能夠保證相鄰阻隔單元層能相互覆蓋組成單元之間的縫隙位置，有效 阻擋水氧的橫向穿透，有效保障了光電器件的性能和使用壽命。而且所述柔性聚合物基板 2能在大于所述平坦化單元的尺度范圍內(nèi)任意尺寸裁切，簡化了柔性光電器件的工藝步驟， 降低了生產(chǎn)成本。
[0062] 其中，所述阻隔單元的材料相同或者不同，選自氧化鋁、氧化硅、氮化硅、氧化鈦、 氧化鋯、氮氧化鋁、氮氧化硅、非晶碳中的一種或多種的組合。
[0063] 其中，所述平坦化單元的材料選自聚丙烯酸酯、聚對二甲苯、聚脲、聚對苯