晶晶粒，且所述第一多晶硅段31的結(jié)晶均勻度大于所述第二多晶硅段32的結(jié)晶均勻度。
[0080]所述基板I為透明基板，優(yōu)選的，所述基板I為玻璃基板或塑料基板。
[0081]具體地，所述緩沖層2、層間絕緣層7的材料可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(S1x)、或二者的組合。
[0082]所述第一柵極61、第二柵極62的材料可以是鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銅(Cu)中的一種或多種的堆棧組合。
[0083]上述低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)中，其位于驅(qū)動區(qū)域的多晶硅段的結(jié)晶晶粒顯示區(qū)域的多晶硅段的結(jié)晶晶粒較大，位于顯示區(qū)域的多晶硅段的晶粒相對較小但均一性較好，因而驅(qū)動電路具有良好的電特性，顯示區(qū)域內(nèi)TFT的電性更均一，從而使得TFT基板具有較尚的品質(zhì)O
[0084]綜上所述，本發(fā)明的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，在對非晶硅層進行準(zhǔn)分子激光退火處理前，先在非晶硅層上沉積一層氧化硅層并圖案化，得到位于顯示區(qū)域的非晶硅層上方的氧化硅層，然后以該氧化硅層作為光罩，對非晶硅層進行準(zhǔn)分子激光退火處理，使非晶硅層結(jié)晶、轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，并且在?qū)動區(qū)域形成相對較大的晶粒，以獲得高的電子迀移率，在顯示區(qū)域因有氧化硅層的遮擋，獲得激光的能量相對較小，形成相對較小但均一性較好的晶粒，使得顯示區(qū)域內(nèi)電子迀移率具有較好的均一性，從而提高低溫多晶硅TFT基板的品質(zhì)，且制程簡便，易操作。本發(fā)明提供的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)，其位于驅(qū)動區(qū)域的多晶硅段的結(jié)晶晶粒大于顯示區(qū)域的多晶硅段的結(jié)晶晶粒，使得驅(qū)動電路具有良好的電特性，顯示區(qū)域內(nèi)TFT的電性更均一，從而使得TFT基板具有較高的品質(zhì)。
[0085]以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供基板(I)，在所述基板(I)上沉積緩沖層(2); 步驟2、在所述緩沖層(2)上沉積非晶硅層(3); 步驟3、在所述非晶硅層(3)上沉積氧化硅層，并通過黃光、蝕刻制程對氧化硅層進行圖案化處理，得到位于顯示區(qū)域的氧化硅層⑷； 步驟4、以所述氧化硅層(4)作為光罩，對非晶硅層(3)進行準(zhǔn)分子激光退火處理，使非晶硅層(3)結(jié)晶、轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，并去除所述氧化硅?4); 步驟5、通過黃光、蝕刻制程對所述多晶硅層進行圖案化處理，形成間隔排列的位于顯示區(qū)域的第一多晶硅段(31)與位于驅(qū)動區(qū)域的第二多晶硅段(32); 步驟6、分別在所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)上定義出N型重?fù)诫s和N型輕摻雜區(qū)域，并分別在N型重?fù)诫s與N型輕摻雜區(qū)域摻雜不同劑量的P31，得到輕摻雜漏區(qū)； 步驟7、在所述緩沖層(2)、第一多晶硅段(31)、及第二多晶硅段(32)上沉積并圖案化柵極絕緣層(5); 步驟8、在所述柵極絕緣層(5)上對應(yīng)第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)的上方分別沉積并圖案化第一金屬層，形成第一柵極(61)、及第二柵極(62); 步驟9、在所述柵極絕緣層(5)上形成層間絕緣層(7)，并在所述柵極絕緣層(5)與層間絕緣層(7)上對應(yīng)所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)兩側(cè)的N型重?fù)诫s區(qū)域上方形成過孔(70)； 步驟10、在所述層間絕緣層(7)上沉積并圖案化第二金屬層，形成第一源/漏極(81)、及第二源/漏極(82)， 所述第一源/漏極(81)與第二源/漏極(82)分別經(jīng)由所述過孔(70)與所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)兩側(cè)的N型重?fù)诫s區(qū)域相接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述緩沖層(2)的材料為氮化硅、氧化硅、或二者的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述層間絕緣層(7)的材料為氧化硅、氮化硅、或二者的組合。
4.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一柵極(61)與第二柵極￠2)的材料為鉬、鈦、鋁和銅中的一種或多種的堆棧組合。
5.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟6用兩次光罩通過黃光光阻分別定義出N型重?fù)诫s和N型輕摻雜區(qū)域，并分別在N型重?fù)诫s與N型輕摻雜區(qū)域摻雜不同劑量的P31，得到輕摻雜漏區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，通過沉積、黃光、及蝕刻制程得到所述柵極絕緣層(5)、第一柵極(61)、第二柵極(62)、過孔(70)、第一源/漏極(81)、及第二源/漏極(82) ο
7.—種低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板(1)、設(shè)于所述基板⑴上的緩沖層(2)、設(shè)于所述緩沖層(2)上間隔排列的第一多晶硅段(31)與第二多晶硅段(32)、分別設(shè)于所述第一多晶硅段(31)與第二多晶硅段(32)上的第一源/漏極(81)與第二源/漏極(82)、設(shè)于所述緩沖層(2)、第一多晶硅段(31)、及第二多晶硅段(32)上的柵極絕緣層(5)、設(shè)于所述柵極絕緣層(5)上分別位于第一多晶硅段(31)與第二多晶硅段(32)上方的第一柵極(61)與第二柵極(62)、及設(shè)于所述柵極絕緣層(5)、第一柵極(61)及第二柵極(62)上的層間絕緣層(7)，所述第一多晶硅段(31)與第二多晶硅段(32)的兩側(cè)為N型重?fù)诫s區(qū)域，所述第一源/漏極(81)與第二源/漏極(82)分別經(jīng)由一過孔(70)與所述第一多晶硅段(31)與第二多晶硅段(32)兩側(cè)的N型重?fù)诫s區(qū)域相接觸； 所述低溫多晶硅TFT基板包括顯示區(qū)域與驅(qū)動區(qū)域，所述第一多晶硅段(31)位于所述低溫多晶硅TFT基板的顯示區(qū)域，所述第二多晶硅段(32)位于所述低溫多晶硅TFT基板的驅(qū)動區(qū)域，所述第一多晶硅段(31)的結(jié)晶晶粒小于所述第二多晶硅段(32)的結(jié)晶晶粒，且所述第一多晶硅段(31)的結(jié)晶均勻度大于所述第二多晶硅段(32)的結(jié)晶均勻度。
8.如權(quán)利要求7所述的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層⑵的材料為氮化硅、氧化硅、或二者的組合。
9.如權(quán)利要求7所述的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述層間絕緣層(7)的材料為氧化硅、氮化硅、或二者的組合。
10.如權(quán)利要求7所述的低溫多晶硅TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵極(61)、第二柵極(62)的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)，該方法包括：步驟1、提供基板(1)，沉積緩沖層(2)；步驟2、沉積非晶硅層(3)；步驟3、沉積并圖案化氧化硅層(4)；步驟4、以氧化硅層(4)為光罩，對非晶硅層(3)進行準(zhǔn)分子激光退火處理，使其結(jié)晶、轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼樱徊襟E5、形成第一多晶硅段(31)與第二多晶硅段(32)；步驟6、在第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)上定義出N型重?fù)诫s和N型輕摻雜區(qū)域，并得到輕摻雜漏區(qū)；步驟7、沉積并圖案化柵極絕緣層(5)；步驟8、形成第一柵極(61)、及第二柵極(62)；步驟9、形成過孔(70)；步驟10、形成第一源/漏極(81)、及第二源/漏極(82)。
【IPC分類】H01L27-12, H01L21-77, H01L21-268
【公開號】CN104599959
【申請?zhí)枴緾N201410817867
【發(fā)明人】盧改平
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2014年12月24日