0.5-1.5微米。通過在密封膠的表面形成黑膠層，可以顯著增強(qiáng)密封膠層的抗堿性，進(jìn)而提高復(fù)合保護(hù)層的保護(hù)作用。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，將黑膠進(jìn)行高溫固化可以在120攝氏度下烘烤2小時(shí)完成。由此可以使得形成的黑膠層與密封膠層緊密結(jié)合，增強(qiáng)密封膠層的抗堿性，進(jìn)而提高復(fù)合保護(hù)層的保護(hù)作用。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，密封膠層的端面距離黑膠層的端面850-950微米。即黑膠層對密封膠層進(jìn)行封蓋后超出部分的長度。由此密封膠層完全被黑膠層覆蓋，進(jìn)而提密封膠層的耐堿性，進(jìn)而提高復(fù)合保護(hù)層的保護(hù)作用。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，最終在體硅的預(yù)保護(hù)區(qū)域表面形成由密封膠層和黑膠層組成的復(fù)合保護(hù)層，根據(jù)本發(fā)明的具體示例，復(fù)合保護(hù)層的厚度為13微米由此可以有效地防止刻蝕液侵蝕，達(dá)到有效保護(hù)體硅的目的。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，對保護(hù)后的體硅進(jìn)行深刻蝕可以采用85攝氏度的濃度為33%的氫氧化鉀溶液進(jìn)行。由此，通過上述保護(hù)方法形成的復(fù)合保護(hù)層可以有效地防止?jié)穹ㄉ羁涛g時(shí)刻蝕溶液對轉(zhuǎn)移過程中體硅側(cè)面及硅片間粘接劑的預(yù)保護(hù)區(qū)域的損害，進(jìn)而彌補(bǔ)現(xiàn)有濕法深刻蝕的缺陷，提高產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，可以對Si02/Si3N4保護(hù)后的體硅進(jìn)行光刻后，再在完成了光刻蝕后的體硅的預(yù)保護(hù)區(qū)域進(jìn)行密封膠層-黑膠層的復(fù)合保護(hù)層保護(hù)，以便進(jìn)一步進(jìn)行轉(zhuǎn)移工藝處理。由此可以完成對體硅的圖形化基底轉(zhuǎn)移。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，最后在完成濕法深刻蝕后可以將除去復(fù)合保護(hù)層的體娃在去尚子水中進(jìn)行清洗。由此提尚廣品的品質(zhì)。
[0041]實(shí)施例
[0042]轉(zhuǎn)移工藝:將硅片上生長好的碳納米管圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基底上。首先在硅片I上生長一層碳納米管薄膜2 (如圖1所示)，刻蝕碳納米管進(jìn)行圖形化(如圖2所示)，在碳管頂端鍍金3，后將鍍完金的碳管基底與玻璃基底4粘接(如圖3所示)。
[0043]在體硅的反面、側(cè)面和正面的邊緣涂敷密封膠5，晾干約10分鐘后，形成約11.050微米的密封膠層(如圖4所示)。在密封膠層的表面涂敷黑膠，將涂敷完黑膠后的體硅在120攝氏度的烘箱中烘烤2小時(shí)，使黑膠固化，取出冷卻。在密封膠層的表面形成厚度約為I微米的黑膠層6 (如圖5所示)，由此在體硅的預(yù)保護(hù)的區(qū)域上形成復(fù)合保護(hù)層，完成對體硅的保護(hù)。進(jìn)一步地將保護(hù)后的體硅浸泡在溫度為85攝氏度的濃度為33%的氫氧化鈉溶液中，對體硅進(jìn)行深刻蝕，完成深刻蝕后。最后用鑷子剝離經(jīng)過深刻蝕后的體硅外表面的復(fù)合保護(hù)層，并在去離子水中進(jìn)行清洗，得到體硅刻蝕產(chǎn)品，如圖6所示。
[0044]該保護(hù)方法操作簡單，無需復(fù)雜設(shè)備，保護(hù)層的去除比較容易，整體深刻蝕及轉(zhuǎn)移過程效果良好，成本低。
[0045]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。
[0046]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種體硅濕法深刻蝕的保護(hù)方法，所述體硅的一個(gè)表面上形成有待轉(zhuǎn)移的圖形化結(jié)構(gòu)層，所述圖形化結(jié)構(gòu)層的遠(yuǎn)離所述體硅的一個(gè)表面與轉(zhuǎn)移基底相連，其特征在于，包括: 在由體硅、圖形化結(jié)構(gòu)層和轉(zhuǎn)移基底形成的整體的外表面的預(yù)保護(hù)區(qū)域上涂敷密封膠，以便形成密封膠層； 在所述密封膠的表面涂敷黑膠，以便形成黑膠層； 將黑膠層進(jìn)行高溫固化，以便在所述預(yù)保護(hù)區(qū)域上形成復(fù)合保護(hù)層； 利用刻蝕溶液對表面形成所述復(fù)合保護(hù)層后的體硅進(jìn)行深刻蝕，以便將所述體硅刻蝕掉；以及 除去所述復(fù)合保護(hù)層，以便完成所述圖形化結(jié)構(gòu)層轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移基底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)方法，其特征在于，所述預(yù)保護(hù)區(qū)域?yàn)橛审w硅、圖形化結(jié)構(gòu)層和轉(zhuǎn)移基底形成的整體的正面的一部分、反面和側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保護(hù)方法，其特征在于，所述密封膠層的厚度為11-12微米，所述黑膠層的厚度為0.5-1.5微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的保護(hù)方法，其特征在于，所述復(fù)合保護(hù)層的厚度為13微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的保護(hù)方法，其特征在于，所述高溫固化是在120攝氏度下烘烤2小時(shí)完成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的保護(hù)方法，其特征在于，所述深刻蝕是采用85攝氏度的濃度為33%的氫氧化鉀溶液進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的保護(hù)方法，其特征在于，所述密封膠層的端面離所述黑膠層的端面850-950微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的保護(hù)方法，其特征在于，進(jìn)一步包括:將除去所述復(fù)合保護(hù)層的體硅在去離子水中進(jìn)行清洗。
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種體硅濕法深刻蝕的保護(hù)方法，所述體硅的一個(gè)表面上形成有待轉(zhuǎn)移的圖形化結(jié)構(gòu)層，所述圖形化結(jié)構(gòu)層的遠(yuǎn)離所述體硅的一個(gè)表面與轉(zhuǎn)移基底相連，該方法包括：在由體硅、圖形化結(jié)構(gòu)層和轉(zhuǎn)移基底形成的整體的外表面的預(yù)保護(hù)區(qū)域上涂敷密封膠，以便形成密封膠層；在密封膠的表面涂敷黑膠，以便形成黑膠層；將黑膠層進(jìn)行高溫固化，以便在預(yù)保護(hù)區(qū)域上形成復(fù)合保護(hù)層；利用刻蝕溶液對表面形成復(fù)合保護(hù)層后的體硅進(jìn)行深刻蝕，以便將體硅刻蝕掉；以及除去復(fù)合保護(hù)層，以便完成圖形化結(jié)構(gòu)層轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移基底上。該方法可以有效地對體硅的側(cè)面及轉(zhuǎn)移工藝中兩片基底中間的粘接劑進(jìn)行保護(hù)，工藝簡單，無需復(fù)雜設(shè)備，成本低，耗時(shí)短。
【IPC分類】H01L21-311
【公開號】CN104599964
【申請?zhí)枴緾N201510032873
【發(fā)明人】劉澤文, 張磊, 龔著浩
【申請人】清華大學(xué)
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月22日