雙面互聯(lián)扇出工藝的制作方法
【技術領域】
[0002]本發(fā)明涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種雙面互聯(lián)扇出工藝。
【背景技術】
[0003]目前，在半導體加工的扇出工藝中，通常采用單面層積的工藝進行加工，在用此種加工工藝，可以實現(xiàn)將單個芯片進行放大，或者實現(xiàn)多個芯片進行并排連接。但是，不能實現(xiàn)芯片的堆疊封裝。

【發(fā)明內容】

[0004]在下文中給出關于本發(fā)明的簡要概述，以便提供關于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應當理解，這個概述并不是關于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關鍵或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。
[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種雙面互聯(lián)扇出工藝。本發(fā)明提供一種雙面互聯(lián)扇出工藝，包括以下步驟:
在晶圓的頂面上開設多個盲孔；
在所述盲孔內形成第一導電柱，并且以倒置的方式安放至少一個芯片，所述芯片的焊墊上形成有第二導電柱，所述第一導電柱的頂部及所述第二導電柱的頂部均高于所述晶圓的頂面；
在所述晶圓的頂面上形成塑封層，所述塑封層暴露出所述第一導電柱及所述第二導電柱的頂面；
在所述塑封層上形成與所述第一導電柱及所述第二導電柱相連接的第一再布線金屬層；
在所述第一再布線金屬層上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層形成有暴露所述第一再布線金屬層的第一開口；
在所述第一開口處形成與所述第一再布線金屬層連接的上凸點；
對所述晶圓的底部進行減薄，直至露出所述第一導電柱的底面；
在減薄后的所述晶圓的底面形成第二鈍化層，所述第二鈍化層設置有暴露所述第一導電柱底面及所述芯片頂面的第二開口；
[0006]在所述第二開口處形成背部接電結構。
[0007]采用本發(fā)明工藝形成的芯片，在頂部和底部均形成了接電的結構，使得使用本發(fā)明工藝形成的芯片可以進行芯片的堆疊封裝。另外，在形成背部接電結構時，同時會在第二鈍化層暴露芯片頂部的第二開口處形成金屬層，該金屬層可用于對芯片進行散熱，降低熱阻，特別是對于高功耗的芯片，其能更好的保證芯片的正常工作。
【附圖說明】
[0008]參照下面結合附圖對本發(fā)明實施例的說明，會更加容易地理解本發(fā)明的以上和其它目的、特點和優(yōu)點。附圖中的部件只是為了示出本發(fā)明的原理。在附圖中，相同的或類似的技術特征或部件將采用相同或類似的附圖標記來表示。
[0009]圖1為本發(fā)明實施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝的流程圖。
[0010]圖2a-圖2ο為實施本發(fā)明實施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝各步驟所形成的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0011]下面參照附圖來說明本發(fā)明的實施例。在本發(fā)明的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或實施方式中示出的元素和特征相結合。應當注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本發(fā)明無關的、本領域普通技術人員已知的部件和處理的表示和描述。
[0012]圖1為本發(fā)明實施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝的流程圖。如圖1所示，本發(fā)明實施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝，包括以下步驟:
[0013]SlOl:在晶圓的頂面上開設多個盲孔；
[0014]S102:在所述盲孔內形成第一導電柱，并且以倒置的方式安放至少一個芯片，所述芯片的焊墊上形成有第二導電柱，所述第一導電柱的頂部及所述第二導電柱的頂部均高于所述晶圓的頂面；
[0015]S103:在所述晶圓的頂面上形成塑封層，所述塑封層暴露出所述第一導電柱及所述第二導電柱的頂面；
[0016]S104:在所述塑封層上形成與所述第一導電柱及所述第二導電柱相連接的第一再布線金屬層；
[0017]S105:在所述第一再布線金屬層上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層形成有暴露所述第一再布線金屬層的第一開口；
[0018]S106:在所述第一開口處形成與所述第一再布線金屬層連接的上凸點；
[0019]S107:對所述晶圓的底部進行減薄，直至露出所述第一導電柱的底面；
[0020]S108:在減薄后的所述晶圓的底面形成第二鈍化層，所述第二鈍化層設置有暴露所述第一導電柱底面及所述芯片頂面的第二開口；
[0021]S109:在所述第二開口處形成背部接電結構。
[0022]采用本發(fā)明工藝形成的芯片，在頂部和底部均形成了接電的結構，使得使用本發(fā)明工藝形成的芯片可以進行芯片的堆疊封裝。另外，在形成背部接電結構時，同時會在第二鈍化層暴露芯片頂部的第二開口處形成金屬層，該金屬層可用于對芯片進行散熱，降低熱阻，特別是對于高功耗的芯片，其能更好的保證芯片的正常工作。
[0023]實施本發(fā)明實施例提供的雙面互聯(lián)扇出工藝，具體地，如圖2a所不，提供一晶圓I，在晶圓I的頂面鐳射刻蝕標記。如圖2b所示，在晶圓I的頂面上對應于刻蝕標記的位置處形成多個盲孔2。多個盲孔2可以通過刻蝕的方式加工。如圖2c所示，在盲孔2內形成第一導電柱3，第一導電柱3的設置位置及設置數(shù)量根據(jù)實際需要確定。第一導電柱3的頂部高于晶圓I的頂面。作為一種可實現(xiàn)方式，第一導電柱3可以采用銅柱。如圖2d所示，在盲孔內以倒置的形式放置至少一個芯片，芯片位于第一導電柱之間。每個盲孔2內可以設置一個或多個芯片4，芯片4的設置數(shù)量根據(jù)實際需要確定。需要說明的是，再將芯片放置于盲孔內之前，首先對芯片進行再造，也即在芯片的焊墊上形成第二導電柱，第二導電柱可以是銅柱。如圖2e所示，在晶圓I的頂部形成塑封層5，塑封層5包覆第一導電柱3及芯片4上的第二導電柱6頂部。如圖2