一種圖形制作方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是一種圖形制作方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。為了使得陣列基板和彩膜基板在不加電壓的情況下穩(wěn)定液晶方向，需要在陣列基板上設(shè)置有PI (Polyimide,聚酰亞胺)薄膜。
[0003]圖1為在TFT基板上摩擦PI薄膜的示意圖(以頂柵結(jié)構(gòu)為例)，從圖中可以看出，目前絕緣層上方的源電極6、漏電極7、半導(dǎo)體層圖案8均是存在凸起的，因此像素區(qū)域9的邊緣附近會(huì)存在段差h，當(dāng)輥?zhàn)?0在摩擦PI薄膜過程中會(huì)因段差h而形成盲區(qū)RubbingShadow?這樣一來，盲區(qū)中的PI薄膜因未被摩擦到而導(dǎo)致液晶分子排列混亂，使得光無法按照預(yù)期方向折射，發(fā)生像素區(qū)域邊緣的漏光現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種圖形制作方法陣列基板、顯示裝置，能夠有效減少功能圖案在絕緣層上形成的凸起。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
[0006]一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種圖形制作方法，用于在最上層為絕緣層的基板上形成功能圖案，所述圖形制作方法包括:
[0007]在所述絕緣層上刻蝕出與所述功能圖案相同的凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)的厚度小于所述絕緣層的厚度；
[0008]在刻蝕有所述凹槽結(jié)構(gòu)的基板上形成待刻蝕為功能圖案的圖案層；
[0009]刻蝕掉非凹槽結(jié)構(gòu)上的所述圖案層，得到由保留在所述凹槽結(jié)構(gòu)上的圖案層形成的所述功能圖案。
[0010]其中，所述功能圖案為半導(dǎo)體層圖案；所述圖案層為半導(dǎo)體層。
[0011]或者，所述功能圖案為源漏電極圖案；所述圖案層為源漏電極金屬層。
[0012]再或者，所述功能圖案為半導(dǎo)體層圖案和源漏電極圖案；所述圖案層為半導(dǎo)體層和源漏電極金屬層。
[0013]其中，在所述絕緣層上刻蝕出與所述功能圖案相同的凹槽結(jié)構(gòu)，包括:
[0014]在所述絕緣層上逐次按照所述半導(dǎo)體層圖案以及源漏電極圖案進(jìn)行刻蝕；或在所述絕緣層上按照所述半導(dǎo)體層圖案以及源漏電極圖案組成的符合圖案進(jìn)行刻蝕。
[0015]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板的絕緣層具有凹槽結(jié)構(gòu)，形成在所述絕緣層上的功能圖案至少一部分與所述凹槽結(jié)構(gòu)重疊。
[0016]此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0017]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0018]在本發(fā)明的方案中，絕緣層上的凹槽可抵消其上面功能圖案的凸起，因此可使像素區(qū)域的邊緣附近更加平坦，進(jìn)而提高了 PI薄膜摩擦工藝，避免發(fā)生漏光現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0019]圖1為在現(xiàn)有技術(shù)的TFT基板上摩擦PI薄膜的示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明的圖形制作方法的步驟示意圖；
[0021]圖3A-圖3E為本發(fā)明實(shí)施例一制作圖形的工藝示意圖；
[0022]圖4為發(fā)明實(shí)現(xiàn)方式一中，像素區(qū)域在基板上的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5A-圖5E為本發(fā)明實(shí)施例二制作圖形的工藝示意圖；
[0024]圖6為發(fā)明實(shí)現(xiàn)方式二中，像素區(qū)域在基板上的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖7A-圖7E為本發(fā)明實(shí)施例三制作圖形的工藝示意圖；
[0026]圖8為發(fā)明實(shí)現(xiàn)方式三中，像素區(qū)域在基板上的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖9為現(xiàn)有技術(shù)的TFT陣列基板與本發(fā)明的TFT陣列基板的對(duì)比示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029]傳統(tǒng)工藝制成的TFT陣列基板中，像素區(qū)域的邊緣附近存在較大的段差，因此在對(duì)像素區(qū)域摩擦配向膜時(shí)，會(huì)有盲區(qū)。為解決這一問題，本發(fā)明提供一種新的圖形制作方法制作方法，可有效改善薄膜晶體管區(qū)域與像素區(qū)域之間的平坦度，如圖2所示，本實(shí)施例的方法包括:
[0030]步驟21，在所述絕緣層上刻蝕出與所述功能圖案相同的凹槽結(jié)構(gòu)；所述凹槽結(jié)構(gòu)的厚度小于所述絕緣層的厚度；
[0031]步驟22，在刻蝕有所述凹槽結(jié)構(gòu)的基板上形成待刻蝕為功能圖案的圖案層；
[0032]步驟23，刻蝕掉非凹槽結(jié)構(gòu)上的所述圖案層，得到由保留在所述凹槽結(jié)構(gòu)上的圖案層形成的所述功能圖案。
[0033]在本實(shí)施例的制作方法中，絕緣層上的凹槽結(jié)構(gòu)可抵消其上面功能圖案的凸起，因此可使像素區(qū)域的邊緣附近更加平坦，進(jìn)而避免了摩擦PI薄膜過程中存在盲區(qū)。
[0034]需要給予說明的是，在本實(shí)施例的方法中，只要是在絕緣層上所形成的圖案都可以在一定程度上(取決于凹槽結(jié)構(gòu)的厚度)抵消凸起。例如，想要抵消源漏電極圖案的凸起，則可以在絕緣層上刻蝕源漏電極圖案的凹槽結(jié)構(gòu)，或者想要抵消有半導(dǎo)體層圖案的凸起，則可以在絕緣層上刻蝕半導(dǎo)體層圖案的凹槽結(jié)構(gòu)，再或者想要同時(shí)抵消源半導(dǎo)體層圖案和漏電極圖案的凸起，則可以在絕緣層上，刻蝕出半導(dǎo)體層圖案和漏電極圖案的凹槽結(jié)構(gòu)。下面結(jié)合幾種實(shí)現(xiàn)方式對(duì)上述方案進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0035]<實(shí)現(xiàn)方式一 >，抵消半導(dǎo)體層圖案的凸起:
[0036]在實(shí)現(xiàn)方式一中，所述圖形制作方法的工藝過程如圖3A-圖3E所示，包括:
[0037]步驟31，在基板I的絕緣層2上刻蝕出半導(dǎo)體層圖案的凹槽結(jié)構(gòu)3 ;其中，刻蝕厚度要小于絕緣層的厚度；
[0038]步驟32，在刻蝕有凹槽結(jié)構(gòu)的基板上形成半導(dǎo)體層4 ;
[0039]步驟33，對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，去掉凹槽結(jié)構(gòu)外的半導(dǎo)層，得到半導(dǎo)體層圖案；在該步驟中，若刻蝕厚度等于半導(dǎo)體層圖案的厚度，則制作出的半導(dǎo)體層圖案與絕緣層可呈同一平面；
[0040]步驟34，在制作出半導(dǎo)體圖案層的基板上沉積源漏電極金屬層5 ;
[0041]步驟35，對(duì)源漏電極金屬層進(jìn)行刻蝕，得到數(shù)據(jù)線、源電極6以及漏電極7 ;
[0042]在上述基礎(chǔ)之上，若后續(xù)制作出像素電極圖案后，可得到如圖4所示的結(jié)構(gòu)，對(duì)比圖1所示的頂柵結(jié)構(gòu)的TFT基板，可以看出，現(xiàn)有技術(shù)中像素區(qū)域邊緣附近的段差h高度約等于半導(dǎo)體層圖案8與源漏電極圖案(6、7)的厚度和，而本實(shí)現(xiàn)方式一中，假設(shè)刻蝕厚度為半導(dǎo)體層圖案厚度，則最后的像素區(qū)域邊緣附近的段差高度hi約等于源漏電極圖案厚度。