括大量的粘合劑和用于連接電極的高黏度的糊劑來印刷襯墊 電極122時，在燒制之后，難W在襯墊電極122和連接電極123之間進行區(qū)分。當在燒制之 后可W將通孔電極121直接連接或者電連接至連接電極123或者第二電極130時，可W選 擇性地包括襯墊電極122。
[0033] 在本發(fā)明的實施方式中，當包括襯墊電極122時，襯墊電極122和連接電極123應 該共同燒制并且在燒制之后，其應該可W與通孔電極121和第二電極130保持良好的電連 接。
[0034] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式具有嵌入式MLCC的LTCC基板能夠通過控制包括在電極中 的各種金屬的種類和量來防止在低溫燒制之后電極的擴散、剝落或損失。
[00巧]在本發(fā)明的實施方式中，第一電極120包括95-lOOwt%的Ag，并且在另一個實施 方式中，第一電極120可W進一步包括選自Au、化、Pt W及它們的合金的至少一種。
[0036] 當?shù)谝浑姌O120中Ag的量少于95wt%時，可朗尋除了 Ag之外的其他組分定位在 種類彼此不同的電極之間的界面上，從而導致電極之間的較差的連接或者附著。它還進一 步導致該些電極之間的不足夠的結合強度。在另一方面，當?shù)谝浑姌O120中Ag的量高于 95wt%時，粘附區(qū)域充分地緊固在種類彼此不同的電極之間的界面處，從而導致第一電極 120和第二電極130之間良好的附著。
[0037] 此外，在本發(fā)明的實施方式中，第一電極120可W進一步包括玻璃W促進Ag在不 同類型電極之間的界面處的擴散從而引起Ag-Ag鍵形成。在本發(fā)明的實施方式中，玻璃的 量可W是0. 5-5wt%。當相對于第一電極120,玻璃的量大于5wt%時，玻璃可W定位在不同 類型電極之間的界面處，該進一步導致防止Ag-Ag鍵形成和較差的結合強度。
[0038] 在本發(fā)明的實施方式中，玻璃可W是測娃酸鹽玻璃、娃酸餓玻璃、娃酸鋒玻璃 或者它們的組合，但是不限于此。玻璃的實例包括基于化〇-Ba〇-Si〇2-B2〇3的玻璃，優(yōu)選 20Ca〇-25Ba〇-50Si〇2-5B2〇3 或 20Ca〇-20Ba〇-55Si〇2-5B2〇3。玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可 W是 600 至 850 〇C。
[0039] 在另一個實施方式中，第一電極120在不影響與第二電極130電連接的范圍內(nèi)可 W進一步包括無機氧化物。
[0040] 在本發(fā)明的實施方式中，提供了具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板， 其中，第二電極130包括65-90wt% (優(yōu)選70-90wt%)的Ag和具有比Ag更高烙點的金屬。 該里，具有比Ag更高烙點的金屬優(yōu)選地可W包括選自Au、化、PtW及它們的合金的至少一 種。
[0041] 例如，可W通過嵌入在LTCC的陶瓷元件110中的空腔150中在約120(TC下燒制 的MLCC并且在約90(TC的相對低溫下燒制來巧IJ備根據(jù)本發(fā)明的具有嵌入式MLCC的LTCC基 板。當LTCC的燒制溫度高于包括在電極中的金屬的烙點時，包括在電極中的金屬可W融化 和擴散，該導致電極的擴散、剝落或損失。
[0042] 因此，應理解，第二電極130包括可W與Ag形成合金并且具有比Ag更高烙點的金 屬，使得其可W具有與第一電極120的足夠的粘合界面并且還與MLCC140保持良好的附著。 [004引當?shù)诙姌O130中的Ag的量少于65wt %時，在與第一電極120的界面處沒有足 夠的Ag-Ag鍵形成，從而導致電極之間較差的粘著強度。在另一方面，當?shù)诙姌O130中的 Ag的量高于90wt%時，Ag可W融化并且擴散，因此導致與MLCC140的粘著區(qū)域變窄并且形 成細孔。
[0044] 在下文中，雖然通過實例給出更加具體的說明，但該些僅用于解釋，而并不旨在限 制本發(fā)明。
[0045] 連施例
[0046] 根據(jù)第一電極（襯墊電極和連接電極）和第二電極的組成來確定第二電極的剝 落、損失面積比、結合強度和剝落類型。
[0047] 在表1中示出第一電極（襯墊電極和連接電極）和第二電極的組成。
[0048] 表 1
[0049]
【主權項】
1. 一種具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，第一電極層壓在多個印 刷陶瓷生片上并且在所述基板中形成空腔，所述基板包括： 多層陶瓷電容器，設置為與所述空腔內(nèi)部的所述陶瓷生片間隔開并且包括第二電極， 所述第二電極電連接至所述第一電極， 其中，所述第一電極包括95-lOOwt%的Ag，W及 其中，所述第二電極包括65-90wt%的Ag和具有比Ag更高烙點的金屬。
2. 根據(jù)權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述 所述第一電極進一步包括選自由Au、化、PtW及它們的合金組成的組中的至少一種。
3. 根據(jù)權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述 第一電極包括通過所述陶瓷生片的通孔電極和與所述第二電極電連接的連接電極。
4. 根據(jù)權利要求3所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述 第一電極進一步包括在所述通孔電極和所述連接電極之間的襯墊電極。
5. 根據(jù)權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述 第二電極包括65-90wt %的Ag ;并且包括選自由Au、化、Pt W及它們的合金組成的組中的 至少一種金屬。
6. 根據(jù)權利要求5所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，Ag增 加了 70-90wt%。
7. 根據(jù)權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述 第一電極進一步包括0. 5-5wt%的基于Ca〇-Ba〇-Si〇2-B2〇3的玻璃。
8. 根據(jù)權利要求7所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述 玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是600至85(TC。
9. 根據(jù)權利要求8所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述 玻璃的組分配方是 20Ca〇-25Ba〇-50Si〇2-5B2〇3 或 20Ca〇-20Ba〇-55Si〇2-5B2〇3。
10. 根據(jù)權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述 具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板的燒制溫度是800至95(TC。
【專利摘要】本發(fā)明涉及具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板能夠通過控制包括在基板中的各種金屬的組成比率來防止在低溫燒制之后電極的擴散、剝落或損失，從而導致陶瓷基板和電容器之間良好的附著。
【IPC分類】H01G4-008, H01G2-06, H01G4-232
【公開號】CN104637674
【申請?zhí)枴緾N201410337839
【發(fā)明人】羅智星, 趙范俊, 崔重購, 樸胤輝, 吳光宰, 秋昊成, 申知桓
【申請人】三星電機株式會社
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2014年7月16日
【公告號】US20150122536