用于制造顯示面板的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 所描述的技術(shù)大體上涉及用于制造顯示面板的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近來(lái)，由于可容易將平板顯示器（FPD)實(shí)現(xiàn)為大、薄且重量輕的，因此顯示設(shè)備市 場(chǎng)已迅速轉(zhuǎn)向FH)市場(chǎng)。在各種類(lèi)型的平板顯示器中，有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器是不 需要單獨(dú)光源的自發(fā)射型，因此在縮小厚度和減輕重量方面具有更多優(yōu)勢(shì)。
[0003] 由于一般的平板顯示器使用玻璃基板，因此該平板顯示器具有降低的靈活性、厚 的厚度以及大的重量，因此在應(yīng)用方面受到限制。近來(lái)，為了減小顯示設(shè)備的厚度，顯示單 元被形成在超薄玻璃基板上。
[0004] 超薄玻璃基板具有薄的厚度和大的面積，因此不易操縱。因此，支撐基板被附接在 該超薄玻璃基板的下方，以便在該超薄玻璃基板上形成像素。
[0005] 然而，在完成像素形成過(guò)程之后，超薄玻璃基板需要與支撐基板分離。為了這樣 做，超薄玻璃基板被暴露至高溫工藝等，因此其不能容易地與支撐基板分離并且可被部分 損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 因此，本發(fā)明旨在提供一種用于制造顯示面板的方法，該方法能夠容易地從支撐 基板分離超薄玻璃基板。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于制造顯示面板的方法，包括：通過(guò)在支撐基 板的脫附區(qū)中形成釋放層和凹陷部中的一個(gè)，在所述支撐基板中限定所述脫附區(qū)；清洗所 述支撐基板的表面；在所述支撐基板上布置薄膜基板；將所述薄膜基板結(jié)合至所述支撐基 板；在所述薄膜基板上形成像素和密封構(gòu)件；在對(duì)應(yīng)于所述脫附區(qū)的位置處切割所述密封 構(gòu)件和所述薄膜基板；以及從所述薄膜基板分離所述支撐基板。所述清洗可以通過(guò)UV清 洗、超聲波清洗、水射流清洗、氫水清洗和臭氧（〇3)清洗中的一種來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述像素可以包 括有機(jī)發(fā)光元件。
[0008] 所述脫附區(qū)可以由所述凹陷部限定，所述凹陷部通過(guò)等離子體蝕刻或噴砂來(lái)產(chǎn) 生。所述凹陷部的深度可以為2nm至200i!m。所述脫附區(qū)可以由所述釋放層限定，形成釋 放層可以包括：在所述支撐基板上形成銦錫氧化物（IT0)層和銦鋅氧化物（IZ0)層中的一 個(gè)；通過(guò)圖案化所述IT0層和所述IZ0層中的所述一個(gè)形成保留的釋放層；以及使所保留 的釋放層結(jié)晶。所述釋放層可以被形成為具有100A至1000A的厚度。
[0009] 所述薄膜基板可以包括具有〇? 01mm至0? 1mm厚度的超薄玻璃。在與所述脫附區(qū) 外部的吸附區(qū)相對(duì)應(yīng)的位置處所述支撐基板的表面粗糙度可以等于或小于〇. 2nm。在結(jié)合 期間，所述薄膜基板可以在所述吸附區(qū)中在不需要中間粘結(jié)層的情況下直接并以共價(jià)鍵結(jié) 合至所述支撐基板。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制造顯示面板的另一方法，包括：清洗支撐 基板的表面；通過(guò)在所述支撐基板的脫附區(qū)中形成釋放層和凹陷部中的一個(gè)，限定所述支 撐基板的所述脫附區(qū)；在所述支撐基板上布置薄膜基板；將所述薄膜基板結(jié)合至所述支撐 基板；在所述薄膜基板上形成像素和密封構(gòu)件；在對(duì)應(yīng)于所述脫附區(qū)的位置處切割所述密 封構(gòu)件和所述薄膜基板；以及從所述薄膜基板分離所述支撐基板。所述清洗可以包括選自 UV清洗、超聲波清洗、水射流清洗、氫水清洗和臭氧（03)清洗的工藝，并且所述薄膜基板可 以在所述脫附區(qū)外部的吸附區(qū)中并且在不需要中間粘結(jié)層的情況下直接并以共價(jià)鍵結(jié)合 至所述支撐基板。所述支撐基板還可以包括包圍所述脫附區(qū)的吸附區(qū)。
[0011] 所述脫附區(qū)可以由所述凹陷部限定，所述凹陷部可以通過(guò)借助于從由等離子體蝕 刻和噴砂組成的組中選擇的工藝對(duì)支撐基板進(jìn)行蝕刻來(lái)產(chǎn)生。所述凹陷部的深度可以為 2nm至 200um。
[0012] 所述脫附區(qū)可以由所述釋放層限定，形成釋放層可以包括：在所述支撐基板上形 成銦錫氧化物（IT0)層和銦鋅氧化物（IZ0)層中的一個(gè)；通過(guò)圖案化所述IT0層和所述IZ0 層中的所述一個(gè)形成保留的釋放層；以及使所保留的釋放層結(jié)晶。所述釋放層可以被形成 為具有100A至1000A的厚度。
[0013] 所述薄膜基板可以是具有0. 〇1_至0. 1_厚度的超薄玻璃。在與所述脫附區(qū)外 部的吸附區(qū)相對(duì)應(yīng)的位置處所述支撐基板的表面粗糙度可以等于或小于0. 2nm。所述像素 可以包括有機(jī)發(fā)光元件。
【附圖說(shuō)明】
[0014] 通過(guò)參照下面結(jié)合附圖所考慮的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明變得更好理解，因此本發(fā)明的 更完整理解以及本發(fā)明帶來(lái)的許多優(yōu)點(diǎn)將容易明白，在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或 相似的組件，其中：
[0015] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的用于制造顯示面板的方法的流程圖；
[0016] 圖2示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的方法、其中將釋放層增加至支撐基板的脫附區(qū) SA的處理步驟；
[0017] 圖3示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的方法、其中將薄膜基板附接至支撐基板/釋放 層組合的處理；
[0018] 圖4示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的方法、其中在附接至支撐基板的薄膜基板上形 成像素的處理步驟；
[0019] 圖5示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的方法、其中將包括像素的顯示面板和一部分薄 膜基板與支撐基板分離的處理步驟；
[0020] 圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的、位于母基板中的顯示面板的示意性布局圖；
[0021] 圖7是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板的示意性布局圖；
[0022] 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板的一個(gè)像素的等效電 路圖；
[0023] 圖9是圖8的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的一個(gè)像素的剖視圖；
[0024] 圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的制造顯示面板的順序的流程圖；
[0025] 圖11是在依賴(lài)于圖10的根據(jù)第二示例性實(shí)施例的方法的順序的中間步驟中支撐 基板的剖視圖；
[0026] 圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的制造顯示面板的順序的流程圖；以 及
[0027] 圖13是在根據(jù)第三示例性實(shí)施例的方法的中間步驟中支撐基板的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028] 在下文中，將參照其中示出示例性實(shí)施例的附圖更充分地描述示例性實(shí)施例。如 本領(lǐng)域技術(shù)人員所認(rèn)識(shí)到的，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的所有情況下，可以以各種不 同的形式修改所描述的實(shí)施例。
[0029] 在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，放大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。應(yīng)理解，當(dāng)諸如層、 膜、區(qū)域或基板之類(lèi)的元件被稱(chēng)為位于另一元件"上"時(shí)，其可以直接位于另一元件上，或者 也可以存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱(chēng)為"直接"位于另一個(gè)元件"上"時(shí)，則不存在 中間元件。
[0030] 現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖1，圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的用于制造顯示面板的方法的流程 圖。如圖1所示，根據(jù)示例性實(shí)施例的用于制造顯示面板的方法包括在支撐基板上形成脫 附區(qū)和吸附區(qū)（S100)，清洗支撐基板（S102)，將薄膜基板結(jié)合至支撐基板上（S104)，在薄 膜基板上形成像素（S106)，將薄膜基板切割為單個(gè)顯示面板（S108)，以及從支撐基板分離 顯示面板（S110)。
[0031] 在下文中，將參照?qǐng)D2至圖5詳細(xì)地描述根據(jù)圖1的流程圖的用于制造顯示面板 的方法。
[0032] 圖2至圖5是示意性描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的用于制造顯示面板的方法的剖 視圖，圖6是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的位于母基板中的顯示面板的示意性布局圖。
[0033] 如圖1和圖2所示，制備支撐基板500,并且在支撐基板500上形成釋放層 10 (S100)，以將脫附區(qū)SA與吸附區(qū)SB區(qū)別開(kāi)。
[0034] 支撐基板500支撐薄膜基板100,并且防止薄膜基板彎曲，其中薄膜基板彎曲是由 于通常由玻璃基板制成的薄膜基板非常薄而發(fā)生的。支撐基板500可以具有0. 3mm至1_ 的厚度，并且可優(yōu)選具有〇. 5mm的厚度。
[0035] 脫附區(qū)SA是其中形成釋放層10的區(qū)域，吸附區(qū)SB是其中未形成釋放層10的區(qū) 域。如圖6所示，釋放層可以被形成為多個(gè)并且被布置為矩陣形式。
[0036] 關(guān)于釋放層，首先，在200°C或更低的溫度下形成厚度為100A至j〇〇〇A的銦錫氧 化物（IT0)膜或銦鋅氧化物（IZ0)膜。接下來(lái)，通過(guò)利用光刻工藝圖案化IT