用于集成電路圖案化的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于集成電路圖案化的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速增長。IC材料和設(shè)計中的技術(shù)進步已經(jīng)產(chǎn)生了數(shù)代1C，且與前一代IC相比，每一代IC均具有更小并且更復雜的電路。在IC的發(fā)展過程中，通常已經(jīng)增大了功能密度(即，每個芯片區(qū)域的互連器件的數(shù)目)，而已經(jīng)減小了幾何尺寸(即，可以使用制造工藝產(chǎn)生的最小的組件(或線))。這種按比例縮小工藝通常通過增大生產(chǎn)效率并減小相關(guān)成本而提供益處。這種按比例縮小也增大了加工和制造IC的復雜性，并且為了實現(xiàn)這些進步，需要對IC工藝和制造進行相似的發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種形成用于集成電路的目標圖案的方法，所述方法包括:使用第一掩模在襯底上方形成多條線；在所述襯底上方、所述多條線上方和所述多條線的側(cè)壁上形成間隔件層；去除所述間隔件層的至少一部分以暴露所述多條線和所述襯底；收縮設(shè)置在所述多條線的側(cè)壁上的所述間隔件層；以及去除所述多條線，從而在所述襯底上方提供圖案化的間隔件層。
[0004]在上述方法中，進一步包括:至少使用所述圖案化的間隔件層作為蝕刻掩模蝕刻所述襯底；以及在所述蝕刻之后，去除所述間隔件層。
[0005]在上述方法中，其中，形成所述多條線包括:在所述襯底上方形成光刻膠層；以及使用所述第一掩模圖案化所述光刻膠層。
[0006]在上述方法中，其中，去除所述間隔件層的至少一部分包括各向異性蝕刻工藝。
[0007]在上述方法中，其中，去除所述間隔件層的至少一部分包括各向異性蝕刻工藝；其中，所述各向異性蝕刻工藝包括干蝕刻。
[0008]在上述方法中，其中，收縮所述間隔件層包括使用選擇性地適用于去除所述間隔件層的一部分而基本上不改變所述多條線和所述襯底的溶液的濕清洗工藝。
[0009]在上述方法中，其中，收縮所述間隔件層包括使用選擇性地適用于去除所述間隔件層的一部分而基本上不改變所述多條線和所述襯底的溶液的濕清洗工藝；其中:所述間隔件層包括氮化鈦或氧化鈦；以及所述濕清洗工藝使用氫氟酸(HF)或SCl溶液。
[0010]在上述方法中，其中，收縮所述間隔件層包括使用選擇性地適用于去除所述間隔件層的一部分而基本上不改變所述多條線和所述襯底的溶液的濕清洗工藝；其中:所述間隔件層包括氮化鈦或氧化鈦；以及所述濕清洗工藝使用氫氟酸(HF)或SCl溶液；其中，所述SCl溶液包括1:1:5的氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)和水(H2O)的混合物。
[0011]在上述方法中，其中，收縮所述間隔件層包括使用選擇性地適用于去除所述間隔件層的一部分而基本上不改變所述多條線和所述襯底的溶液的濕清洗工藝；其中:所述間隔件層包括氮化鈦或氧化鈦；以及所述濕清洗工藝使用氫氟酸(HF)或SCl溶液；其中，所述SCl溶液包括1:1:5的氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)和水(H2O)的混合物；其中，在約25攝氏度和約80攝氏度之間的溫度下實施收縮所述間隔件層。
[0012]在上述方法中，其中，收縮所述間隔件層包括使用選擇性地適用于去除所述間隔件層的一部分而基本上不改變所述多條線和所述襯底的溶液的濕清洗工藝；其中:所述間隔件層包括氮化硅；以及所述濕清洗工藝使用氫氟酸(HF)或磷酸(H2POO。
[0013]在上述方法中，其中，收縮所述間隔件層包括使用選擇性地適用于去除所述間隔件層的一部分而基本上不改變所述多條線和所述襯底的溶液的濕清洗工藝；其中:所述間隔件層包括氮化硅；以及所述濕清洗工藝使用氫氟酸(HF)或磷酸(H2PO4O ;其中，在約25攝氏度和約80攝氏度之間的溫度下實施收縮所述間隔件層。
[0014]在上述方法中，進一步包括:在形成所述間隔件層之前，修剪所述多條線。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種形成用于集成電路的目標圖案的方法，所述方法包括:使用第一掩模圖案化襯底，從而形成多個第一部件；在所述襯底上方和所述多個第一部件的側(cè)壁上方形成間隔件層；各向異性地蝕刻所述間隔件層的至少一部分以暴露所述多個第一部件并暴露所述襯底；使用化學溶液清洗所述間隔件層以在控制的方式下減小所述間隔件層的厚度；以及去除所述多個第一部件。
[0016]在上述方法中，其中:所述間隔件層使用氮化鈦或氧化鈦；以及所述化學溶液使用氫氟酸(HF)或SCl溶液。
[0017]在上述方法中，其中:所述間隔件層使用氮化鈦或氧化鈦；以及所述化學溶液使用氫氟酸(HF)或SCl溶液；其中，在每分鐘約10埃至30埃的蝕刻速率下減小所述間隔件層的厚度。
[0018]在上述方法中，其中:所述間隔件層使用氮化硅；以及所述化學溶液使用氫氟酸(HF)或磷酸(H2PCV) ο
[0019]在上述方法中，其中:所述間隔件層使用氮化硅；以及所述化學溶液使用氫氟酸(HF)或磷酸(H2PCV);其中，在每分鐘約10埃至30埃的蝕刻速率下減小所述間隔件層的厚度。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種方法，包括:使用光刻工藝在襯底上方形成兩條線，所述兩條線在第一方向上具有第一尺寸；在所述襯底上方、所述兩條線上方和所述兩條線的側(cè)壁上沉積第一材料；對所述第一材料實施各向異性蝕刻工藝以暴露所述襯底和所述兩條線；對所述第一材料實施濕清洗工藝以減小所述第一材料的厚度，從而使得設(shè)置在所述兩條線的側(cè)壁上的所述第一材料在所述第一方向上間隔開第二尺寸；以及去除所述兩條線。
[0021]在上述方法中，其中:所述第一材料使用包含金屬的介電材料；所述濕清洗工藝使用pH在約3至6的化學溶液或使用pH在約8至10的化學溶液；以及所述濕清洗工藝在每分鐘約10埃至30埃的蝕刻速率下減小所述第一材料的厚度。
[0022]在上述方法中，其中，所述第一尺寸和所述第二尺寸大約是相同的。
【附圖說明】
[0023]當結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該強調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以被任意增加或減少。
[0024]圖1是用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的在襯底上形成目標圖案或器件的方法的流程圖。
[0025]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的各個方面的示例性襯底和在其上形成的目標圖案。
[0026]圖3a至圖9b是根據(jù)實施例的，根據(jù)圖1的方法的形成圖2的目標圖案的頂視圖和截面圖。
【具體實施方式】
[0027]為了實施本發(fā)明的不同特征，以下公開提供了許多不同的實施例或?qū)嵗?。以下描述了組件和布置的特定實例以簡化本發(fā)明。當然這些僅僅是實例并不打算限定。另外，本發(fā)明可在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡明和清楚的目的，而且其本身沒有規(guī)定所述各種實施例和/或配置之間的關(guān)系。此外，說明書中的在第二工藝之前實施第一工藝可以包括在第一工藝之后直接實施第二工藝的實施例，并且也可以包括在第一和第二工藝之間可以實施額外的工藝的實施例。為了簡單和清楚的目的，各個部件可以任意的以不同的比例繪制。而且，第一部件形成在第二部件上方或者上可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。
[0028]另外，為了便于描述，可以在本文中使用諸如“在…之下”、“下面”、下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對術(shù)語以描述附圖中示出的一個元件或部件與另一個(些)元件或部件的關(guān)系。除了附圖中示出的方位之外，空間相對術(shù)語意圖涵蓋器件在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件翻