從而在目標(biāo)層中形成溝槽。使用填充材料填充該溝槽。
[0063]根據(jù)其他實(shí)施例，一種方法包括:在目標(biāo)層上方形成芯軸層，實(shí)施第一光刻和蝕刻工藝以圖案化芯軸層，實(shí)施第二光刻和蝕刻工藝以及切割蝕刻工藝以圖案化該芯軸層的剩余部分，從而在芯軸層中形成第一開(kāi)口。第一開(kāi)口具有I形并且包括兩個(gè)平行部分，其中，通過(guò)第一光刻和蝕刻工藝以及第二光刻和蝕刻工藝形成上述兩個(gè)平行部分。第一開(kāi)口還包括使兩個(gè)平行部分互連的連接部分。在第一開(kāi)口的側(cè)壁上形成間隔件，其中，間隔件填充整個(gè)連接部分，并且其中，兩個(gè)平行部分中的每個(gè)的中心部分均未被間隔件填充。蝕刻芯軸層以去除芯軸層的一部分并且形成第二開(kāi)口，其中，第二開(kāi)口位于第一開(kāi)口的兩個(gè)平行部分之間。第二開(kāi)口通過(guò)間隔件與第一開(kāi)口的兩個(gè)平行部分間隔開(kāi)。該方法還包括將第一開(kāi)口和第二開(kāi)口延伸至目標(biāo)層內(nèi)。
[0064]根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例，一種方法包括:在目標(biāo)層上方形成芯軸層，并且實(shí)施第一光刻和蝕刻工藝以圖案化芯軸層，其中，芯軸層的剩余部分包括形成的第一中間芯軸和第二中間芯軸。該方法包括實(shí)施第二光刻和蝕刻工藝，其中，減小第一中間芯軸的尺寸以形成第一芯軸，并且將第二中間芯軸切割成第二芯軸和第三芯軸，其中，第一芯軸、第二芯軸和第三芯軸彼此平行，第二芯軸位于第一芯軸和第三芯軸之間。該方法還包括:蝕刻第二芯軸以將第二芯軸切割成第四芯軸和第五芯軸，其中，通過(guò)開(kāi)口將第四芯軸和第五芯軸間隔開(kāi)。在第一芯軸、第三芯軸、第四芯軸和第五芯軸的側(cè)壁上形成間隔件層，其中，通過(guò)間隔件層完全填充開(kāi)口。去除間隔件層的水平部分，并保留間隔件層的垂直部分。
[0065]盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明作出各種改變、替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍不旨在限制于本說(shuō)明書(shū)中描述的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工具、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明，可以利用現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的、執(zhí)行與本發(fā)明描述的相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟。相應(yīng)的，附加的權(quán)利要求旨在將這些工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟包括在它們的范圍內(nèi)。此外，每個(gè)權(quán)利要求構(gòu)成一個(gè)獨(dú)立的實(shí)施例，并且不同權(quán)利要求與實(shí)施例的組合均在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種方法，包括: 實(shí)施雙重圖案化工藝以形成彼此平行的第一芯軸、第二芯軸和第三芯軸，其中，所述第二芯軸位于所述第一芯軸和所述第三芯軸之間； 蝕刻所述第二芯軸以將所述第二芯軸切割成第四芯軸和第五芯軸，其中，通過(guò)開(kāi)口將所述第四芯軸與所述第五芯軸分隔開(kāi)； 在所述第一芯軸、所述第三芯軸、所述第四芯軸、和所述第五芯軸的側(cè)壁上形成間隔件層，其中，所述間隔件層完全填充所述開(kāi)口 ； 去除所述間隔件層的水平部分，而不去除所述間隔件層的垂直部分； 將所述第一芯軸、所述第三芯軸、所述第四芯軸、所述第五芯軸和所述間隔件層的垂直部分用作蝕刻掩模以蝕刻目標(biāo)層，從而在所述目標(biāo)層中形成溝槽；以及使用填充材料填充所述溝槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述雙重圖案化工藝包括: 在芯軸層上實(shí)施第一光刻和第一蝕刻以形成所述第一芯軸和中間芯軸；以及實(shí)施第二光刻和第二蝕刻以減小所述第一芯軸的尺寸，其中，將所述中間芯軸分隔成所述第二芯軸和所述第三芯軸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一光刻包括形成具有開(kāi)口的第一圖案化的上層，并且所述第一圖案化的上層的帶狀件的寬度為所述帶狀件的間距的約三分之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括:在去除所述間隔件層的水平部分之后和在蝕刻所述目標(biāo)層之前，去除與所述第一芯軸平行的第六芯軸。
5.一種方法，包括: 在目標(biāo)層的上方形成芯軸層； 實(shí)施第一光刻和蝕刻工藝以圖案化所述芯軸層； 實(shí)施第二光刻和蝕刻工藝以及切割蝕刻工藝以圖案化所述芯軸層的剩余部分，從而在所述芯軸層中形成第一開(kāi)口，其中，所述第一開(kāi)口具有I形并且包括: 兩個(gè)平行部分，其中，通過(guò)所述第一光刻和蝕刻工藝以及所述第二光刻和蝕刻工藝形成所述兩個(gè)平行部分；以及 互連所述兩個(gè)平行部分的連接部分； 在所述第一開(kāi)口的側(cè)壁上形成間隔件，其中，所述間隔件填充整個(gè)所述連接部分，并且所述兩個(gè)平行部分的中心部分均未被所述間隔件填充； 蝕刻所述芯軸層以去除所述芯軸層的一部分并形成第二開(kāi)口，其中，所述第二開(kāi)口位于所述第一開(kāi)口的所述兩個(gè)平行部分之間，并且所述第二開(kāi)口通過(guò)所述間隔件與所述第一開(kāi)口的所述兩個(gè)平行部分間隔開(kāi)；以及 將所述第一開(kāi)口與所述第二開(kāi)口延伸至所述目標(biāo)層內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 蝕刻位于所述芯軸層下方的硬掩模以將所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口延伸至所述硬掩模內(nèi)，其中，通過(guò)將所述硬掩模用作蝕刻掩模來(lái)蝕刻所述目標(biāo)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括:在形成所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口之后，使用與所述目標(biāo)層不同的材料填充所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口。
8.一種方法，包括: 在目標(biāo)層上方形成芯軸層； 實(shí)施第一光刻和蝕刻工藝以圖案化所述芯軸層，其中，所述芯軸層的剩余部分包括形成的第一中間芯軸和第二中間芯軸； 實(shí)施第二光刻和蝕刻工藝，其中，減小所述第一中間芯軸的尺寸以形成第一芯軸，并且將所述第二中間芯軸切割成第二芯軸和第三芯軸，其中，所述第一芯軸、所述第二芯軸和所述第三芯軸彼此平行，所述第二芯軸位于所述第一芯軸和所述第三芯軸之間； 蝕刻所述第二芯軸以將所述第二芯軸切割成第四芯軸和第五芯軸，通過(guò)開(kāi)口將所述第四芯軸與所述第五芯軸分隔開(kāi)； 在所述第一芯軸、所述第三芯軸、所述第四芯軸和所述第五芯軸的側(cè)壁上形成間隔件層，其中，所述間隔件層完全填充所述開(kāi)口 ；以及 去除所述間隔件層的水平部分，而不去除所述間隔件層的垂直部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括: 將所述第一芯軸、所述第三芯軸、所述第四芯軸、所述第五芯軸和所述間隔件層的所述垂直部分用作蝕刻掩模以蝕刻目標(biāo)層，從而在所述目標(biāo)層中形成溝槽；以及使用填充材料填充所述溝槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述目標(biāo)層包括介電材料，并且填充所述溝槽包括填充金屬材料以形成溝槽和通孔。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的方法包括實(shí)施雙重圖案化工藝以形成第一芯軸、第二芯軸和第三芯軸，其中，第二芯軸位于第一芯軸和第三芯軸之間，以及蝕刻第二芯軸以將第二芯軸切割成第四芯軸和第五芯軸，其中，通過(guò)開(kāi)口將第四芯軸與第五芯軸分隔開(kāi)。在第一芯軸、第三芯軸、第四芯軸和第五芯軸的側(cè)壁上形成間隔件層，其中，間隔件層完全填充開(kāi)口。去除間隔件層的水平部分，而不去除間隔件層的垂直部分。將第一芯軸、第三芯軸、第四芯軸、第五芯軸和間隔件層的垂直部分用作蝕刻掩模以蝕刻目標(biāo)層，從而在目標(biāo)層中形成溝槽。使用填充材料填充該溝槽。本發(fā)明還提供具有減小的間距和線間隔的集成電路及其形成方法。
【IPC分類(lèi)】G03F7-00, H01L21-033
【公開(kāi)號(hào)】CN104658893
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410103302
【發(fā)明人】姚欣潔, 李忠儒, 吳永旭, 包天一, 眭曉林
【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2014年3月19日
【公告號(hào)】US20150147882