為上封裝體的焊球凸點(diǎn)，12為底部填充膠，13為焊盤，14為上封裝體塑封體。
【具體實(shí)施方式】
[0048]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0049]如圖7、圖9、圖11和圖13所示，一種運(yùn)用貼膜工藝的POP封裝結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括下封裝體和上封裝體；下封裝體主要由下封裝體基板4、焊盤13、焊球凸點(diǎn)6、芯片5、下封裝體基板上表面焊球1、塑封體8和下封裝體基板下表面焊球2組成，所述下封裝體基板4的下表面通過焊盤13連接有下封裝體基板下表面焊球2，所述下封裝體基板4上表面的焊盤13上有焊球凸點(diǎn)6，所述芯片5焊接在焊球凸點(diǎn)6上，所述下封裝體基板4上表面的焊盤13上還有下封裝體基板上表面焊球1，所述塑封體8包裹焊球凸點(diǎn)6、芯片5和下封裝體基板上表面焊球I的下部分；
[0050]上封裝體主要由上封裝體基板9、焊盤13、上封裝體的焊球凸點(diǎn)11、上封裝體芯片10、底部填充膠12和上封裝體基板下表面焊球3組成，所述上封裝體基板9的下表面通過焊盤13連接有上封裝體基板下表面焊球3，所述上封裝體基板9上表面的焊盤13上有上封裝體的焊球凸點(diǎn)11，所述上封裝體芯片10焊接在上封裝體的焊球凸點(diǎn)11上，所述底部填充膠12包裹上封裝體的焊球凸點(diǎn)11、上封裝體芯片10的部分和上封裝體基板9的部分；所述下封裝體基板上表面焊球I和上封裝體基板下表面焊球3相互對(duì)位焊接。
[0051]一種運(yùn)用貼膜工藝的POP封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其主要工藝流程為:下封裝體基板與其上的芯片互連一下封裝體基板上表面制作焊球一焊球上表面貼膜一塑封和后固化—揭膜一下封裝體基板下表面制作焊球一下封裝體與上封裝體焊接。
[0052]一種運(yùn)用貼膜工藝的POP封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，具體按照如下步驟進(jìn)行:
[0053]步驟A:下封裝體基板4上表面倒裝上芯和回流焊，下封裝體基板4通過焊盤13、焊球凸點(diǎn)6與芯片5互連形成電流通路，如圖1所示；
[0054]步驟B:在下封裝體基板4上表面的焊盤13區(qū)域制作焊球，形成下封裝體基板上表面焊球I，下封裝體基板上表面焊球I之與下封裝體基板4上表面的高度大于芯片5之與下封裝體基板4上表面的高度，如圖2所示；
[0055]步驟C:在下封裝體基板上表面焊球I上表面貼膠膜7，使部分下封裝體基板上表面焊球I陷入膠膜7的膠層內(nèi)，如圖3所示；
[0056]步驟D:對(duì)下封裝體塑封，所述塑封體8包裹焊球凸點(diǎn)6、芯片5和下封裝體基板上表面焊球I的下部分，如圖4所示；
[0057]步驟E:揭膠膜7，暴露出下封裝體基板上表面焊球I的上表面，如圖5所示；
[0058]步驟F:在下封裝體基板4下表面的焊盤13區(qū)域制作焊球，形成下封裝體基板下表面焊球2，如圖6所示；
[0059]步驟G:上封裝體基板9通過焊盤13、上封裝體的焊球凸點(diǎn)11與上封裝體芯片10互連，底部填充膠12包覆四者互連區(qū)域，在上封裝體基板9下表面的焊盤13區(qū)域制作焊球，形成上封裝體基板下表面焊球3，如圖7所示；
[0060]步驟H:將下封裝體基板上表面焊球I和上封裝體基板下表面焊球3相互對(duì)位焊接，在下封裝體上表面完成上封裝體貼裝，形成堆疊結(jié)構(gòu)，如圖7所示。
[0061]其中，就步驟B、步驟C和步驟H的另外一種工藝為:
[0062]步驟B:在下封裝體基板4上表面的焊盤13區(qū)域制作焊球，形成下封裝體基板上表面焊球I，下封裝體基板上表面焊球I之與下封裝體基板4上表面的高度等于芯片5之與下封裝體基板4上表面的高度，芯片5為漏芯片，如圖8所示；
[0063]步驟C:在下封裝體基板上表面焊球I上表面貼膠膜7，使部分下封裝體基板上表面焊球I和部分芯片5陷入膠膜7的膠層內(nèi)，如圖8所示；
[0064]步驟H:將下封裝體基板上表面焊球I和上封裝體基板下表面焊球3相互對(duì)位焊接，在下封裝體上表面完成上封裝體貼裝，如圖9所示。
[0065]其中，就步驟B、步驟C和步驟H的另外一種工藝為:
[0066]步驟B:在下封裝體基板4上表面的焊盤13區(qū)域制作焊球，形成下封裝體基板上表面焊球I，下封裝體基板上表面焊球I之與下封裝體基板4上表面的高度大于芯片5之與下封裝體基板4上表面的高度，芯片5為漏芯片，如圖10所示；
[0067]步驟C:在下封裝體基板上表面焊球I上表面貼膠膜7，使部分下封裝體基板上表面焊球I和芯片5的部分表面陷入膠膜7的膠層內(nèi)，如圖10所示；
[0068]步驟H:將下封裝體基板上表面焊球I和上封裝體基板下表面焊球3相互對(duì)位焊接，在下封裝體上表面完成上封裝體貼裝，如圖11所示。
[0069]其中，就步驟B、步驟C和步驟H的另外一種工藝為:
[0070]步驟B:在下封裝體基板4上表面的焊盤13區(qū)域制作焊球，形成下封裝體基板上表面焊球I，下封裝體基板上表面焊球I之與下封裝體基板4上表面的高度小于芯片5之與下封裝體基板4上表面的高度，芯片5為漏芯片，如圖12所示；
[0071]步驟C:在下封裝體基板上表面焊球I上表面貼膠膜7，使部分下封裝體基板上表面焊球I和芯片5的部分表面陷入膠膜7的膠層內(nèi)，如圖12所示；
[0072]步驟H:將下封裝體基板上表面焊球I和上封裝體基板下表面焊球3相互對(duì)位焊接，在下封裝體上表面完成上封裝體貼裝，如圖13所示。
[0073]所述制備方法中堆疊結(jié)構(gòu)不局限于兩層封裝體進(jìn)行堆疊，也可為兩個(gè)以上封裝體形成堆疊結(jié)構(gòu)，如圖14所示。
[0074]本發(fā)明通過對(duì)下封裝體基板上表面焊球I及芯片5進(jìn)行貼膜處理，從而有效的防止了焊球在塑封過程中受損，同時(shí)保護(hù)住焊球和芯片，最終露出塑封體，焊球與上封裝體進(jìn)行焊接互連，芯片外露部分利于散熱，也可在芯片表面貼裝散熱蓋，加強(qiáng)散熱效果。此過程省去激光開槽的過程，工藝簡單，同時(shí)降低了與上層封裝體互連焊球高度，相應(yīng)的可增加焊球密度，降低了封裝體厚度，也提高了封裝效率，封裝成本得到降低。
[0075]所述制備方法中各堆疊結(jié)構(gòu)封裝體如采用倒裝工藝，其芯片底部填充有塑封料(MUF工藝即Mold Underfill)或底部填充膠(Underfill工藝)，或其他可用于用以加固焊接的填充物，根據(jù)產(chǎn)品實(shí)際要求而定，圖16中所示上塑封體采用MUF工藝，圖13中所示上塑封體倒裝芯片底部填充有Underfill膠。
[0076]所述制備方法中堆疊結(jié)構(gòu)不局限于兩層封裝體進(jìn)行堆疊，也可為兩個(gè)以上封裝體形成堆疊結(jié)構(gòu)，如圖14所示。
[0077]所述制備方法之應(yīng)用不局限于最下層封裝體封裝，其它層封裝體結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用此封裝工藝實(shí)現(xiàn)，如圖14中，第二層，第三層，第四層封裝體均可使用此封裝工藝。
[0078]所述制備方法中各堆疊結(jié)構(gòu)封裝體可為倒裝工藝，也可為鍵合工藝，也可為倒裝與鍵合混合工藝，不局限于一種封裝結(jié)構(gòu)，如圖16所示。
[0079]就上述所述的數(shù)種制備方法，步驟C在焊球表面所貼膠膜是耐高溫膠膜，可以承受塑封過程高溫情況。
[0080]步驟C在焊球表面所貼膠膜，其膠層厚度根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品焊球露出塑封體需求進(jìn)行選擇。焊球露出塑封體高度可為焊球的一半高度，也可為其他任意高度(取決于產(chǎn)品要求及材料情況)。
[0081]所述下封裝體基板上的焊球高度可高于芯片或與芯片高度相同或低于芯片，是根據(jù)產(chǎn)品加工要求而定。
[0082]所述下封裝體的倒裝芯片可露出塑封體外，即被塑封體包裹部分也可被塑封體全部包裹。
[0083]所述下封裝體的芯片可露出塑封體外，即被塑封體包裹部分，可在露出芯片表面進(jìn)行貼散熱