述V2O5層204的厚度為Inm?1nm,優(yōu)選為2nm。
[0052]上述有機電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，包括以下步驟:
[0053]S210、將金屬D和金屬釩靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X10_3Pa?1.0X 10_5Pa，金屬D為金屬招，金屬鎵或金屬銦。
[0054]襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0055]本實施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為6X 10_4Pa。
[0056]步驟S220、在所述襯底表面濺鍍D2O3層202，濺鍍所述D2O3層202的工藝參數(shù)為:基靶間距為35mm?90mm，濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強0.2Pa?2Pa，工作氣體的流量為15sccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C，得到D2O3層202，得到D2O3薄膜基板為三氧化二鋁,三氧化二鎵或三氧化二銦。
[0057]所述D2O3層202的厚度為50nm?150nm,優(yōu)選為80nm。
[0058]步驟S203、停止通入氧氣，在所述D2O3層10表面濺鍍D導(dǎo)電層20，濺鍍所述D導(dǎo)電層20的工藝參數(shù)為:濺鍍速率0.5nm/s?5nm/s，濺射功率為30W?80W，D導(dǎo)電層的材料為金屬鋁，金屬鎵或金屬銦。
[0059]步驟S204、然后入氧氣，在所述D導(dǎo)電層20表面濺鍍V2O5層30，濺鍍所述V2O5層30的工藝參數(shù)為:濺鍍速率0.3nm/s?3nm/s，濺鍍功率為20W?60W。
[0060]請參閱圖3，一實施方式的有機電致發(fā)光器件300包括依次層疊的襯底301、陽極302、發(fā)光層303以及陰極304。陽極302由導(dǎo)電薄膜100制成，包括層疊的D2O3層，D導(dǎo)電層及V2O5層。襯底301為玻璃襯底，可以理解，根據(jù)有機電致發(fā)光器件300具體結(jié)構(gòu)的不同，襯底301可以省略。發(fā)光層303的材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10- 二 - β -亞萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4_聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、4- (二腈甲烯基)_2_異丙基_6_ (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羥基喹啉鋁(Alq3 )、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))或三(2-苯基卩比唳)合銥(Ir (ppy)3)。陰極304的材質(zhì)為銀(Ag)、金(Au)、招(Al)、鉬(Pt)或鎂銀合金。
[0061]所述D2O3層10的厚度為50nm?150nm,優(yōu)選為80nm ；
[0062]所述D導(dǎo)電層20的厚度為1nm?70nm,優(yōu)選為30nm ；
[0063]所述V2O5層30的厚度為Inm?1nm,優(yōu)選為2nm。
[0064]可以理解，上述有機電致發(fā)光器件300也可根據(jù)使用需求設(shè)置其他功能層。
[0065]上述有機電致發(fā)光器件300，使用導(dǎo)電薄膜100作為有機電致發(fā)光器件的陽極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)5.3?6.2eV,與一般的有機發(fā)光層的HOMO能級(典型的為5.7?6.3eV)之間差距較小，降低了載流子的注入勢壘，可提高發(fā)光效率。
[0066]下面為具體實施例。
[0067]實施例1
[0068]先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把鋁靶材，釩靶材和襯底的距離設(shè)定為50mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到6.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強調(diào)節(jié)為1.0Pa，襯底溫度為300°C，濺射功率為100W，在襯底上濺射得到Al2O3層，通入摩爾百分?jǐn)?shù)為5%的氧氣，濺鍍速率為3nm/s，厚度為80nm，停止通入氧氣，先后濺鍍Al層，濺鍍Al層的濺鍍速率為3nm/s，濺鍍功率為30W，厚度為30nm,接著開啟氧氣，濺鍍V2O5的濺鍍速率為0.5nm/s,濺鍍功率為40W，厚度為2nm，得到Al2O3-Al-V2O5多層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0069]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻6Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.1eV0
[0070]請參閱圖4，圖4所示為得到的透明導(dǎo)電薄膜的透射光譜，使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。由圖4可以看出薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到90%。
[0071]選用Al2O3-Al-V2O5多層的透明導(dǎo)電薄膜作為有機半導(dǎo)體器件的陽極，在上面濺鍍發(fā)光層Alq3,以及陰極采用Ag，制備得到有機電致發(fā)光器件。
[0072]請參閱圖5，圖5為上述器件實施例制備的有機電致發(fā)光器件的電壓與電流密度和亮度關(guān)系圖，在附圖5中曲線I是電壓與電流密度關(guān)系曲線，可看出器件從5.5V開始發(fā)光，曲線2是電壓與亮度關(guān)系曲線，最大亮度為120cd/m2，表明器件具有良好的發(fā)光特性。
[0073]實施例2
[0074]先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把鋁靶材，釩靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為30SCCm，壓強調(diào)節(jié)為2.0Pa,襯底溫度為250°C，濺射功率為150W，在襯底上濺射得到Al2O3層，通入摩爾百分?jǐn)?shù)為2%的氧氣，濺鍍速率為lnm/s，厚度為150nm，停止通入氧氣，先后濺鍍Al層，濺鍍Al層的濺鍍速率為0.5nm/s，濺鍍功率為80W，厚度為1nm,接著開啟氧氣，濺鍍V2O5的濺鍍速率為0.3nm/s,濺鍍功率為60W，厚度為lnm，得到Al2O3-Al-V2O5多層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0075]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻25Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)5.9eV。
[0076]使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到85%。
[0077]實施例3
[0078]先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把鋁靶材，釩靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為25SCCm，壓強調(diào)節(jié)為4.0Pa，襯底溫度為750°C，濺射功率為30W，在襯底上濺射得到Al2O3層，通入摩爾百分?jǐn)?shù)為10%的氧氣，濺鍍速率為lOnm/s，厚度為50nm,停止通入氧氣，先后濺鍍Al層，濺鍍Al層的濺鍍速率為5nm/s，濺鍍功率為75W，厚度為20nm，接著開啟氧氣，濺鍍V2O5的濺鍍速率為5nm/s，濺鍍功率為30W，厚度為10nm，得到Al2O3-Al-V2O5多層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0079]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻6Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.1eV0
[0080]使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到90%。
[0081]實施例4
[0082]先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把鎵靶材，鑰;革El材和襯底的距離設(shè)定為80mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到3.0X 1^4Pa, U氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為600°C，濺射功率為120W，在襯底上濺射得到Ga2O3層，通入摩爾百分?jǐn)?shù)為12%的氧氣，濺鍍速率為5nm/s，厚度為120nm，停止通入氧氣，先后濺鍍Ga層，濺鍍Ga層的濺鍍速率為0.5nm/s,濺鍍功率為40W，厚度為60nm，接著開啟氧氣，濺鍍V2O5的濺鍍速率為2nm/s，濺鍍功率為50W，厚度為8nm，得到Ga2O3-Ga-V2O5多層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0083]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻10Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.5eV。
[0084]使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到95%。
[0085]實施例5
[0086]先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把鎵靶材，釩靶材和襯底的距離設(shè)定為50mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到2.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強調(diào)節(jié)為1.0Pa，襯底溫度為650°C，濺射功率為100W，在襯底上濺射得到Ga2O3層，通入摩爾百分?jǐn)?shù)為9%的氧氣，濺鍍速率為4nm/s，厚度為90nm，停止通入氧氣，先后濺鍍Ga層，濺鍍Ga2層的濺鍍速率為3.5nm/s,濺鍍功率為40W，厚度為45nm，接著開啟氧氣，濺鍍V2O5的濺鍍速率為2nm/s，濺鍍功率為45W，厚度為3nm，得到Ga2O3-Ga-V2O5多層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0087]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻12Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.4eV0
[0088]使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到88%。
[0089]實施例6
[0090]先后用丙酮、