基板處理裝置及基板處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及基板處理裝置及利用該裝置的基板處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體元件是通過包括光刻(photolithography)在內(nèi)的各種工藝在基板上形成電路圖案而制造成的。近來，對于線寬30nm以下的半導體元件，采用的是利用超臨界流體使基板干燥的超臨界干燥工藝(supercritical drying process)。超臨界流體是指在臨界溫度和臨界壓力以上的狀態(tài)下，同時具備氣體和液體性質(zhì)的流體，擴散力和滲透力良好，溶解能力高，幾乎沒有表面張力，從而非常適合用在基板的干燥。
[0003]為進行這樣的超臨界工藝，需向工藝室內(nèi)供應經(jīng)過過濾的超臨界流體。此時，根據(jù)超臨界流體的狀態(tài)，在過濾功能方面存在明顯的差異。在供應超臨界流體初期，因絕熱膨脹，溫度急劇下降至零度以下。此時，超臨界流體變成液體狀態(tài)，因此，過濾功能非常低下。因此，提供給工藝的超臨界流體的純度降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供用于供應高純度的超臨界流體的基板處理裝置。
[0005]本發(fā)明所要解決的課題不限于上述課題，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可根據(jù)本說明書及附圖明確地理解未提到的課題。本發(fā)明提供基板處理裝置。
[0006]本發(fā)明一實施例的基板處理裝置，包括:第一單元；第二單元；供應線，連接上述第一單元和上述第二單元，且從上述第一單元向上述第二單元供應超臨界流體；流量調(diào)節(jié)部件，設(shè)置于上述供應線上；以及過濾器，設(shè)置于上述供應線上并用于去除異物；其中，設(shè)置于上述流量調(diào)節(jié)部件和上述過濾器之間的上述供應線呈非直線狀態(tài)。
[0007]上述流量調(diào)節(jié)部件包括孔口，設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線呈之字形。
[0008]設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線的長度大于設(shè)置于上述過濾器和上述第二單元之間的上述供應線的長度。
[0009]設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線的長度為約I米以上約5米以下的長度。
[0010]設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線的直徑大于設(shè)置于上述第一單元和上述孔口之間的上述供應線的直徑。
[0011 ] 上述孔口包括在上述供應線上并排設(shè)置的第一孔口與第二孔口，上述第一孔口的直徑和上述第二孔口的直徑相互不同。
[0012]上述第一孔口的直徑小于上述第二孔口的直徑。
[0013]上述基板處理裝置還包括用于加熱設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線的加熱部件。
[0014]上述加熱部件是包覆設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線的加熱器。
[0015]上述加熱部件是位于設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線內(nèi)部的線內(nèi)加熱器。
[0016]上述加熱部件還包括設(shè)置在設(shè)置于從設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線上的、使上述超臨界流體減壓的調(diào)壓閥。
[0017]上述第一單元為儲存超臨界流體的供應槽，上述上述第二單元為利用超臨界流體執(zhí)行工藝的工藝室。
[0018]另外，本發(fā)明提供基板處理方法。
[0019]本發(fā)明一實施例的基板處理方法，利用超臨界流體對基板進行處理，在供應超臨界流體時，設(shè)置用于調(diào)節(jié)上述超臨界流體的流量的流量調(diào)節(jié)部件和用于去除包含于上述超臨界流體中的異物的過濾器之間的供應線呈非直線狀態(tài)。
[0020]上述流量調(diào)節(jié)部件包括孔口，而設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線呈之字形。
[0021]設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線的長度為約I米以上約5米以下的長度。
[0022]設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線的直徑大于設(shè)置于上述第一單元和上述孔口之間的上述供應線的直徑。
[0023]加熱設(shè)置于上述孔口和上述過濾器之間的上述供應線。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，可提供用于供應高純度的超臨界流體的基板處理裝置。
[0024]本發(fā)明效果不僅限于上述效果，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可根據(jù)本說明書及附圖明確理解未提及的效果。
【附圖說明】
[0025]圖1為基板處理裝置的一實施例的平面圖；
[0026]圖2為圖1的第一工藝室的截面圖；
[0027]圖3為圖1的第二工藝室的一實施例的截面圖；
[0028]圖4為超臨界流體的循環(huán)系統(tǒng)不意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明一實施例的基板處理裝置的示意圖；
[0030]圖6為流量調(diào)節(jié)部件的示意圖；
[0031]圖7為圖6的孔口的截面圖；
[0032]圖8為一實施例的加熱部件的示意圖；
[0033]圖9為另一實施例的加熱部件的示意圖；
[0034]圖10為比較在利用現(xiàn)有的基板處理裝置和圖5的基板處理裝置時，溫度和壓力所引起的超臨界流體的相變的圖表。
[0035]附圖標記:
[0036]2500:干燥室2570:再生單元
[0037]2560:供應單元2566:供應槽
[0038]2605:供應線2610:流量調(diào)節(jié)部件
[0039]2612:孔口2612:第一孔口
[0040]2314:第二孔口2620:過濾器
[0041]2630:加熱部件2632:加熱器
【具體實施方式】
[0042]記載于本說明書的實施例的目的在于幫助本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解本發(fā)明的思想，因此，本發(fā)明不受記載于本說明書的實施例的限制，而本發(fā)明的范圍應理解為包括不超出本發(fā)明思想的修改例或變形例。另外，用于本說明書中的術(shù)語和附圖的目的是便于說明本發(fā)明，因此，本發(fā)明不受用于本說明書中的術(shù)語和附圖的限制。另外，在說明本發(fā)明的過程中，若認為對相關(guān)的公知的結(jié)構(gòu)或功能的具體說明有礙于對本發(fā)明主旨的理解，則省略對其的詳細說明。
[0043]本發(fā)明的基板處理裝置100是對基板S執(zhí)行清洗工藝的裝置。
[0044]在此，基板S包括硅晶片在內(nèi)的各種晶片、玻璃基板、有機基板，當然，還可理解為除了上述例子之外的半導體元件、顯示器及在其他薄膜上形成電路制造物品時使用的基板。
[0045]下面，對基板處理裝置100的一實施例進行說明。
[0046]圖1為基板處理裝置100的一實施例的平面圖。
[0047]基板處理裝置100包括導引模塊1000、工藝模塊2000。導引模塊1000從外部接收基板S并搬運至工藝模塊2000。工藝模塊2000對基板S執(zhí)行清洗工藝。
[0048]導引模塊1000作為設(shè)備前端模塊(EFEM，equipment front end module)，包括裝載端口 1100和傳送架1200。裝載端口 1100、傳送架1200及工藝模塊2000可依次排成一列。在此，將裝載端口 1100、傳送架1200及工藝模塊2000排列的方向指定為第一方向X。另外，將從上部觀察時與第一方向X垂直的方向指定為第二方向Y，并將與第一方向X、第二方向Y垂直的方向指定為第三方向Z。
[0049]導引模塊1000中可具備一個或多個裝載端口 1100。裝載端口 1100設(shè)置于傳送架1200的一側(cè)。在裝載端口 1100為多個的情況下，裝載端口 1100可沿第二方向Y排成一列。裝載端口 1100的數(shù)量和設(shè)置不限于上述示例，可根據(jù)基板處理裝置100的占用空間、工藝效率、與其他基板處理裝置100的設(shè)置等各種因素進行適當選擇。
[0050]裝載端口 1100上設(shè)置收容基板S的搬運器C。搬運器C從外部搬送并裝載于裝載端口 1100或從裝載端口 1100卸載并搬送至外部。例如，搬運器C可通過高架提升搬送(OHT，overhead hoist transfer)等搬送裝置在基板處理裝置之間搬送?？蛇x地，基板S的搬送可利用自動導引車(automatic guided vehicle)、導軌導引車(rail guidedvehicle)等其他搬送裝置，也可由操作者來執(zhí)行。搬運器C可采用前開式晶圓傳送盒(FOUP，front opening unified pod)。
[0051]在搬運器C的內(nèi)部形成有用于支撐基板S的邊緣的一個以上的槽。在有多個槽的情況下，槽可沿第三方向Z彼此隔開形成。例如，搬運器C可收納25張基板S。對于搬運器C，其內(nèi)部可通過可開閉的門與外部隔離密閉。由此可防止收容于搬運器C內(nèi)部的基板S受污染。
[0052]傳送架1200在載置于裝載端口 1100的搬運器C和工藝模塊2000之間搬送基板So傳送架1200包括導引機械手1210和導引軌道1220。
[0053]導引軌道1220導引導引機械手1210的直線移動。導引軌道1220的長度方向與第二方向Y并排。
[0054]導引機械手1210搬送基板S。導引機械手1210可具備基座1211、主體1212及臂部 1213。
[0055]基座1211設(shè)置于導引軌道1220上?；?211可沿導引軌道1220移動。主體1212結(jié)合于基座1211，并在基座1211上沿第三方向Z移動或以第三方向Z為軸進行旋轉(zhuǎn)。臂部1213設(shè)置于主體1212上，可向前或向后移動。在臂部1213的一端，手部可抓起或放下基板S。導引機械手1210上具備一個或多個臂部1213。在具備多個臂部1213的情況下，可沿第三方向Z層疊設(shè)置于主體1212上。此時，各臂部1213可單獨驅(qū)動。
[0056]因此，根據(jù)基座1211在導引軌道1220上沿第二方向Y移動，及主體1212和臂部1213的動作，導引機械手1210可從搬運器C引出基板S并將其搬入工藝模塊2000或從工藝模塊2000引出基板S并收納于搬運器C中。
[0057]與上述設(shè)置不同，也可從傳送架1200省略導引軌道1220，導引機械手1210固定設(shè)置于傳送架1200上。此時，導引機械手1210可設(shè)置于傳送架1200的中部。
[0058]工藝模塊2000對基板S執(zhí)行清洗工藝。工藝模塊2000包括緩沖室2100、傳送室2200、第一工藝室2300及第二工藝室2500。緩沖室2100和傳送室2200沿第一方向X設(shè)置，且傳送室2200的長度方向與第一方向X并列。工藝室2300、2500設(shè)置于傳送室2200的側(cè)面。第一工藝室2300、傳送室2200及第二工藝室2500可沿第二方向Y依次設(shè)置。
[0059]第一工藝室2300可設(shè)置于傳送室2200的第二方向Y的一