一種扇出型晶圓級封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種扇出型晶圓級封裝方法。
技術(shù)背景
[0002]扇出型晶圓級封裝(Fan Out Wafer Level Package，可簡寫為FOWLP)是一種晶圓級加工的嵌入式芯片封裝方法，是目前一種輸入/輸出端口(I/O)較多、集成靈活性較好的先進(jìn)封裝方法之一。現(xiàn)有常見的FOWLP技術(shù)有由英飛凌科技公司(Infineon TechnologiesAG)發(fā)明的eWLP封裝以及由臺積電公司發(fā)明的TSMC FOffLP封裝。
[0003]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中Infineon eWLP封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，這種封裝方式是將芯片11的正面朝下貼裝到載板上，然后將芯片11塑封在塑封體12中。由于塑封后芯片11的正面朝向載板，為了使芯片11的正面上的導(dǎo)電電極露出以進(jìn)行重布線工藝，必須在塑封完成后就將載板進(jìn)行180度翻轉(zhuǎn)，并將膠膜及載板拆除以露出位于芯片11正面的導(dǎo)電電極。為此，芯片必須做得足夠厚，不能做太薄，否則載板拆除后的塑封體會形成較大的翹曲，導(dǎo)致后續(xù)的重布線工藝難以進(jìn)行。
[0004]圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中TSMC FOffLP封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，這種封裝方式是首先在芯片21正面上種植導(dǎo)電凸柱22，將芯片21正面朝上貼裝到了一個(gè)載板23上，并將芯片21塑封在一個(gè)塑封體24內(nèi)。塑封完成后通過打磨塑封體24漏出導(dǎo)電凸柱22，后續(xù)在此基礎(chǔ)上進(jìn)行重布線工藝完成焊盤布局并植球。從圖2封裝結(jié)構(gòu)上看，在這種方法中，由于芯片導(dǎo)電凸柱沒有露出塑封體外，因此在工藝上需要額外的打磨才可以把1/0引出，導(dǎo)致封裝成本增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扇出型晶圓級封裝方法，可適用于小薄芯片并簡化了工藝流程。
[0006]本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種扇出型晶圓級封裝方法，包括:
[0007]在至少一個(gè)芯片的正面上分別制備導(dǎo)電凸柱，并對所述至少一個(gè)芯片進(jìn)行塑封，使得塑封后所述導(dǎo)電凸柱的頂端外露在塑封體之外；所述至少一個(gè)芯片的正面朝上貼裝于一個(gè)載板上；
[0008]在外露導(dǎo)電凸柱的所述塑封體上通過重布線工藝完成扇出型晶圓級封裝。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例公開的一種扇出型晶圓級封裝方法，在對芯片進(jìn)行塑封時(shí)，首先在芯片正面形成導(dǎo)電凸柱，并將塑封體直接塑封至露出導(dǎo)電凸柱的位置，這樣省去了現(xiàn)有技術(shù)中對塑封體進(jìn)行額外的打磨以露出導(dǎo)電凸柱的工藝步驟，可快速簡易的實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電凸柱與重布線金屬層的互聯(lián)，簡化了工藝流程；同時(shí)由于導(dǎo)電凸柱高度大于導(dǎo)電凸點(diǎn)，所以在進(jìn)行塑封高度控制時(shí)，易于控制塑封露出導(dǎo)電凸點(diǎn)的工藝步驟，降低了工藝難度。
【附圖說明】
[0010]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的一種芯片導(dǎo)電電極面朝下封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)的一種芯片導(dǎo)電電極面朝上封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種扇出型晶圓級封裝方法的流程圖。
[0013]圖4所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種扇出型晶圓級封裝方法所形成的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖5所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種扇出型晶圓級封裝方法所形成的另一封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖6a?6η所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種扇出型晶圓級封裝方法的分解流程結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0017]圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種扇出型晶圓級封裝方法的流程圖。如圖3所示，該方法包括:
[0018]步驟301:在至少一個(gè)芯片的正面上分別制備導(dǎo)電凸柱，將所述至少一個(gè)芯片的正面朝上貼裝于一個(gè)載板上，并對所述至少一個(gè)芯片進(jìn)行塑封，使得塑封后所述導(dǎo)電凸柱的頂端外露在塑封體之外。
[0019]芯片是通過對一個(gè)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行減薄、切割而成，芯片的正面是由芯片內(nèi)部電路引出至芯片表面的導(dǎo)電電極構(gòu)成，導(dǎo)電凸柱制備在這些導(dǎo)電電極上。在本發(fā)明一實(shí)施例中，導(dǎo)電凸柱可采用電鍍、或凸點(diǎn)、或植球法制備而成。導(dǎo)電凸柱的制備材料可為金、銀、銅或其他金屬材料。
[0020]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，芯片的正面上的導(dǎo)電凸柱可以是在半導(dǎo)體晶圓上就制備完成，然后再將半導(dǎo)體晶圓切割成帶有導(dǎo)電凸柱的單個(gè)芯片；也可以是先將半導(dǎo)體晶圓切割成單個(gè)芯片，等到對芯片進(jìn)行塑封之前再在芯片正面上制備導(dǎo)電凸柱。本發(fā)明對導(dǎo)電凸柱的制備時(shí)機(jī)不做限定。
[0021]在本發(fā)明一實(shí)施例中，載板的形狀可包括:圓形、矩形或其他形狀，本發(fā)明對載板的形狀不做限定。如前所述，導(dǎo)電凸柱可在對芯片進(jìn)行塑封之前再制備，因此導(dǎo)電凸柱可以在芯片貼裝到載板上后再制備。
[0022]在本發(fā)明一實(shí)施例中，載板可在重布線完成后再拆除；也可以在塑封完成后就拆除載板。在本發(fā)明另一實(shí)施例中，為了提高芯片的散熱性能和機(jī)械性能，載板也可以不拆除。本發(fā)明對載板拆除的時(shí)機(jī)和是否拆除不做限定。
[0023]在本發(fā)明一實(shí)施例中，對所述至少一個(gè)芯片的導(dǎo)電電極面的塑封采用模塑法或印刷法完成。具體過程可為:使用模塑法或印刷法在載板上填充塑封材料，使塑封材料將芯片和導(dǎo)電凸柱的底部覆蓋，將導(dǎo)電凸柱的頂部露出。露出的導(dǎo)電凸柱頂部與重布線層相連起到導(dǎo)通電流的作用。
[0024]步驟302:在所述外露導(dǎo)電凸柱的塑封體上通過重布線(Redistribut1n Line)工藝完成扇出型晶圓級封裝。
[0025]具體而言，該過程可為:
[0026]首先在塑封體和外露的導(dǎo)電凸柱上制備導(dǎo)電種子層；
[0027]然后采用光刻法在導(dǎo)電種子層上用光刻膠掩膜構(gòu)成重布線金屬層圖案；
[0028]接著在光刻膠掩膜上進(jìn)行電鍍，填補(bǔ)光刻膠掩膜的空白部分；
[0029]再后，去除光刻膠掩膜形成包含焊墊的重布線金屬層；
[0030]然后，在重布線金屬層上制備阻焊層，露出所述重布線金屬層上的焊墊部分；
[0031]最后再在焊墊上制備焊球，形成最終