一個 表面上的緩沖層120、形成在緩沖層120上的薄膜晶體管130和電容器140以及使用粘合層 180附接到聚酰亞胺膜110的另一表面上的后部板190。
[0040] 薄膜晶體管130包括半導體層131、柵電極132以及源電極133和漏電極134。電 容器140包括電容器下電極141和電容器上電極142。
[0041] 柵絕緣膜150形成在半導體層131與柵電極132之間以及電容器下電極141與電 容器上電極142之間。層間絕緣膜160形成在電容器上電極142上并且形成在柵電極132 與源電極133和漏電極134之間。
[0042] 覆蓋層170形成在層間絕緣膜160與源電極133和漏電極134上，以便使薄膜晶 體管130和電容器140鈍化并且使由薄膜晶體管130所引起的步長差平整。
[0043] 有機發(fā)光元件200的第一電極210通過形成在覆蓋層170中的孔而與薄膜晶體管 130的漏電極134電連接。
[0044] 盡管圖5中所例示的TFT基板100具有用于柔性顯示裝置的結構并且包括柵電極 132被布置在半導體層131上方的頂柵型薄膜晶體管，但是本發(fā)明不限于圖5的這種結構， 并且TFT基板100可以包括柵電極位于半導體層下方或具有非柔性結構的底柵型薄膜晶體 管。
[0045] 例如，如圖6中所例示的，TFT結構100'包括由玻璃材料或塑性材料形成的基板 111、基板111上的柵電極113a、柵絕緣膜112和柵電極113a、與柵電極113a交疊的半導體 層113b (其中柵絕緣膜112被插置在半導體層113b與柵電極113a之間）、柵絕緣膜112和 半導體層113b上的彼此間隔開的源電極113c和漏電極113d、以及順序地形成在設置有薄 膜晶體管113的基板111上的無機絕緣膜114和有機絕緣膜115。有機發(fā)光元件200的第 一電極210通過形成在無機絕緣膜114和有機絕緣膜115中的孔與薄膜晶體管113的漏電 極113d電連接。
[0046] 在下文中，將參照圖4更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的TFT基板100上的 有機發(fā)光元件200。
[0047] 有機發(fā)光元件200包括：TFT基板100上的第一電極210 ;堤層220,該堤層220形 成在第一電極210上并且具有堤孔以暴露第一電極210的與發(fā)光區(qū)域對應的至少一部分； 第一電極210的該部分上的發(fā)光有機層230,其通過堤層220的堤孔被暴露；發(fā)光有機層 230上的第二電極240 ;以及第二電極240上的封蓋層250。
[0048] 第一電極210與TFT基板100的薄膜晶體管電連接（更具體地，與漏電極134電 連接）。第一電極210可以是陽電極并且由具有高功函數(shù)的透明導電材料（諸如銦錫氧化 物（ITO)、銦鋅氧化物（IZO)、銦錫鋅氧化物（ITZO)、銦鈰氧化物（ICO)或ZnO)形成。
[0049] 堤層220的堤孔可以通過暴露第一電極210的至少一部分來限定發(fā)光區(qū)域。
[0050] 形成在第一電極210和堤層220的一部分上的發(fā)光有機層230可以包括發(fā)光層、 位于第一電極210與發(fā)光層之間的空穴注入層和/或空穴傳輸層、以及位于第二電極240 與發(fā)光層之間的電子注入層和/或電子傳輸層。
[0051] 布置在發(fā)光有機層230上的第二電極240可以是陰極，并且由諸如Al、Mg、Ca、Ag 或它們的合金的具有低功函數(shù)的金屬形成。
[0052] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED裝置可以是從發(fā)光有機層230發(fā)射的光穿過TFT 基板100的后部光發(fā)射型或者從發(fā)光有機層230發(fā)射的光穿過前部模塊700的前部光發(fā)射 型。
[0053] 在后部光發(fā)射型OLED裝置的情況下，第二電極240可以具有足以反射光的厚度。
[0054] 另一方面，在前部光發(fā)射型OLED裝置的情況下，第二電極240可以具有足夠薄 (例如，IA至50A)以透射光的厚度，并且由Al、Ag或Ni形成的反射層（未示出）可以被 布置在第一電極210下方。同樣，如圖4中所例示的，封蓋層250可以形成在第二電極240 上。封蓋層250用來減少或防止從發(fā)光有機層230發(fā)射的光在第二電極240上方被完全反 射，并且可以由導電無機材料和有機材料的混合物形成。金屬（例如，過渡金屬、堿金屬、堿 土金屬、稀土金屬或者它們的兩個或更多個金屬的合金）可以用作導電無機材料。具有良 好空穴移動性的有機材料（例如，可以用作空穴傳輸層的基質材料的材料）或者具有良好 電子移動性的有機材料（例如，可以用作電子傳輸層的基質材料）可以用作有機材料。導 電無機材料可以通過在封蓋層250處產生表面等離子體共振來提高光的散射和光的吸收， 并且可以防止全反射發(fā)生在第二電極240上方，由此改進OLED裝置的光提取效果。
[0055] 此外，如圖4中所例示的，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED裝置包括形成在TFT基 板100上以覆蓋有機發(fā)光元件200的鈍化層300。
[0056] 鈍化層300包括形成在TFT基板100和有機發(fā)光元件200上的第一無機層310、第 一無機層310上的有機層320以及有機層320上的第二無機層330。
[0057] 第一無機層 310 和第二無機層 330 可以由包括 Al203、Si02、Si3N4、Si0N、A10N、AlN、 Ti02、ZrO、ZnO和Ta2O5中的一種或更多種的材料形成，有機層320可以由適合于屏蔽水/ 氧的有機物質（諸如丙烯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂和聚乙烯）形成。有機層320用來 減少相應層之間的應力，該應力在OLED裝置彎曲時發(fā)生。
[0058] OLED裝置還包括形成在TFT基板100上以完全覆蓋鈍化層300的粘彈性層400以 及粘彈性層400上的封裝膜500。
[0059] 在下文中，將參照圖7和圖8更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的粘彈性層 400 〇
[0060]圖7是粘彈性材料的麥克斯韋模型，圖8是例示了通過松弛模量測試所測量到的 粘彈性材料的應力隨著時間的變化的曲線圖。
[0061] 粘彈性層400由粘彈性材料形成，該粘彈性材料可以被顯示為圖5中所例示的麥 克斯韋模型。如圖5中所例示的，粘彈性材料通常包括緩沖元件η和彈簧元件E。
[0062] 如圖8的曲線圖中所例示的，如果通過松弛模量測試在預定溫度下向粘彈性材料 給予快應變，則彈簧元件E立即伸長并且同時產生應力 〇。然而，隨著時間T推移，彈簧元 件E的應變因緩沖元件Tl而偏移，并且應力〇迅速地降低并且然后收斂于特定值。
[0063] 松弛模量測試是線性粘彈性測量方法，其被執(zhí)行以獲得關于具有粘彈性的材料的 結構的信息。當在預定溫度條件下給予恒定應變時，松弛模量測試測量應力隨著時間推移 的變化。即，由被給予材料的諸如應變的刺激所引起的應力通過材料對刺激的反應來測量。
[0064] 優(yōu)選地，粘彈性層400由同時基本上滿足各特性（諸如大約10g/m2/天或更少的 水蒸氣透過率、大約95 %或更多的可見光透過率和大約0. 3MPa或更少的模量）的粘彈性材 料形成。粘彈性層400用來封裝OLED裝置。
[0065] 另外，粘彈性層400由粘彈性材料形成，并且其彈性部分（Ep)(其由以下式1限 定）是大約30 %或更多：
[0066] 〈式 1> :彈性部分（Ep) (% ) = ( σ / σ ?) X 1〇〇，
[0067] 其中，是在大約50%的應變被施加于粘彈性材料時產生的初始應力，〇是在 應變被連續(xù)地施加于粘彈性材料達大約180秒之后所測量到的最終應力，并且初始應力σ。 和最終應力σ在大約80°C下通過松弛模量測試被測量到。
[0068] 換句話說，彈性部分Ep可以用作用于確定特定粘彈性材料是否適合于OLED裝置 的封裝結構的基準。當粘彈性層400具有大約30 %或更多的彈性部分EJt，可能在高溫和 高濕度的環(huán)境下辨認的氣泡可以被顯著地減少或防止發(fā)生。
[0069] 粘彈性層400可以由包括丙烯樹脂、烯烴樹脂、合成橡膠或其兩個或更多個的混 合物的粘彈性材料形成。
[0070] 形成在粘彈性層400上的封裝膜500可以包括光學各向同性膜540、光學各向同性 膜540上的第一有機膜530、第一有機膜530上的無機膜520和無機膜520上的第二有機膜 510。第二有機膜510可以與粘彈性層400直接接觸。
[0071 ]無機膜 520 可以由包括 A1203、Si02、Si3N4、SiON、A10N、A1N、Ti0 2、ZrO、ZnO 和 Ta2O5 中的一種或更多種的材料形成，第一有機膜510和第二有機膜530可以由適合于屏蔽水/ 氧的有機物質（諸如丙烯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺和聚乙烯）形成。第一有機膜510和第 二有機膜530用來降低在OLED裝置彎曲時發(fā)生的應