帶有保護膜形成層的切片及芯片的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及在芯片背面形成保護膜，且也可用作切片的帶有保護膜形成層的切 片，特別是涉及在保護膜形成層的端部沒有破壞、變形的帶有保護膜形成層的切片。另外， 本發(fā)明涉及使用了帶有保護膜形成層的切片的芯片的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，使用被稱為所謂倒裝（facedown)方式的安裝方法進行了半導(dǎo)體裝置的 制造。在倒裝方式中，使用在電路面上具有凸塊等電極的半導(dǎo)體芯片（以下也簡稱為"芯 片"），將該電極與基板接合。因此，與芯片的電路面相反一側(cè)的面（芯片背面）有時會露 出。
[0003] 該露出的芯片背面有時通過有機膜進行保護。以往，具有由該有機膜形成的保護 膜的芯片是利用旋涂法將液態(tài)的樹脂涂布在晶片背面，并在干燥、固化后將保護膜與晶片 一起切割而得到的。然而，該方法的工序數(shù)增加，導(dǎo)致產(chǎn)品成本上升。另外，由于如上所述 形成的保護膜的厚度精度不充分，因此，有時產(chǎn)品的成品率降低。
[0004] 為了解決上述問題，在專利文獻1(日本特開2010-199543號公報）中公開了一種 在切割膠帶上疊層預(yù)先切割成晶片形狀的晶片背面保護膜而成的切割膠帶一體型晶片背 面保護膜。專利文獻1中的晶片背面保護膜的特征在于，其發(fā)生了著色，且在23°C下的彈性 模量為3GPa以上。背面保護膜的彈性模量高且較硬，因此，在芯片化后的搬運時，可起到抑 制或防止保護膜粘附于搬運用的支撐體上的作用。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1 :日本特開2010-199543號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 發(fā)明要解決的課題
[0009] 然而，在上述專利文獻1的切割膠帶一體型晶片背面保護膜中，背面保護膜的彈 性模量高且較硬，因此，在制造切割膠帶一體型晶片背面保護膜時，有時會導(dǎo)致以下的問 題。專利文獻1的切割膠帶一體型晶片背面保護膜是將預(yù)先切割（預(yù)切割）成晶片形狀的 晶片背面保護膜疊層在切割膠帶上而成的。在將背面保護膜切割成晶片形狀時，使用具備 晶片形狀的沖裁刃的沖刀進行背面保護膜的脫模。此時，以2片剝離片（稱為第1剝離片、 第2剝離片）夾持背面保護膜，通過所謂的半切法將背面保護膜切成給定形狀，所述半切法 是將第2剝離片和背面保護膜完全切斷，但未切斷第1剝離片。其結(jié)果是，在第1剝離片上 得到切成晶片形狀的背面保護膜，然后，將背面保護膜轉(zhuǎn)印到切割膠帶上。為了防止背面保 護膜的切割不良，切入至第1剝離片的一部分，使得能可靠地切斷背面保護膜。
[0010] 但是，若作為被切斷物的背面保護膜過硬，則由于沖裁刃的切入時及脫離時的沖 擊，在第1剝離片及第2剝離片與沖裁刃接觸的部分有時發(fā)生變形、剝離。若在夾持著背面 保護膜的第1剝離片、第2剝離片上產(chǎn)生變形、剝離，則背面保護膜自身有時也產(chǎn)生破壞、變 形。該變形在剝離片和沖裁刃接觸的部分、即脫模后的背面保護膜的端部發(fā)生。若背面保 護膜的端部發(fā)生變形，則背面保護膜容易從芯片上剝離，另外，由于背面保護膜的平面性受 損，因此，在激光標(biāo)識時有可能產(chǎn)生打印精度降低等問題。
[0011] 本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的。即，本發(fā)明的目的在于提供一種帶有保護膜形 成層的切片，其具備經(jīng)過預(yù)切割的固化性保護膜形成層，即使在其制造時通過沖刀進行脫 模加工，保護膜形成層也沒有變形。
[0012] 解決問題的方法
[0013] 解決上述課題的本發(fā)明包含以下要點。
[0014] [1]-種帶有保護膜形成層的切片，其由固化性的保護膜形成層可剝離地臨時粘 接于外周部具有粘合部的支撐體的內(nèi)周部上而形成，所述保護膜形成層在固化前于23°C下 的儲能模量為〇.6~2. 5GPa。
[0015] [2]根據(jù)[1]所述的帶有保護膜形成層的切片，其中，保護膜形成層含有粘合劑聚 合物成分及熱固化性成分。
[0016] [3]根據(jù)[2]所述的帶有保護膜形成層的切片，其中，粘合劑聚合物成分是玻璃化 轉(zhuǎn)變溫度為15°C以下的丙烯酸類聚合物。
[0017] [4]根據(jù)[1]~[3]中任一項所述的帶有保護膜形成層的切片，其中，保護膜形成 層是沖壓加工成給定形狀而形成的。
[0018] [5]根據(jù)[1]~[4]中任一項所述的帶有保護膜形成層的切片，其中，保護膜形成 層含有著色劑。
[0019] [6] -種帶有保護膜的芯片的制造方法，該方法包括：將權(quán)利要求1~5中任一項 所述的帶有保護膜形成層的切片的保護膜形成層粘貼于工件上，并按照（1)、（2)、（3)的順 序，（2)、（1)、⑶的順序，或者（2)、（3)、⑴的順序進行以下的工序⑴~（3)，
[0020] 工序（1):將保護膜形成層固化而得到保護膜的工序；
[0021] 工序（2):將工件與保護膜形成層或保護膜切割的工序；
[0022] 工序（3):將保護膜形成層或保護膜與支撐體剝離工序。
[0023][7]根據(jù)[6]所述的帶有保護膜的芯片的制造方法，其中，按照（2)、⑶、⑴的順 序進行工序（1)~（3)。
[0024] [8]根據(jù)[6]或[7]所述的芯片的制造方法，其中，在所述工序⑴之后的任一工 序中，進行下述工序（4)，
[0025] 工序（4):在保護膜上進行激光打印的工序。
[0026] 發(fā)明效果
[0027] 在本發(fā)明中，通過在所謂的預(yù)切割型的帶有保護膜形成層的切片中使該保護膜形 成層在固化前于23°C下的儲能模量為0. 6~2. 5GPa，可抑制保護膜形成層預(yù)切割時剝離片 的變形或剝離，防止保護膜形成層的破壞、變形，所述預(yù)切割型的帶有保護膜形成層的切片 是固化性的保護膜形成層可剝離地臨時粘接在外周部具有粘合部的支撐體的內(nèi)周部而形 成的。
【附圖說明】
[0028] 圖1示出了本發(fā)明所涉及的帶有保護膜形成層的切片的剖面圖。
[0029] 圖2示出了本發(fā)明所涉及的其它方式的帶有保護膜形成層的切片的剖面圖。
[0030] 圖3示出了在圖1所示的帶有保護膜形成層的切片的制造方法的一個例子中，設(shè) 置在剝離片上的帶有保護膜形成層的切片及切片的不需要部分的立體圖及剖面圖。
[0031] 圖4示出了圖3中的A-B線剖面圖。
[0032] 符號說明
[0033] 1…基材膜
[0034] 2…粘合劑層
[0035]3…支撐體
[0036] 3'…要除去的粘合片
[0037] 4…保護膜形成層
[0038] 5…環(huán)狀框架
[0039] 10…帶有保護膜形成層的切片
【具體實施方式】
[0040] 以下，對于本發(fā)明，包括其最佳方式在內(nèi)更具體地進行說明。圖1及圖2示出了本 發(fā)明的帶有保護膜形成層的切片的示意剖面圖。如圖1、圖2所示，本發(fā)明的帶有保護膜形 成層的切片10通過將固化性的保護膜形成層4可剝離地臨時粘接于在外周部具有粘合部 的支撐體3的內(nèi)周部上而形成。如圖1所示，支撐體3是在基材膜1的上表面具有粘合劑 層2的粘合片，其構(gòu)成為：該粘合劑層2的內(nèi)周部表面被保護膜形成層所覆蓋，在外周部露 出了粘合部。另外，如圖2所示，支撐體3可以是在基材膜1的外周部具有環(huán)狀的粘合劑層 2的結(jié)構(gòu)。此時，粘合劑層2可以是單層的粘合劑，也可以是將雙面粘合膠帶切割成環(huán)狀的 粘合劑。
[0041]保護膜形成層4與粘貼在支撐體3的內(nèi)周部的工件（半導(dǎo)體晶片等）形成了基本 相同形狀。在支撐體3的外周部具有粘合部。在優(yōu)選的方式中，比支撐體3直徑小的保護 膜形成層4在圓形的支撐體3上疊層為同心圓狀。如圖示所示，外周部的粘合部用于環(huán)狀 框架5的固定。帶有保護膜形成層的切片10可采用長條帶狀、單張的標(biāo)簽狀等各種形狀。
[0042](基材膜1)
[0043] 作為基材膜1，在從支撐體3上剝離保護膜形成層4之后進行保護膜形成層4的 熱固化時沒有特別限定，例如可使用由低密度聚乙烯（LDPE)、直鏈低密度聚乙烯（LLDPE)、 乙烯-丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙 烯_(甲基）丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基）丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_(甲基）丙烯酸乙酯 共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯膜、離聚物等所形成的膜等。另外， 在本說明書中，"（甲基）丙烯酸"以包含丙烯酸及甲基丙烯酸兩者的含義使用。
[0044]另外，在支撐體3上疊層了保護膜形成層4的狀態(tài)下進行保護膜形成層的熱固化 時，考慮到支撐體3的耐久性，優(yōu)選基材膜1具有耐熱性，例如可以舉出：聚對苯二甲酸乙二 醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、聚丙烯、聚甲基戊烯等聚烯 烴膜等。另外，也可以使用它們的交聯(lián)膜或利用放射線/放電等的改性膜?；哪ひ部梢?為上述膜的疊層體。
[0045]另外，這些膜也可以疊層2種以上或組合使用。而且，可使用將這些膜著色而成的 膜或者實施了印刷的膜等。另外，膜可以是將熱塑性樹脂通過擠出成型而片材化的膜，也可 以是拉伸而成的膜，還可使用將固化性樹脂通過給定方法薄膜化，并固化而片材化的膜。
[0046] 基材膜的厚度沒有特別限定，優(yōu)選為30~300ym，更優(yōu)選為50~200ym。通過 將基材膜的厚度設(shè)為上述范圍，即使通過切割切入也不易產(chǎn)生基材膜的斷裂。另外，由于帶 有保護膜形成層的切片被賦予了充分的撓性，因此，對于工件（例如半導(dǎo)體晶片等）顯示良 好的粘貼性。
[0047] 如圖2所示，在基材膜1上直接形成保護膜形成層4時，與支撐體3的保護膜形 成層4鄰接的面的表面張力優(yōu)選為40mN/m以下，進一步優(yōu)選為37mN/m以下，特別優(yōu)選為 35mN/m以下。下限值通常為25mN/m左右。這樣的表面張力較低的基材膜可通過適當(dāng)選擇 材質(zhì)而得到，另外，也可以通過在基材膜的表面涂布剝離劑并實施剝離處理而得到。
[0048] 作為用于剝離處理的剝離劑，可使用醇酸類、聚硅氧烷類、含氟類、不飽和聚酯類、 聚烯烴類、蠟類等，特別是醇酸類、聚硅氧烷類、含氟類的剝離劑具有耐熱性，因此優(yōu)選。
[0049]為了使用上述剝離劑對基材膜的表面進行剝離處理，可以將剝離劑直接以無溶 劑、或者經(jīng)溶劑稀釋或乳液化后，利用凹版涂布機、線棒涂布機、氣刀涂布機、輥涂機等進行 涂布，將涂布了剝離劑的基材膜置于常溫下或加熱下，或者通過電子束使其固化，并且通過 濕法層壓或干法層壓