10. 如權(quán)利要求1所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述多條連續(xù)傳導(dǎo)路徑中的每一條具有擁 有1500nm-2500nm的趨膚深度的均勻傳導(dǎo)截面面積。
11. 如權(quán)利要求1所述的RF傳導(dǎo)媒介，還包括保護(hù)層，其覆蓋所述多條連續(xù)傳導(dǎo)路徑， 其中，所述保護(hù)層包括在期望操作頻率處對于RF能量無傳導(dǎo)并且最小吸收的材料。
12. 如權(quán)利要求11所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述材料是聚合物涂層和玻璃纖維涂層 中的至少一個。
13. -種射頻（RF)傳導(dǎo)媒介，所述媒介包括： 多樣傳導(dǎo)媒介，其形成多條連續(xù)傳導(dǎo)路徑，所述傳導(dǎo)媒介中的每個媒介是在橫向電磁 軸中傳導(dǎo)并且在與所述橫向電磁軸垂直的軸中弱傳導(dǎo)的材料；以及 RF惰性材料層，其環(huán)繞所述多樣傳導(dǎo)媒介，所述RF惰性材料在期望操作頻率處對于RF 能量是無傳導(dǎo)并且最小吸收的，所述RF惰性材料層配置為：將所述多樣傳導(dǎo)媒介緊固到電 介質(zhì)表面。
14. 如權(quán)利要求13所述的RF媒介，還包括粘接劑，其用于將所述RF傳導(dǎo)媒介粘接到所 述表面。
15. 如權(quán)利要求13所述的RF傳導(dǎo)媒介，還包括：溶劑，其配置為：在所述RF傳導(dǎo)媒介 施加到所述電介質(zhì)表面期間將所述RF傳導(dǎo)媒介保持在黏性狀態(tài)下，所述溶劑進(jìn)一步配置 為響應(yīng)于受到熱源激勵而蒸發(fā)。
16. 如權(quán)利要求13所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，以作為碳和石墨烯中的至少一個的納米 材料來制成所述多樣傳導(dǎo)媒介中的每樣媒介。
17. 如權(quán)利要求13所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述多樣傳導(dǎo)媒介中的每樣傳導(dǎo)媒介是 單壁化碳納米管（SWCNT)、多壁化納米管（MWCNT)和石墨烯中的至少一個。
18. 如權(quán)利要求13所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述多條連續(xù)傳導(dǎo)路徑中的每一條在期 望操作頻率處具有不大于趨膚深度的傳導(dǎo)截面面積。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，趨膚深度" δ "計算為：
其中，Utl是真空的磁導(dǎo)率，μ ^是所述傳導(dǎo)媒介的納米材料的相對磁導(dǎo)率，P是所述傳 導(dǎo)媒介的納米材料的電阻系數(shù)，f是期望操作頻率。
20. 如權(quán)利要求18所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述期望操作頻率與以下項中的至少一 個對應(yīng)：腔體濾波器的期望諧振頻率、天線的期望諧振頻率、波導(dǎo)的截止頻率、同軸纜線的 期望操作頻率范圍、包括腔體濾波器和天線的集成結(jié)構(gòu)的組合操作頻率范圍。
21. 如權(quán)利要求1所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述多條連續(xù)傳導(dǎo)路徑中的每一條具有擁 有50nm-4000nm的趨膚深度的均勾傳導(dǎo)截面面積。
22. 如權(quán)利要求1所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述多條連續(xù)傳導(dǎo)路徑中的每一條具有擁 有1000nm-3000nm的趨膚深度的均勻傳導(dǎo)截面面積。
23. 如權(quán)利要求1所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述多條連續(xù)傳導(dǎo)路徑中的每一條具有擁 有1500nm-2500nm的趨膚深度的均勻傳導(dǎo)截面面積。
24. -種射頻（RF)傳導(dǎo)媒介，所述媒介包括： 一批分立式傳導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)；以及 粘接劑，其使得所述一批分立式傳導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)能夠施加到電介質(zhì)表面，所述一批分立 式傳導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)響應(yīng)于熱源進(jìn)行燒結(jié)而形成具有均勻格狀結(jié)構(gòu)和均勻傳導(dǎo)截面面積的連 續(xù)傳導(dǎo)層。
25. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，以作為碳、銀、銅、鋁和金中的至少一個的 元素構(gòu)成的納米材料來制成所述納米結(jié)構(gòu)。
26. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述一批分立式傳導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)包括作為 引線、條帶、管和薄片中的至少一個的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
27. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述連續(xù)傳導(dǎo)層在期望操作頻率處具有 不大于趨膚深度的均勻傳導(dǎo)截面面積。
28. 如權(quán)利要求27所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述趨膚深度按以下等式計算：
其中，μC1是真空的磁導(dǎo)率，μ ^是所述納米結(jié)構(gòu)的納米材料的相對磁導(dǎo)率，p是所述納 米結(jié)構(gòu)的納米材料的電阻系數(shù)，f是期望操作頻率。
29. 如權(quán)利要求27所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述期望操作頻率與以下項中的至少一 個對應(yīng)：腔體濾波器的期望諧振頻率、天線的期望諧振頻率、波導(dǎo)的截止頻率、同軸纜線的 期望操作頻率范圍、包括腔體濾波器和天線的集成結(jié)構(gòu)的組合操作頻率范圍。
30. 如權(quán)利要求27所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述連續(xù)傳導(dǎo)層具有擁有50nm-4000nm 的趨膚深度的均勻傳導(dǎo)截面面積。
31. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述連續(xù)傳導(dǎo)層具有擁有 1000nm-3000nm的趨膚深度的均勾傳導(dǎo)截面面積。
32. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述連續(xù)傳導(dǎo)層具有擁有 1500nm-2500nm的趨膚深度的均勻傳導(dǎo)截面面積。
33. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述電介質(zhì)表面在大小方面具有沒有大 于趨膚深度的不勻度的表面平滑度。
34. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，電介質(zhì)表面具有擁有不勻度的表面平滑 度，所述不勻度具有不大于基于以下等式的深度的深度：
其中，μC1是真空的磁導(dǎo)率，μ ^是所述納米結(jié)構(gòu)的納米材料的相對磁導(dǎo)率，p是所述納 米結(jié)構(gòu)的納米材料的電阻系數(shù)，f是感興趣的頻率（以Hz為單位）。
35. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，基于所述一批分立式傳導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)中的 每個分立式傳導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)的納米材料的原子結(jié)構(gòu)和厚度，所述熱源施加熱量的激勵。
36. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，還包括保護(hù)層，其覆蓋所述連續(xù)傳導(dǎo)層，其中， 所述保護(hù)層包括在期望操作頻率處對于RF能量無傳導(dǎo)并且最小吸收的材料。
37. 如權(quán)利要求36所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述材料是聚合物涂層和玻璃纖維涂層 中的至少一個。
38. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述電介質(zhì)表面是具有與所述腔體的期 望頻率響應(yīng)特性對應(yīng)的內(nèi)部幾何形狀的腔體的內(nèi)表面。
39. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述一批分立式納米結(jié)構(gòu)施加到第一電 介質(zhì)表面的外表面以及第二電介質(zhì)表面的同心內(nèi)表面，其中，所述第一電介質(zhì)表面是同軸 纜線的內(nèi)導(dǎo)體，所述第二電介質(zhì)表面是外導(dǎo)體。
40. 如權(quán)利要求24所述的RF傳導(dǎo)媒介，其中，所述一批分立式傳導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)施加到電 介質(zhì)結(jié)構(gòu)，其中，所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的幾何形狀和所述一批分立式傳導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)性質(zhì) 限定天線的諧振頻率響應(yīng)和輻射圖案。
【專利摘要】本公開的實施例提供一種射頻(RF)傳導(dǎo)媒介，用于減少所有RF硬件組件的不期望的插入損耗并且改進(jìn)RF諧振腔體的Q因數(shù)或“品質(zhì)因數(shù)”。所述RF傳導(dǎo)媒介通過包括對趨膚效應(yīng)損耗有免疫的并且通過延伸基本上沒有對于RF能量的傳導(dǎo)的阻性的橫向電磁軸中的一條或多條傳導(dǎo)路徑來降低RF設(shè)備的插入損耗。
【IPC分類】H01P7-04, H01B1-14, H01B1-24, H01P7-06
【公開號】CN104685705
【申請?zhí)枴緾N201380035597
【發(fā)明人】J·A·杜利
【申請人】納米通股份有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年4月29日
【公告號】EP2845263A2, US20130300522, US20150244052, WO2013165892A2, WO2013165892A3